Characterization of MBE-grown ZnSe thin films by using photocurrent spectroscopy

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 890-893

  Jung, M H ^a   Park, S H ^a   Kim, K H ^a   Kim, H S ^a   Chang, J H ^a   Oh, D C ^b   Yao, T ^b   Song, J S ^c   Ko, H J ^d  

^a Korea Maritime University   (South Korea)

^b TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^c Neosemitech Corporation   (South Korea)

^d Korea Photonics Technology Institute (KOPTI)   (South Korea)

Author keywords

Deep level; MBE; Photocurrent; Photoluminescence; ZnSe

Indexed keywords

EID: 33749863705     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (26)

1. H. Babucke, P. Thiele, T. Prasse, V. Egorov, M. Rabe and F. Henneberger, J. Cryst. Growth 159, 898 (1996).
2. T. Yao, Jpn. J. Appl. Phys. 25, L544 (1986).
3. S. H. Park, J. H. Chang, J. Y. Lee, H. S. Kim, M. Yang, H. S. Ahn, S. N. Yi, D. C. Oh, B. H. Koo and T. Yao, J. Korean Phys. Soc. 45, 767 (2004).
4. R. Nicolini, L. Vanzetti, G. Mula, G. Bratina, L. Sorba and A. Franciosi, Phys. Rev. Lett. 72, 2 (1994).
5. D. Wolfframm, D. A. Evans, D. I. Westwood and J. Riley, J. Cryst. Growth 216, 119 (2000).
6. L. J. Brillson, X. Yang, A. D. Raisanen, A. Franciosi, L. Vanzetti and L. Sorba, Appl. Surface Science 123-124, 289 (1998).
7. S. S. choi and I. H. Bae, J. Korean Phys. Soc. 46, 913 (2005).
8. H. Y. Fan, Phys. Rev. 82, 900 (1951).
9. C. H. Su, S. Feth, D. Hirschdeld, T. M. Smith, L. J. Wang, M. P. Volz and S. L. Lehoczky, J. Cryst. Growth 204, 41 (1999).
10. C. H. Su, S. Feth, L. J. Wang and S. L. Lehoczky, J. Cryst. Growth 224, 32 (2001).
11. K. Yoshino, H. Mikami, K. Imai, M. Yoneta and T. Ikari, Physica B 302-303, 299 (2001).
12. G. Neu, M. Teisseire, P. Lemasson, H. Lahreche, N. Grandjean, F. Semond, B. Beaumont, I. Grzegory, S. Porowski and R. Triboulet, Physica B 302-303, 39 (2001).
13. M. Yamaguchi, A. Yamamoto and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 5237 (1977).
14. T. Yao, M. Ogura, S. Matsuoka and T. Morishita, Jpn. J. Appl. Phys. 22, L144 (1983).
15. K. Wolf, S. Jilka, H. Sahin, H. Stanzl, T. Reisinger, A. Naumov and W. Gebhardt, J. Cryst. Growth 152, 34 (1995).
16. J. C. Kim, H. Rho, L. M. Smith, H. E. Jackson, S. Lee, M. Dobrowolska and J. K. Furdyna, Appl. Phys. Lett. 75, 214 (1999).
17. G. E. Hite, D. T. F. Marple, M. Aven and B. Segall, Phys. Rev. 156, 850 (1967).
18. Y. P. Varshni, Physica 34, 149 (1967).
19. W. T. Kim, S. J. Baik, S. A. Park, C. I. Lee and M. S. Jin, J. Korean Phys. Soc. 45, 1619 (2004).
20. L. Malikova, W. Krysteck F. H. Pollak, N. Dai, A. Cavus and M. C. Tamargo, Phys. Rev. B 54, 1819 (1996).
21. D. S. Chemla, S. Schmitt-Rink and D. A. B. Miler, Optical Nonlinearity and Instabilities in Semiconductors (Academic Press, Boston, 1988).
22. S. Ten, F. Henneberger, M. Rab and N. Peyghambarian, Phys. Rev. B 53, 12637 (1996).
23. D. Seghier and H. P. Gislason, Appl. Phys. Lett. 71, 2295 (1997).
24. S. S. Choi and I. H. Bae, Sae Mulli 47, 3, 187 (2003).
25. A. D. Raisanen, D. Brillson, L. Vanzetti, A. Bonanni and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 66, 3301 (1995).
26. J. S. Song, S. H. Seo, M. H. Oh, J. H. Chang, M. W. Cho and T. Yao, J. Cryst. Growth 261, 159 (2004).