High performance n -channel organic field-effect transistors and ring oscillators based on C60 fullerene films

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 21, 2006, Pages

  Anthopoulos, Thomas D ^a   Singh, Birendra ^b   Marjanovic, Nenad ^b   Sariciftci, Niyazi S ^b   Montaigne Ramil, Alberto ^b   Sitter, Helmut ^b   Cölle, Michael ^c   De Leeuw, Dago M ^c  

^a IMPERIAL COLLEGE LONDON   (United Kingdom)

^b JOHANNES KEPLER UNIVERSITY LINZ   (Austria)

^c PHILIPS RESEARCH LABORATORIES   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONDUCTIVE FILMS; DIELECTRIC PROPERTIES; ELECTRON MOBILITY; FULLERENES; OSCILLATORS (ELECTRONIC);

CONTACT TRANSISTORS; FULLERENE FILMS; GATE DIELECTRICS; RING OSCILLATORS;

FIELD EFFECT TRANSISTORS;

EID: 33845461442     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2387892     Document Type: Article

References (27)

1. H. Sirringhaus, P. J. Brown, R. H. Friend, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. M. W. Langeveld-Voss, A. J. H. Spiering, R. A. J. Janssen, E. W. Meijer, P. Herwig, and D. M. de Leeuw, Nature (London) 401, 685 (1999).
2. C. D. Dimitrakopoulos and P. R. L. Malenfant, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 14, 99 (2002).
3. R. J. Kline, M. D. McGehee, and M. F. Toney, Nat. Mater. 5, 222 (2006).
4. I. Mcculloch, M. Heeney, C. Bailey1, K. Genevicius, I. Macdonald, M. Shkunov, D. Sparrowe, S. Tierney, R. Wagner, W. Zhang, M. L. Chabinyc, R. J. Kline, M. D. McGehee, and M. F. Toney, Nat. Mater. 5, 328 (2006).
5. M. Heeney, C. Bailey, K. Genevicius, M. Shkunov, D. Sparrowe, S. Tierney, and I. McCulloch, J. Am. Chem. Soc. 127, 1078 (2005).
6. G. H. Gelinck, H. E. A. Huitema, E. van Veenendaal, E. Cantatore, L. Schrijnemakers, J. B. P. H. van der Putten, T. C. T. Geuns, M. Beenhakkers, J. B. Giesbers, B.-H. Huisman, E. J. Meijer, E. M. Benito, F. J. Touwslager, A. W. Marsman, B. J. E. van Rens, and D. M. de Leeuw, Nat. Mater. 3, 106 (2004).
7. D. M. de Leeuw, U.S. Patent No. WO99/30432 (17 June 1999).
8. S. Steudel, K. Myny, V. Arkhipov, C. Deibel, S. de Vusser, J. Genoe, and P. Heremans, Nat. Mater. 4, 597 (2005).
9. L. Zhou, A. Wanga, S.-C. Wu, J. Sun, S. Park, and T. N. Jackson, Appl. Phys. Lett. 88, 083502 (2005).
10. C. R. Newman, C. D. Frisbie, D. A. da Silva Filho, J.-L. Bredas, P. C. Ewbank, and K. R. Mann, Chem. Mater. 16, 4436 (2004).
11. T. D. Anthopoulos, D. M. de Leeuw, E. Cantatore, P. van't Hof, J. Alma, and J. C. Hummelen, J. Appl. Phys. 98, 054503 (2005).
12. H. E. Katz, A. J. Lovinger, J. Johnson, C. Kloc, T. Siegrist, W. Li, Y.-Y. Lin, and A. Dodabalapur, Nature (London) 404, 478 (2000).
13. B. A. Jones, M. J. Ahrens, M.-H. Yoon, A. Facchetti, T. J. Marks, and M. R. Wasielewski, Angew. Chem., Int. Ed. 43, 6363 (2004).
14. Z. Bao, A. J. Lovinger, and J. Brown, J. Am. Chem. Soc. 120, 207 (1998).
15. T. D. Anthopoulos, F. B. Kooistra, H. J. Wondergem, D. Kronholm, J. C. Hummelen, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 1679 (2006).
16. T. D. Anthopoulos, S. Setayesh, E. C. P. Smits, M. Cölle, E. Cantatore, B. de Boer, Paul W. M. Blom, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 18, 1900 (2006).
17. Th. B. Singh, N. Marjanovic, G. J. Matt, S. Gunes, N. S. Sariciftci, A. M. Ramil, A. Andreev, H. Sitter, R. Schwodiauer, and S. Bauer, Org. Electron. 6, 105 (2005).
18. R. C. Haddon, A. S. Perel, R. C. Morris, T. T. M. Palstra, A. F. Hebard, and R. M. Fleming, Appl. Phys. Lett. 67, 121 (1995).
19. S. Kobayashi, T. Takenobu, S. Mori, A. Fujiwara, and Y. Iwasa, Appl. Phys. Lett. 82, 4581 (2003).
20. K. Horiuchi, K. Nakada, S. Uchino, S. Hashii, A. Hashimoto, N. Aoki, Y. Ochiai, and M. Shimizu, Appl. Phys. Lett. 81, 1911 (2002).
21. B. Crone, A. Dodabalapur, Y.-Y. Lin, R. W. Fillas, Z. Bao, A. LaDuca, R. Sarpeshkar, H. E. Katz, and W. Li, Nature (London) 403, 521 (2000).
22. D. J. Gundlach, K. P. Pernstich, G. Wilckens, M. Grüter, S. Haas, and B. Batlogg, J. Appl. Phys. 98, 064502 (2005).
23. D. Stifter and H. Sitter, Appl. Phys. Lett. 66, 679 (1995).
24. A. Montaigne Ramil, Th. B. Singh, N. T. Haber, N. Marjanovic, S. Gunes, A. Andreev, G. J. Matt, R. Resel, H. Sitter, and S. Sariciftci, J. Cryst. Growth 288, 123 (2006).
25. H. Ohashi, K. Tanigaki, R. Kumashiro, S. Sugihara, S. Hiroshiba, S. Kimura, K. Kato, and M. Takata, Appl. Phys. Lett. 84, 520 (2004).
26. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
27. T. D. Anthopoulos, C. Tanase, S. Setayesh, E. J. Meijer, J. C. Hummelen, P. W. M. Blom, and D. M. de Leeuw, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 16, 2174 (2004).