SCOPUS 정보 검색 플랫폼

Journal of Applied Physics

Volumn 101, Issue 9, 2007, Pages

Stark effect and oscillator strength in a Si1-xGex/Si quantum disk

(2) Liu, Jin Long a Zhu, Jing a

a TSINGHUA UNIVERSITY (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRON ENERGY LEVELS; PHOTOELECTRIC DEVICES; QUANTUM ELECTRONICS;

FINITE OFFSET; OSCILLATOR STRENGTH; QUANTUM DISKS; STARK EFFECTS;

SEMICONDUCTING SILICON;

EID: 34248599029 PISSN: 00218979 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1063/1.2719005 Document Type: Conference Paper

Times cited : (5)

References (30)

1
- 0000767909
- 0021-8979 10.1063/1.1329354
- S. S. Li and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1329354 88, 7171 (2000).
- (2000) J. Appl. Phys. , vol.88 , pp. 7171
- Li S., S.¹ Xia J., B.²

2
- 0000064203
- 0021-8979 10.1063/1.1334645
- A. Thean and J. P. Leburton, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1334645 89, 2808 (2001).
- (2001) J. Appl. Phys. , vol.89 , pp. 2808
- Thean, A.¹ Leburton J., P.²

3
- 0042525747
- 0256-307X 10.1088/0256-307X/20/8/345
- J. L. Liu, S. S. Li, Z. C. Niu, F. H. Yang, and S. L. Feng, Chin. Phys. Lett. 0256-307X 10.1088/0256-307X/20/8/345 20, 1336 (2003).
- (2003) Chin. Phys. Lett. , vol.20 , pp. 1336
- Liu J., L.¹ Li S., S.² Niu Z., C.³ Yang F., H.⁴ Feng S., L.⁵

4
- 23744475248
- 0003-6951 10.1063/1.2001131
- S. S. Li and J. B. Xia, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2001131 87, 043102 (2005).
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.87 , pp. 043102
- Li S., S.¹ Xia J., B.²

5
- 0035872969
- 0021-8979 10.1063/1.1346651
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and Y. Y. Proskuryakov, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1346651 89, 5676 (2001).
- (2001) J. Appl. Phys. , vol.89 , pp. 5676
- Yakimov A., I.¹ Dvurechenskii A., V.² Nikiforov A., I.³ Proskuryakov Y., Y.⁴

6
- 79955984714
- 0003-6951 10.1063/1.1435063
- M. Elkurdi, P. Boucaud, S. Sauvage, O. Kermarrec, Y. Campidelli, D. Bensahel, G. Saint-Girons, and I. Sagnes, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1435063 80, 509 (2002).
- (2002) Appl. Phys. Lett. , vol.80 , pp. 509
- Elkurdi, M.¹ Boucaud, P.² Sauvage, S.³ Kermarrec, O.⁴ Campidelli, Y.⁵ Bensahel, D.⁶ Saint-Girons, G.⁷ Sagnes, I.⁸

7
- 79955986137
- 0003-6951 10.1063/1.1449525
- S. Tong, J. L. Liu, J. Wan, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1449525 80, 1189 (2002).
- (2002) Appl. Phys. Lett. , vol.80 , pp. 1189
- Tong, S.¹ Liu J., L.² Wan, J.³ Wang K., L.⁴

8
- 0042735693
- 0163-1829 10.1103/PhysRevB.67.121301
- M. Friesen, P. Rugheimer, D. E. Savage, M. G. Lagally, D. W. Van der Weide, R. Joynt, and M. A. Eriksson, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.67. 121301 67, 121301 (2003).
- (2003) Phys. Rev. B , vol.67 , pp. 121301
- Friesen, M.¹ Rugheimer, P.² Savage, D.E.³ Lagally, M.G.⁴ Van Der Weide, D.W.⁵ Joynt, R.⁶ Eriksson, M.A.⁷

9
- 0036640619
- 0021-8979 10.1063/1.1482425
- P. A. Cain, H. Ahmed, and D. A. Williams, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1482425 92, 346 (2002).
- (2002) J. Appl. Phys. , vol.92 , pp. 346
- Cain P., A.¹ Ahmed, H.² Williams D., A.³

10
- 12444323597
- K. H. Lee, A. D. Greentree, J. P. Dinale, C. C. Escott, A. S. Dzurak, and R. G. Clark, Nanotechnology 16, 74 (2005).
- (2005) Nanotechnology , vol.16 , pp. 74
- Lee K., H.¹ Greentree A., D.² Dinale J., P.³ Escott C., C.⁴ Dzurak A., S.⁵ Clark R., G.⁶

11
- 4944258274
- 0003-6951 10.1063/1.1785870
- P. W. Li, W. M. Liao, D. M. T. Kuo, S. W. Lin, P. S. Chen, S. C. Lu, and M. -J. Tsai, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1785870 85, 1532 (2004).
- (2004) Appl. Phys. Lett. , vol.85 , pp. 1532
- Li P., W.¹ Liao W., M.² Kuo D. M., T.³ Lin S., W.⁴ Chen P., S.⁵ Lu S., C.⁶ Tsai M., -J.⁷

12
- 7044272422
- 0003-6951 10.1063/1.1795974
- M. A. H. Khalafalla, Z. A. K. Durrani, and H. Mizuta, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1795974 85, 2262 (2004).
- (2004) Appl. Phys. Lett. , vol.85 , pp. 2262
- Khalafalla M. A., H.¹ Durrani Z. A., K.² Mizuta, H.³

13
- 33751112707
- X. Z. Bo, L. P. Rokhinson, N. Yao, D. C. Tsui, and J. C. Sturm, J. Appl. Phys. 100, 094317 (2006).
- (2006) J. Appl. Phys. , vol.100 , pp. 094317
- Bo X., Z.¹ Rokhinson L., P.² Yao, N.³ Tsui D., C.⁴ Sturm J., C.⁵

14
- 0344287224
- 1063-7826 10.1134/1.1626222
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, S. V. Chaikovskii, and S. A. Tiis, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1626222 37, 1345 (2003).
- (2003) Semiconductors , vol.37 , pp. 1345
- Yakimov A., I.¹ Dvurechenskii A., V.² Nikiforov A., I.³ Chaikovskii S., V.⁴ Tiis S., A.⁵

15
- 8744270287
- 1063-7826 10.1134/1.1808834
- A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, V. V. Kirienko, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov, V. V. Ul'yanov, S. V. Chaikovskii, V. A. Volodin, M. D. Efremov, M. S. Seksenbaev, T. S. Shamirzaev, and K. S. Zhuravlev, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1808834 38, 1225 (2004).
- (2004) Semiconductors , vol.38 , pp. 1225
- Yakimov A., I.¹ Dvurechenskii A., V.² Kirienko V., V.³ Stepina N., P.⁴ Nikiforov A., I.⁵ Ul'yanov V., V.⁶ Chaikovskii S., V.⁷ Volodin V., A.⁸ Efremov M., D.⁹ Seksenbaev M., S.¹⁰ Shamirzaev T., S.¹¹ Zhuravlev K., S.¹²

16
- 33645530718
- 0003-6951 10.1063/1.2191411
- J. S. Biteen, N. S. Lewis, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2191411 88, 131109 (2006).
- (2006) Appl. Phys. Lett. , vol.88 , pp. 131109
- Biteen J., S.¹ Lewis N., S.² Atwater H., A.³

17
- 2842527053
- 0163-1829 10.1103/PhysRevB.54.R2300
- M. A. Cusack, P. R. Briddon, and M. Jaros, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.54.R2300 54, R2300 (1996).
- (1996) Phys. Rev. B , vol.54 , pp. 2300
- Cusack M., A.¹ Briddon P., R.² Jaros, M.³

18
- 0003234459
- 0163-1829 10.1103/PhysRevB.58.3561
- S. S. Li and J. B. Xia, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.58.3561 58, 3561 (1998).
- (1998) Phys. Rev. B , vol.58 , pp. 3561
- Li S., S.¹ Xia J., B.²

19
- 23044532390
- 1063-7761 10.1134/1.1458492
- V. A. Burdov, JETP 1063-7761 10.1134/1.1458492 94, 411 (2002).
- (2002) JETP , vol.94 , pp. 411
- Burdov V., A.¹

20
- 0036807547
- 1063-7826 10.1134/1.1513861
- V. A. Burdov, Semiconductors 1063-7826 10.1134/1.1513861 36, 1154 (2002).
- (2002) Semiconductors , vol.36 , pp. 1154
- Burdov V., A.¹

21
- 4243650828
- 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.88.167401
- W. D. Sheng and J. P. Leburton, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.88.167401 88, 167401 (2002).
- (2002) Phys. Rev. Lett. , vol.88 , pp. 167401
- Sheng W., D.¹ Leburton J., P.²

22
- 23744444264
- 0003-6951 10.1063/1.2000329
- L. C. Lew Yan Voon, C. Galeriu, B. Lassen, M. Willatzen, and R. Melnik, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2000329 87, 041906 (2005).
- (2005) Appl. Phys. Lett. , vol.87 , pp. 041906
- Lew Yan Voon L., C.¹ Galeriu, C.² Lassen, B.³ Willatzen, M.⁴ Melnik, R.⁵

23
- 28644451631
- 0163-1829 10.1103/PhysRevB.71.155301
- S. S. Li, K. Chang, and J. B. Xia, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.71.155301 71, 155301 (2005).
- (2005) Phys. Rev. B , vol.71 , pp. 155301
- Li S., S.¹ Chang, K.² Xia J., B.³

24
- 27744526703
- 0163-1829 10.1103/PhysRevB.72.075356
- N. Vukmirović, D. Indjin, V. D. Jovanović, Z. Ikonić, and P. Harrison, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.72. 075356 72, 075356 (2005).
- (2005) Phys. Rev. B , vol.72 , pp. 075356
- Vukmirović, N.¹ Indjin, D.² Jovanović V., D.³ Ikonić, Z.⁴ Harrison, P.⁵

25
- 34248543254
- J. L. Liu and J. Zhu, Int. J. Mod. Phys. B (submitted).
- Int. J. Mod. Phys. B
- Liu J., L.¹ Zhu, J.²

26
- 33144477389
- 0957-4484 10.1088/0957-4484/17/5/052
- Z. P. Huang, Y. Wu, H. Fang, N. Deng, T. L. Ren, and J. Zhu, Nanotechnology 0957-4484 10.1088/0957-4484/17/5/052 17, 1476 (2006).
- (2006) Nanotechnology , vol.17 , pp. 1476
- Huang Z., P.¹ Wu, Y.² Fang, H.³ Deng, N.⁴ Ren T., L.⁵ Zhu, J.⁶

27
- 0034904849
- 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.195311
- M. Korkusiński and P. Hawrylak, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.195311 63, 195311 (2001).
- (2001) Phys. Rev. B , vol.63 , pp. 195311
- Korkusiński, M.¹ Hawrylak, P.²

28
- 0347133611
- 0003-6951 10.1063/1.1631740
- V. G. Stoleru and E. Towe, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1631740 83, 5026 (2003).
- (2003) Appl. Phys. Lett. , vol.83 , pp. 5026
- Stoleru V., G.¹ Towe, E.²

29
- 23844438312
- 0021-8979 10.1063/1.1948528
- T. Low, M. F. Li, Y. C. Teo, W. J. Fan, S. T. Ng, and D. L. Kwong, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1948528 98, 024504 (2005).
- (2005) J. Appl. Phys. , vol.98 , pp. 024504
- Low, T.¹ Li M., F.² Teo Y., C.³ Fan W., J.⁴ Ng S., T.⁵ Kwong D., L.⁶

30
- 35248858533
- 0163-1829 10.1103/PhysRevB.34.5621
- C. G. Van de Walle and R. M. Martin, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.34.5621 34, 5621 (1986).
- (1986) Phys. Rev. B , vol.34 , pp. 5621
- Van De Walle, C.G.¹ Martin, R.M.²

* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.