-
1
-
-
0000767909
-
-
0021-8979 10.1063/1.1329354
-
S. S. Li and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1329354 88, 7171 (2000).
-
(2000)
J. Appl. Phys.
, vol.88
, pp. 7171
-
-
Li S., S.1
Xia J., B.2
-
3
-
-
0042525747
-
-
0256-307X 10.1088/0256-307X/20/8/345
-
J. L. Liu, S. S. Li, Z. C. Niu, F. H. Yang, and S. L. Feng, Chin. Phys. Lett. 0256-307X 10.1088/0256-307X/20/8/345 20, 1336 (2003).
-
(2003)
Chin. Phys. Lett.
, vol.20
, pp. 1336
-
-
Liu J., L.1
Li S., S.2
Niu Z., C.3
Yang F., H.4
Feng S., L.5
-
4
-
-
23744475248
-
-
0003-6951 10.1063/1.2001131
-
S. S. Li and J. B. Xia, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2001131 87, 043102 (2005).
-
(2005)
Appl. Phys. Lett.
, vol.87
, pp. 043102
-
-
Li S., S.1
Xia J., B.2
-
5
-
-
0035872969
-
-
0021-8979 10.1063/1.1346651
-
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and Y. Y. Proskuryakov, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1346651 89, 5676 (2001).
-
(2001)
J. Appl. Phys.
, vol.89
, pp. 5676
-
-
Yakimov A., I.1
Dvurechenskii A., V.2
Nikiforov A., I.3
Proskuryakov Y., Y.4
-
6
-
-
79955984714
-
-
0003-6951 10.1063/1.1435063
-
M. Elkurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, and I. Sagnes, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1435063 80, 509 (2002).
-
(2002)
Appl. Phys. Lett.
, vol.80
, pp. 509
-
-
Elkurdi, M.1
Boucaud, P.2
Sauvage, S.3
Kermarrec, O.4
Campidelli, Y.5
Bensahel, D.6
Saint-Girons, G.7
Sagnes, I.8
-
7
-
-
79955986137
-
-
0003-6951 10.1063/1.1449525
-
S. Tong, J. L. Liu, J. Wan, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1449525 80, 1189 (2002).
-
(2002)
Appl. Phys. Lett.
, vol.80
, pp. 1189
-
-
Tong, S.1
Liu J., L.2
Wan, J.3
Wang K., L.4
-
8
-
-
0042735693
-
-
0163-1829 10.1103/PhysRevB.67.121301
-
M. Friesen, P. Rugheimer, D. E. Savage, M. G. Lagally, D. W. Van der Weide, R. Joynt, and M. A. Eriksson, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.67. 121301 67, 121301 (2003).
-
(2003)
Phys. Rev. B
, vol.67
, pp. 121301
-
-
Friesen, M.1
Rugheimer, P.2
Savage, D.E.3
Lagally, M.G.4
Van Der Weide, D.W.5
Joynt, R.6
Eriksson, M.A.7
-
10
-
-
12444323597
-
-
K. H. Lee, A. D. Greentree, J. P. Dinale, C. C. Escott, A. S. Dzurak, and R. G. Clark, Nanotechnology 16, 74 (2005).
-
(2005)
Nanotechnology
, vol.16
, pp. 74
-
-
Lee K., H.1
Greentree A., D.2
Dinale J., P.3
Escott C., C.4
Dzurak A., S.5
Clark R., G.6
-
11
-
-
4944258274
-
-
0003-6951 10.1063/1.1785870
-
P. W. Li, W. M. Liao, D. M. T. Kuo, S. W. Lin, P. S. Chen, S. C. Lu, and M. -J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1785870 85, 1532 (2004).
-
(2004)
Appl. Phys. Lett.
, vol.85
, pp. 1532
-
-
Li P., W.1
Liao W., M.2
Kuo D. M., T.3
Lin S., W.4
Chen P., S.5
Lu S., C.6
Tsai M., -J.7
-
13
-
-
33751112707
-
-
X. Z. Bo, L. P. Rokhinson, N. Yao, D. C. Tsui, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 100, 094317 (2006).
-
(2006)
J. Appl. Phys.
, vol.100
, pp. 094317
-
-
Bo X., Z.1
Rokhinson L., P.2
Yao, N.3
Tsui D., C.4
Sturm J., C.5
-
14
-
-
0344287224
-
-
1063-7826 10.1134/1.1626222
-
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, and S. A. Tiis, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1626222 37, 1345 (2003).
-
(2003)
Semiconductors
, vol.37
, pp. 1345
-
-
Yakimov A., I.1
Dvurechenskii A., V.2
Nikiforov A., I.3
Chaikovskii S., V.4
Tiis S., A.5
-
15
-
-
8744270287
-
-
1063-7826 10.1134/1.1808834
-
A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, S. V. Chaikovskii, V. A. Volodin, M. D. Efremov, M. S. Seksenbaev, T. S. Shamirzaev, and K. S. Zhuravlev, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1808834 38, 1225 (2004).
-
(2004)
Semiconductors
, vol.38
, pp. 1225
-
-
Yakimov A., I.1
Dvurechenskii A., V.2
Kirienko V., V.3
Stepina N., P.4
Nikiforov A., I.5
Ul'yanov V., V.6
Chaikovskii S., V.7
Volodin V., A.8
Efremov M., D.9
Seksenbaev M., S.10
Shamirzaev T., S.11
Zhuravlev K., S.12
-
18
-
-
0003234459
-
-
0163-1829 10.1103/PhysRevB.58.3561
-
S. S. Li and J. B. Xia, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.58.3561 58, 3561 (1998).
-
(1998)
Phys. Rev. B
, vol.58
, pp. 3561
-
-
Li S., S.1
Xia J., B.2
-
19
-
-
23044532390
-
-
1063-7761 10.1134/1.1458492
-
V. A. Burdov, JETP 1063-7761 10.1134/1.1458492 94, 411 (2002).
-
(2002)
JETP
, vol.94
, pp. 411
-
-
Burdov V., A.1
-
20
-
-
0036807547
-
-
1063-7826 10.1134/1.1513861
-
V. A. Burdov, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1513861 36, 1154 (2002).
-
(2002)
Semiconductors
, vol.36
, pp. 1154
-
-
Burdov V., A.1
-
21
-
-
4243650828
-
-
0031-9007 10.1103/PhysRevLett.88.167401
-
W. D. Sheng and J. P. Leburton, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.88.167401 88, 167401 (2002).
-
(2002)
Phys. Rev. Lett.
, vol.88
, pp. 167401
-
-
Sheng W., D.1
Leburton J., P.2
-
22
-
-
23744444264
-
-
0003-6951 10.1063/1.2000329
-
L. C. Lew Yan Voon, C. Galeriu, B. Lassen, M. Willatzen, and R. Melnik, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2000329 87, 041906 (2005).
-
(2005)
Appl. Phys. Lett.
, vol.87
, pp. 041906
-
-
Lew Yan Voon L., C.1
Galeriu, C.2
Lassen, B.3
Willatzen, M.4
Melnik, R.5
-
23
-
-
28644451631
-
-
0163-1829 10.1103/PhysRevB.71.155301
-
S. S. Li, K. Chang, and J. B. Xia, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.71.155301 71, 155301 (2005).
-
(2005)
Phys. Rev. B
, vol.71
, pp. 155301
-
-
Li S., S.1
Chang, K.2
Xia J., B.3
-
24
-
-
27744526703
-
-
0163-1829 10.1103/PhysRevB.72.075356
-
N. Vukmirović, D. Indjin, V. D. Jovanović, Z. Ikonić, and P. Harrison, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.72. 075356 72, 075356 (2005).
-
(2005)
Phys. Rev. B
, vol.72
, pp. 075356
-
-
Vukmirović, N.1
Indjin, D.2
Jovanović V., D.3
Ikonić, Z.4
Harrison, P.5
-
26
-
-
33144477389
-
-
0957-4484 10.1088/0957-4484/17/5/052
-
Z. P. Huang, Y. Wu, H. Fang, N. Deng, T. L. Ren, and J. Zhu, Nanotechnology 0957-4484 10.1088/0957-4484/17/5/052 17, 1476 (2006).
-
(2006)
Nanotechnology
, vol.17
, pp. 1476
-
-
Huang Z., P.1
Wu, Y.2
Fang, H.3
Deng, N.4
Ren T., L.5
Zhu, J.6
-
27
-
-
0034904849
-
-
0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.195311
-
M. Korkusiński and P. Hawrylak, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.195311 63, 195311 (2001).
-
(2001)
Phys. Rev. B
, vol.63
, pp. 195311
-
-
Korkusiński, M.1
Hawrylak, P.2
-
29
-
-
23844438312
-
-
0021-8979 10.1063/1.1948528
-
T. Low, M. F. Li, Y. C. Teo, W. J. Fan, S. T. Ng, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1948528 98, 024504 (2005).
-
(2005)
J. Appl. Phys.
, vol.98
, pp. 024504
-
-
Low, T.1
Li M., F.2
Teo Y., C.3
Fan W., J.4
Ng S., T.5
Kwong D., L.6
-
30
-
-
35248858533
-
-
0163-1829 10.1103/PhysRevB.34.5621
-
C. G. Van de Walle and R. M. Martin, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.34.5621 34, 5621 (1986).
-
(1986)
Phys. Rev. B
, vol.34
, pp. 5621
-
-
Van De Walle, C.G.1
Martin, R.M.2
|