Fabrication of Si1-x Gex alloy nanowire field-effect transistors

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 3, 2007, Pages

  Kim, Cheol Joo ^a   Yang, Jee Eun ^a   Lee, Hyun Seung ^a   Jang, Hyun M ^a   Jo, Moon Ho ^a   Park, Won Hwa ^b   Kim, Zee Hwan ^b   Maeng, Sunglyul ^c  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Korea University   (South Korea)

^c Electronics and Telecommunications Research Institute (ETRI)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIELD EFFECT TRANSISTORS; GERMANIUM ALLOYS; OPTOELECTRONIC DEVICES; REACTION KINETICS; SEMICONDUCTOR GROWTH; SINGLE CRYSTALS;

ALLOY COMPOSITION; CATALYTIC DECOMPOSITION; GROUP IV SEMICONDUCTORS;

NANOWIRES;

EID: 34547145691     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2753722     Document Type: Article

References (27)

1. O. Madelung, In Semiconductors: Data Handbook, 2nd ed. (Springer, Berlin, 1996), Vol. 2, p. 11.
2. For a recent review, D. J. Paul, Semicond. Sci. Technol. 19, R75 (2004).
3. J. Ouellette, Ind. Phys. 8, 18 (2002).
4. Jee-Eun Yang, Chang-Beom Jin, Cheol-Joo Kim, and Moon-Ho Jo, Nano Lett. 6, 2679 (2006).
5. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.102921 56, 2379 (1990); S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus, D. L. Adler, Y.-H. Xie, F. M. Ross, T. D. Harris, W. L. Brown, Y. J. Chabal, L. E. Brus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.72.2648 72, 2648 (1994); T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus, and L. J. Terminello, Phys. Rev. Lett. 80, 3803 (1998).
6. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.102921 56, 2379 (1990); S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus, D. L. Adler, Y.-H. Xie, F. M. Ross, T. D. Harris, W. L. Brown, Y. J. Chabal, L. E. Brus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.72.2648 72, 2648 (1994); T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus, and L. J. Terminello, Phys. Rev. Lett. 80, 3803 (1998).
7. H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, and T. Nakagiri, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.102921 56, 2379 (1990); S. Schuppler, S. L. Friedman, M. A. Marcus, D. L. Adler, Y.-H. Xie, F. M. Ross, T. D. Harris, W. L. Brown, Y. J. Chabal, L. E. Brus, and P. H. Citrin, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.72.2648 72, 2648 (1994); T. van Buuren, L. N. Dinh, L. L. Chase, W. J. Siekhaus, and L. J. Terminello, Phys. Rev. Lett. 80, 3803 (1998).
8. Y. Li, F. Qian, J. Xiang, and C. M. Lieber, Mater. Today 9, 18 (2006).
9. O. Hayden, R. Agarwal, and C. M. Lieber, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1635 5, 352 (2006); M. S. Gudiksen, K. N. Maher, L. Ouyang, and H. Park, Nano Lett. 1530-6984 10.1021/nl0516005 5, 2257 (2005); H. Pettersson, J. Tragardh, A. I. Persson, L. Landin, D. Hessman, and L. Samuelson, Nano Lett. 6, 229 (2006).
10. O. Hayden, R. Agarwal, and C. M. Lieber, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1635 5, 352 (2006); M. S. Gudiksen, K. N. Maher, L. Ouyang, and H. Park, Nano Lett. 1530-6984 10.1021/nl0516005 5, 2257 (2005); H. Pettersson, J. Tragardh, A. I. Persson, L. Landin, D. Hessman, and L. Samuelson, Nano Lett. 6, 229 (2006).
11. O. Hayden, R. Agarwal, and C. M. Lieber, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1635 5, 352 (2006); M. S. Gudiksen, K. N. Maher, L. Ouyang, and H. Park, Nano Lett. 1530-6984 10.1021/nl0516005 5, 2257 (2005); H. Pettersson, J. Tragardh, A. I. Persson, L. Landin, D. Hessman, and L. Samuelson, Nano Lett. 6, 229 (2006).
12. Chang-Beom Jin, Jee-Eun Yang, and Moon-Ho Jo, Appl. Phys. Lett. 88, 193105 (2006).
13. X. F. Duan and C. M. Lieber, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 12, 298 (2000).
14. K. K. Lew, L. Pan, E. C. Dickey, and J. M. Redwing, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 15, 2073 (2003).
15. R. S. Wagner and W. C. Eliis, Appl. Phys. Lett. 4, 89 (1964).
16. A. M. Morales and C. M. Lieber, Science 279, 208 (1998).
17. Y. Wu, Y. Cui, L. Huynh, C. J. Barrelet, D. C. Bell, and C. M. Lieber, Nano Lett. 4, 433 (2004).
18. L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, C. L. Wang, and C. M. Lieber, Nature (London) 420, 57 (2002).
19. M. I. Alonso and K. Winer, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.39. 10056 39, 10056 (1989); M. Franz, K. F. Dombrowski, H. Rucker, B. Dietrich, and K. Pressel, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.59.10614 59, 10614 (1999); Z. F. Sui, H. H. Burke, and I. P. Herman, Phys. Rev. B 48, 2162 (1993).
20. M. I. Alonso and K. Winer, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.39. 10056 39, 10056 (1989); M. Franz, K. F. Dombrowski, H. Rucker, B. Dietrich, and K. Pressel, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.59.10614 59, 10614 (1999); Z. F. Sui, H. H. Burke, and I. P. Herman, Phys. Rev. B 48, 2162 (1993).
21. M. I. Alonso and K. Winer, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.39. 10056 39, 10056 (1989); M. Franz, K. F. Dombrowski, H. Rucker, B. Dietrich, and K. Pressel, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.59.10614 59, 10614 (1999); Z. F. Sui, H. H. Burke, and I. P. Herman, Phys. Rev. B 48, 2162 (1993).
22. S. Takeoka, K. Toshikiyo, M. Fujii, S. Hayashi, and K. Yamamoto, Phys. Rev. B 61, 15988 (2000).
23. S. L. Wu, Semicond. Sci. Technol. 20, 559 (2005).
24. A. B. Greytak, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1755846 84, 4176 (2004);
25. Y. Cui, Z. H. Zhong, D. L. Wang, and C. M. Lieber, Nano Lett. 1530-6984 10.1021/nl025875l 3, 149 (2003)
26. G. F. Zheng, W. Lu, S. Jin, and C. M. Lieber, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 0935-9648 10.1002/adma.200400472 16, 1890 (2004);
27. Y. Gu, E. S. Kwak, J. L. Lensch, J. E. Allen, T. W. Odom, and L. J. Lauhon, Appl. Phys. Lett. 87, 043111 (2005).