Electro-physical properties of a Si-based MIS structure with a low-k SiOC(-H) film

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 1293-1299

  Zakirov, Anvar Sagatovich ^a   Navamathavan, Rangaswamy ^a   Kim, Seung Hyun ^a   Jang, Yong Jun ^a   Jung, An Soo ^a   Choi, Chi Kyu ^a  

^a Jeju National University   (South Korea)

Author keywords

C V characteristics; Metal insulator semiconductor (MIS); SiOC ( H) thin film; Surface state conditions

Indexed keywords

EID: 33749850703     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (15)

1. A. Grill, Diamond Relat. Mater. 10, 4 (2001).
2. K. Maex, M. R. Baklanov, D. Shamiryan, F. Iacopi, S. H. Brongersma and Z. S. Yanovitskaya J. Appl. Phys. 93, 8793 (2003).
3. S. S. Han, H. R. Kim and B. S. Bae, J. Electrochem. Soc. 146, 3383 (1999).
4. K. S. Oh, S. Y. Jing, C. K. Choi, K. M. Lee and H. J. Lee, J. Korean Phys. Soc. 39, 291 (2001).
5. S. W. Lim, Y. Shimogaki, Y. Nakano, K. Tada and H. Komiyama, J. Electrochem. Soc. 146, 4196 (1999).
6. J. Y. Kim, M. S. Hwang, Y. H. Kim, H. J. Kim and Y. Lee, J. Appl. Phys. 90, 2473 (2001).
7. C. S. Yang, K. S. Oh, J. Y. Ryu, D. C. Kim, J. S. Yong, C. K. Choi, H. J. Lee, S. H. Um and H. Y. Chang, Thin Solid Films 390, 114 (2001).
8. M. R. Wang, Rusli, M. B. Yu, C. Y. Li and K. Rakesh, Thin Solid Films 462-463, 219 (2004).
9. Y. H. Kim, H. J. Kim, J. Y. Kim and Y. Lee, J. Korean Phys. Soc. 40, 94 (2002).
10. C. S. Yang and C. K. Choi, J. Korean Phys. Soc. 45, 642 (2004).
11. K. S. Oh and C. K. Choi, J. Korean Phys. Soc. 45, 855 (2004).
12. C. S. Yang, Y. H. Yu, K. M. Lee, H. J. Lee and C. K. Choi, Thin Solid Films 435, 165 (2003).
13. J. P. Donnelle and A. G. Milnes, IEEE Trans. Electron. Dev. ED-14, 63 (1967).
14. S. M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (John Willey & Sons, New York, 1981), Chap. 7.
15. A. G. Zhdan, N. F. Kuharskaya and G. V. Chucheva, Semiconductors 37, 686 (2003).