P-type Zn1-xMgxO films with Sb doping by radio-frequency magnetron sputtering

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 20, 2006, Pages

  Wang, Peng ^a   Chen, Nuofu ^a,b   Yin, Zhigang ^a   Dai, Ruixuan ^a   Bai, Yiming ^a  

^a INSTITUTE OF SEMICONDUCTORS   (China)

^b INSTITUTE OF MECHANICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; HALL EFFECT; MAGNETRON SPUTTERING; OPTOELECTRONIC DEVICES; SEMICONDUCTOR DOPING; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

BAND GAP; HALL MEASUREMENTS; RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 33751092504     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2388254     Document Type: Article

References (21)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B B80, 383 (2001).
2. D. C. Look and B. Claflin, Phys. Status Solidi B 241, 624 (2004).
3. A. Ohtomo, M. Kawasaki, T. Koida, K. Masubuchi, H. Koinuma, Y. Sakurai, Y. Yoshida, T. Yasuda, and Y. Segawa, Appl. Phys. Lett. 72, 2466 (1998).
4. X. Zhang, X. M. Li, T. L. Chen, C. Y. Zhang, and W. D. Yu, Appl. Phys. Lett. 87, 092101 (2005).
5. Y. J. Li, Y. W. Heo, Y. Kwon, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 87, 072101 (2005).
6. J. H. Kang, Y. R. Park, and K. J. Kim, Solid State Commun. 115, 127 (2000).
7. T. Makino, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, R. Shiroki, K. Tamura, T. Yasuda, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 78, 1237 (2001).
8. Peng Wang, Nuofu Chen, Zhigang Yin, Fei Yang, and Changtao Peng, J. Cryst. Growth 290, 56 (2006).
9. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
10. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
11. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, D. T. Zhao, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 87, 152101 (2005).
12. T. Aoki, Y. Shimizu, A. Miyake, A. Nakamura, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, Phys. Status Solidi B 229, 911 (2002).
13. Sukit Limpijumnong, S. B. Zhang, Su-Huai Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004).
14. F. X. Xiu, Z. Yang, L. J. Mandalapu, J. L. Liu, and W. P. Beyermann, Appl. Phys. Lett. 88, 052106 (2006).
15. V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kim, J. Appl. Phys. 98, 043519 (2005).
16. V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 86, 062101 (2005).
17. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
18. L. J. Mandalapu, Z. Yang, F. X. Xiu, D. T. Zhao, and J. L. Liu, Appl. Phys. Lett. 88, 092103 (2006).
19. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng, L. P. Zhu, B. H. Zhao, L. Jiang, J. G. Lu, H. P. He, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 173506 (2006).
20. F. Zhuge, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, D. W. Ma, J. G. Lu, J. Y. Huang, F. Z. Wang, Z. G. Ji, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 87, 092103 (2005).
21. Y. W. Heo, Y. W. Kwon, Y. Li, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 84, 3474 (2004).