Retention loss behaviors in heteroepitaxial ferroelectric film with a +c monodomain fabricated by hydrothermal epitaxy below Tc

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 11, 2006, Pages

  Ahn, W S ^a   Ahn, S H ^a   Choi, S K ^a  

^a Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRODES; EPITAXIAL GROWTH; FERROELECTRIC MATERIALS; HYDROTHERMAL SYNTHESIS; LEAD COMPOUNDS;

DEPOLARIZATION FIELD; HYDROTHERMAL EPITAXY; RETENTION LOSS;

THIN FILMS;

EID: 33845767500     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2369664     Document Type: Article

References (29)

1. J. F. Scott and C. A. Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. C. A. Paz de Araujo, J. D. Cuchiaro, L. D. McMillan, M. C. Scott, and J. F. Scott, Nature (London) 374, 627 (1995).
3. A. Gruverman, O. Auciello, and H. Tokumoto, Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 101 (1998).
4. F. Jona and G. Shirane, Ferroelectric Crystals (Pergamon, Oxford, 1962), p. 46.
5. T. Hidaka, Appl. Phys. Lett. 68, 2358 (1996).
6. C. H. Ahn, T. Tybell, L. Antognazza, K. Char, R. H. Hammond, M. R. Beasley,. Fisher, and J.-M. Triscone, Science 276, 1100 (1997).
7. P. Paruch, T. Tybell, and J.-M. Triscone, Appl. Phys. Lett. 79, 530 (2001).
8. Y. Cho, K. Fujimoto, Y. Hiranaga, Y. Wagatsuma, A. Onoe, K. Terabe, and K. Kitamur, Nanotechnology 14, 637 (2003).
9. A. Gruverman, Appl. Phys. Lett. 71, 3492 (1997).
10. D. Fu, K. Suzuki, K. Kato, M. Minakata, and H. Suzuki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 6724 (2002).
11. C. S. Ganpul, V. Nagarajan, S. B. Ogale, A. L. Roytburd, E. D. Williams, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 77, 3275 (2000).
12. C. S. Ganpule, A. L. Roytburd, V. Nagarajan, B. K. Hill, S. B. Ogale, E. D. Williams, R. Ramesh, and J. F. Scott, Phys. Rev. B 65, 014101 (2001).
13. F. F. Lange, Science 273, 903 (1996).
14. A. T. Chien, J. Sachleben, J. H. Kim, J. S. Speck, and F. F. Lange, J. Mater. Res. 14, 3303 (1999).
15. A. T. Chien, X. Xu, J. H. Kim, J. Sachleben, J. S. Speck, and F. F. Lange, J. Mater. Res. 14, 3330 (1999).
16. W. W. Jung, H. C. Lee, W. S. Ahn, S. H. Ahn, and S. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 86, 252901 (2005).
17. W. S. Ahn, W. W. Jung, and S. K. Choi, J. Appl. Phys. 99, 014103 (2006).
18. W. S. Ahn, W. W. Jung, S. K. Choi, and Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 88, 082902 (2006).
19. S. H. Ahn, W. W. Jung, and S. K. Choi, Appl. Phys. Lett. 86, 172901 (2005).
20. M. Molotskii, J. Appl. Phys. 93, 6234 (2003).
21. A. Y. Emelyanov, Phys. Rev. B 71, 132102 (2005).
22. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Clarendon, Oxford, 1977).
23. M. J. Haun, E. Furman, S. J. Jang, H. A. McKinstry, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 62, 3331 (1987).
24. Y. Xu, Ferroelectric Materials and Their Applications (North-Holland, Amsterdam, 1991), p. 108.
25. J. A. Osborn, Phys. Rev. 67, 351 (1945).
26. A. F. Devonshire, Philos. Mag. 40, 1040 (1949).
27. M. Molotskii, A. Agronin, P. Urenski, M. Shvebelman, G. Rosenman, and Y. Rosenwaks, Phys. Rev. Lett. 90, 107601 (2003).
28. K. Lee, K. Kim, S. J. Kwon, and S. Baik, Appl. Phys. Lett. 85, 4711 (2004).
29. X. Li, A. Mamchik, and I.-W. Chen, Appl. Phys. Lett. 79, 809 (2001).