Organic nonvolatile memory by controlling the dynamic copper-ion concentration within organic layer

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 24, 2004, Pages 4908-4910

  Ma, Liping ^a   Xu, Qianfei ^a   Yang, Yang ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DIGITAL CAMERAS; ORGANIC BISTABLE DEVICES (OBD); ORGANIC LAYERS; PHASE CHANGE MEMORIES (PCM);

ANODES; CAMERAS; CATHODES; COPPER; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRIC SWITCHES; EVAPORATION; GLASS; METALLIZING; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY; SEMICONDUCTING SILICON; VACUUM;

NONVOLATILE STORAGE;

EID: 3042852869     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1763222     Document Type: Article

References (19)

1. W. D. Brown, J. E. Brewer, Nonvolatile Semiconductor Memory Technology (IEEE, New York, 1998).
2. L. P. Ma, S. M. Pyo, Q. F. Xu, and Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 82, 1419 (2003).
3. L. P. Ma, J. Liu, and Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 80, 2997 (2002); L. P. Ma, J. Liu, S. M. Pyo, and Y. Yang, ibid. 80, 362 (2002).
4. L. P. Ma, J. Liu, and Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 80, 2997 (2002); L. P. Ma, J. Liu, S. M. Pyo, and Y. Yang, ibid. 80, 362 (2002).
5. L. P. Ma, J. Liu, S. M. Pyo, Q. F. Xu, and Y. Yang, Mol. Cryst. Liq. Cryst. 378, 185 (2002).
6. K. Nakayama, K. Kojima, Y. Imai, T. Kasai, S. Fukushima, A. Kitagawa, M. Kumeda, Y. Kakimoto, and M. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 404 (2003).
7. M. N. Kozicki and W. C. West, U.S. Patent No.: 5,761,115 (1998).
8. M. L. Ostraat, J. W. De Blauwe, M. L. Green, L. D. Bell, M. L. Brongerma, J. R. Casperson, C. Flagan, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 79, 433 (2001).
9. L. P. Ma, W. J. Yang, S. S. Xie, and S. J. Pang, Appl. Phys. Lett. 73, 3303 (1998).
10. R. S. Potember and T. O. Poehler, Appl. Phys. Lett. 34, 405 (1979).
11. Y. Segui, B. Ai, and H. Carchano, J. Appl. Phys. 47, 140 (1976).
12. E. R. Weber, Appl. Phys. A: Solids Surf. 30, 1 (1983).
13. F. Beeler, O. K. Andersen, and M. Scheffler, Phys. Rev. Lett. 55, 1498 (1985).
14. A. A. Istratov and E. R. Weber, J. Electrochem. Soc. 149, G21 (2002); K. L. Lee, C. K. Hu, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 78, 4428 (1995).
15. A. A. Istratov and E. R. Weber, J. Electrochem. Soc. 149, G21 (2002); K. L. Lee, C. K. Hu, and K. N. Tu, J. Appl. Phys. 78, 4428 (1995).
16. A. L. S. Loke, J. T. Wetzel, P. H. Townsend, T. Tanabe, R. N. Vrtis, M. P. Zussman, D. Kumar, C. Ryu, and S. S. Wong, IEEE Trans. Electron Devices 46, 2178 (1999).
17. M. T. Wang, Y. C. Lin, and M. C. Chen, J. Electrochem. Soc. 145, 2538 (1998).
18. M. W. Lane, E. G. Liniger, and J. R. Lioyd, J. Appl. Phys. 93, 1417 (2003).
19. A. A. Istratov, C. Flink, H. Hieslmair, E. R. Weber, and T. Heiser, Phys. Rev. Lett. 81, 1243 (1998).