Current-voltage hysteresis and memory effects in ambipolar organic thin film transistors based on a substituted oligothiophene

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 111, Issue 1, 2007, Pages 452-456

  Xiuyu, Cai ^b   Gerlach, Christopher P ^b   Frisbie, C Daniel ^a,c  

^a University of Minnesota   (United States)

^b 3M COMPANY   (United States)

^c UNIVERSITY OF MINNESOTA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMBIPOLAR ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS; GATE BIAS STRESS; MEMORY EFFECTS; OLIGOTHIOPHENE;

ACTIVATION ENERGY; CHARGE TRAPPING; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; HYSTERESIS; NONVOLATILE STORAGE; SUBSTITUTION REACTIONS;

THIN FILM TRANSISTORS;

EID: 33847676383     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp065147c     Document Type: Article

References (33)

1. Crone, B.; Dodabalapur, A.; Lin, Y. Y.; Filas, R. W.; Bao, Z.; LaDuca, A.; Sarpeshkar, R.; Katz, H. E.; Li, W. Nature 2000, 403, 521-523.
2. Kane, M. G.; Campi, J.; Hammond, M. S.; Cuomo, F. P.; Greening, B.; Sheraw, C. D.; Nichols, J. A.; Gundlach, D. J.; Huang, J. R.; Kuo, C. C.; Jia, L.; Klauk, H.; Jackson, T. N. IEEE Electron Device Lett. 2000, 21, 534-536.
3. Ouyang, J.; Chu, C.-W.; Sieves, D.; Yang, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 123507.
4. Katz, H. E.; Hong, X. M.; Dodabalapur, A.; Sarpeshkar, R. J. Appl. Phys. 2002, 91, 1572-1576.
5. Naber, R. C. G.; Tanase, C.; Blom, P. W. M.; Gelinck, G. H.; Marsman, A. W.; Touwslager, F. J.; Setayesh, S.; de Leeuw, D. M. Nat. Mater. 2005, 4, 243-248.
6. Drechsel, J.; Mannig, B.; Kozlowski, F.; Pfeiffer, M.; Leo, K.; Hoppe, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 244102.
7. Rand, B. P.; Xue, J.; Yang, F.; Forrest, S. R. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 233508.
8. Shah, B. K.; Neckers, D. C.; Shi, J.; Forsythe, E. W.; Morton, D. Chem. Mater. 2006, 18, 603-608.
9. Hubert, C.; Fiorini-Debuisschert, C.; Hassiaoui, I.; Rocha, L.; Raimond, P.; Nunzi, J. M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 191105.
10. Chu, C.-W.; Chen, C.-W.; Li, S.-H.; Wu, E. H.-E.; Yang, Y. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 253503.
11. Crone, B. K.; Dodabalapur, A.; Sarpeshkar, R.; Gelperin, A.; Katz, H. E.; Bao, Z. J. Appl. Phys. 2002, 91, 10140-10146.
12. Baude, P. F.; Ender, D. A.; Haase, M. A.; Kelley, T. W.; Muyres, D. V.; Theiss, S. D. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3964-3966.
13. Chesterfield, R. J.; Newman, C. R.; Pappenfus, T. M.; Ewbank, P. C.; Haukaas, M. H.; Mann, K. R.; Miller, L. L.; Frisbie, C. D. Adv. Mater. 2003, 15, 1278-1282.
14. Yoon, M.-H.; DiBenedetto, S. A.; Facchetti, A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 1348-1349.
15. Anthopoulos, T. D.; de Leeuw, D. M.; Cantatore, E.; Setayesh, S.; Meijer, E. J.; Tanase, C.; Hummelen, J. C.; Blom, P. W. M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4205-4207.
16. Chua, L.-L.; Zaumseil, J.; Chang, J.-F.; Ou, Eric, C. W.; Ho Peter, K. H.; Sirringhaus, H.; Friend Richard, H. Nature 2005, 434, 194-199.
17. Singh, T. B.; Meghdadi, F.; Guenes, S.; Marjanovic, N.; Horowitz, G.; Lang, P.; Bauer, S.; Sariciftci, N. S. Adv. Mater. 2005, 17, 2315-2320.
18. Facchetti, A.; Mushrush, M.; Katz, H. E.; Marks, T. J. Adv. Mater. 2003, 15, 33-38.
19. Facchetti, A.; Yoon, M.-H.; Stern, C. L; Katz, H. E.; Marks, T. J. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 3900-3903.
20. Facchetti, A.; Mushrush, M.; Yoon, M.-H.; Hutchison, G. R.; Ratner, M. A.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 13859-13874.
21. Facchetti, A.; Letizia, J.; Yoon, M.-H.; Mushrush, M.; Katz, H. E.; Marks, T. J. Chem. Mater. 2004, 16, 4715-4727.
22. Chu, C. W.; Ouyang, J.; Tseng, J.-H.; Yang, Y. Adv. Mater. 2005, 17, 1440-1443.
23. Ma, L.; Xu, Q.; Yang, Y. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4908-4910.
24. Bozano, L. D.; Kean, B. W.; Deline, V. R.; Salem, J. R.; Scott, J. C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 607-609.
25. Naber, R. C. G.; de Boer, B.; Blom, P. W. M.; de Leeuw, D. M. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 203509.
26. Unni, K. N. N.; de Bettignies, R.; Dabos-Seignon, S.; Nunzi, J.-M. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1823-1825.
27. Singh, T. B.; Marjanovic, N.; Matt, G. J.; Sariciftci, N. S.; Schwodiauer, R.; Bauer, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5409-5411.
28. Schroeder, R.; Majewski, L. A.; Voigt, M.; Grell, M. IEEE Electron Device Lett. 2005, 26, 69-71.
29. Mushrush, M.; Facchetti, A.; Lefenfeld, M.; Katz, H. E.; Marks, T. J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 9414-9423.
30. Wei, Y.; Yang, Y.; Yeh, J.-M. Chem. Mat. 1996, 8, 2659-2666.
31. Yamaguchi, M.; Shibato, K.; Fujiwara, S.; Hirao, I. Synthesis 1986, 421-422.
32. Linderman, R. J.; Lonikar, M. S. J. Org. Chem. 1988, 53, 6013-6022.
33. Street, R. A.; Salleo, A.; Chabinyc, M. L. Phys. Rev. B 2003, 68, 085316.