Structural and electrical properties of neodymium oxide high- k gate dielectrics

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 23, 2006, Pages

  Pan, Tung Ming ^a   Lee, Jian Der ^a   Shu, Wei Hao ^a   Chen, Tsung Te ^a  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DIELECTRIC MATERIALS; ELECTRIC BREAKDOWN; ELECTRIC PROPERTIES; INTERFACES (MATERIALS); STRUCTURAL ANALYSIS;

DEFECT SITES; HIGH- K GATE DIELECTRICS; INTERFACIAL LAYERS;

NEODYMIUM COMPOUNDS;

EID: 33845397958     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2402237     Document Type: Article

References (13)

1. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 89, 5243 (2001).
2. W. He, S. Schuetz, R. Solanki, J. Belot, and J. McAndrew, Electrochem. Solid-State Lett. 7, G131 (2004).
3. A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, Y. Yasuda, S. Zaima, and S. Miyazaki, Appl. Phys. Lett. 85, 5322 (2004).
4. T. M. Pan, C. S. Liao, H. H. Hsu, C. L. Chen, J. D. Lee, K. T. Wang, and J. C. Wang, Appl. Phys. Lett. 87, 262908 (2005).
5. J. Kwo, M. Hong, A. R. Kortan, K. L. Queeney, Y. J. Chabal, R. L. Opila, Jr., D. A. Muller, S. N. G. Chu, B. J. Sapjeta, T. S. Lay, J. P. Mannaerts, T. Boone, H. W. Krautter, J. J. Krajewski, A. M. Sergnt, and J. M. Rosamilia, J. Appl. Phys. 89, 3920 (2001).
6. G. Seguini, E. Bonera, S. Spiga, G. Scarel, and M. Fanciulli, Appl. Phys. Lett. 85, 5316 (2004).
7. V. Mikhelashvili, G. Eisenstein, F. Edelman, R. Brener, N. Zakharov, and P. Werner, J. Appl. Phys. 95, 613 (2004).
8. A. Fissel, Z. Elassar, O. Kirfel, E. Bugiel, M. Czernohorsky, and H. J. Osten, J. Appl. Phys. 99, 074105 (2006).
9. H. J. Osten, J. P. Liu, E. Bugiel, H. J. Muessig, and P. Zaumseil, J. Cryst. Growth 235, 229 (2002).
10. K. J. Hubbard and D. G. Schlom, J. Mater. Res. 11, 2757 (1996).
11. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Perkin-Elmer, Eden Prairie, MN, 1992).
12. A. Yagishita, T. Saito, K. Nakajima, S. Inumiya, K. Matsuo, T. Shibata, Y. Tsunashima, K. Suguro, and T. Arikado, IEEE Trans. Electron Devices 48, 1604 (2001).
13. H. Harris, K. Choi, N. Mehta, A. Chandolu, N. Biswas, G. Kipshidze, and S. Nikishin, Appl. Phys. Lett. 81, 1065 (2002).