Interface stabilization by Al in GaN and AlN epitaxies on Nb B 2(0001)

Applied Physics Letters

Volumn 89, Issue 18, 2006, Pages

  Aizawa, Takashi ^a   Otani, Shigeki ^a   Hishita, Shunichi ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; INTERFACES (MATERIALS); INTERFACIAL ENERGY; MOLECULAR BEAM EPITAXY; TRANSITION METAL COMPOUNDS;

INTERFACE SPECIES; LATTICE STRESSES; PLASMA-ASSISTED MOLECULAR BEAM EPITAXY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33750744113     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2384797     Document Type: Article

References (24)

1. S. C. Jain, M. Willander, J. Narayan, and R. V. Overstraeten, J. Appl. Phys. 87, 965 (2000).
2. I. Akasaki, H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, J. Cryst. Growth 98, 209 (1989).
3. S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 30, L1705 (1991).
4. O.-H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
5. H. Kinoshita, S. Otani, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Suda, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1280 (2001).
6. J. Suda and H. Matsunami, J. Cryst. Growth 237-239, 1114 (2002).
7. R. Liu, A. Bell, F. A. Ponce, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 81, 3182 (2002).
8. Y. Tomida, S. Nitta, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, S. Otani, H. Kinoshita, R. Liu, A. Bell, and F. A. Ponce, Appl. Surf. Sci. 216, 502 (2003).
9. H. Kinoshita, S. Otani, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Suda, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 42, 2260 (2003).
10. J. Tolle, R. Roucka, I. S. T. Tsong, C. Ritter, P. A. Crozier, A. V. G. Chizmeshya, and J. Kouvetakis, Appl. Phys. Lett. 82, 2398 (2003).
11. J. Tolle, J. Kouvetakis, D. W. Kim, S. Mahajan, A. Bell, F. A. Ponce, I. S. T. Tsong, M. L. Kottke, and Z. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 3510 (2004).
12. R. Armitage, J. Suda, and T. Kimoto, Phys. Status Solidi C 2, 2191 (2005).
13. R. Armitage, K. Nishizono, J. Suda, and T. Kimoto, J. Cryst. Growth 284, 369 (2005).
14. Y. Yamada-Takamura, Z. T. Wang, Y. Fujikawa, T. Sakurai, Q. K. Xue, J. Tolle, P. L. Liu, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, and I. S. T. Tsong, Phys. Rev. Lett. 95, 266105 (2005).
15. Y. Kawaguchi, J. Ohta, A. Kobayashi, and H. Fujioka, Appl. Phys. Lett. 87, 221907 (2005).
16. J. I. Iwata, K. Shiraishi, and A. Oshiyama, Phys. Status Solidi C 0, 2482 (2003).
17. J. I. Iwata, K. Shiraishi, and A. Oshiyama, Appl. Phys. Lett. 83, 2560 (2003).
18. P. L. Liu, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, and I. S. T. Tsong, Phys. Rev. B 72, 245335 (2005).
19. W. Hayami, R. Souda, T. Aizawa, and T. Tanaka, Surf. Sci. 415, 433 (1998).
20. H. Kawanowa, R. Souda, S. Otani, and Y. Gotoh, Phys. Rev. Lett. 81, 2264 (1998).
21. T. Aizawa, W. Hayami, and S. Otani, Phys. Rev. B 65, 024303 (2002).
22. T. Aizawa, S. Suehara, S. Hishita, S. Otani, and M. Arai, Phys. Rev. B 71, 165405 (2005).
23. S. Otani, M. M. Korsukova, and T. Mitsuhashi, J. Cryst. Growth 194, 430 (1998).
24. C. S. Davis, S. V. Novikov, T. S. Cheng, R. P. Campion, and C. T. Foxon, J. Cryst. Growth 226, 203 (2001).