Structural and optical characterization of Ge nanocrystals showing large nonvolatile memories in metal-oxide-semiconductor structures

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 49, Issue 3, 2006, Pages 959-962

  Kim, Sung ^a   Choi, Suk Ho ^a   Park, C J ^b   Cho, K H ^c   Cho, H Y ^c   Elliman, R G ^d  

^a Kyung Hee University   (South Korea)

^b SAMSUNG Electronics   (South Korea)

^c Dongguk University   (South Korea)

^d AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

Author keywords

Capacitance voltage hysteresis; Ge nanocrystals; High resolution X ray diffraction; Implantation; Nonvolatile memory; Photoluminescence

Indexed keywords

EID: 33749817447     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (18)

1. S. Tiwari, F. Rana, H. Hanafi, A. Hartstein, E. F. Cabbe and K. Chan, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).
2. S. Kim, C. J. Park, H. Y. Cho, S.-H. Choi and R. G. Elliman, J. Korean Phys. Soc. 45, 501 (2004);
3. S. H. Hong, S. Kim, S.-H. Choi, K. J. Kim, D. W. Moon, T. D. Kang and H. Lee, J. Korean Phys. Soc. ibid. 45, 116 (2004).
4. W. K. Choi, W. K. Chim, C. L. Heng, L. W. Teo, Vincent Ho, V. Ng, D. A. Antoniadis and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 80, 2014 (2002).
5. S. Kim, H.-S. Hwang, S.-H. Choi and K. J. Kim, J. Korean Phys. Soc. 48, 108 (2006).
6. M. Kanoun, A. Souifi, T. Baron and F. Mazen, Appl. Phys. Lett. 84, 5079 (2004).
7. Y. Maeda, Phys. Rev. B 51, 1658 (1995).
8. E. S. Marstein, A. E. Gunns, A. Olsen, T. G. Finstad, R. Turan and U. Serincan, J. Appl. Phys. 96, 4308 (2004).
9. J. Von Borany, R. Grotzschel, K. H. Heinig, A. Markwiz, W. Matz, B. Schmidt and W. Skorupa, Appl. Phys. Lett. 71, 3215 (1997).
10. A. V. Kolobov, Y. Maeda and K. Tanaka, J. Appl. Phys. 88, 3285 (2000).
11. T. Gao, X. M. Bao, F. Yan and S. Tong, Phys. Lett A 232, 321 (1997).
12. C. J. Park, K. H. Cho, W.-C. Yang, H. Y. Cho, S.-H. Choi, R. G. Elliman, J. H. Han and C. Kim, Appl. Phys. Lett. 88, 071916 (2006).
13. C. J. Park, H. Y. Cho, S. Kim, S.-H. Choi, R. G. Elliman, J. H. Han, C. Kim, H. N. Hwang and C. C. Hwang, J. Appl. Phys. 99, 036101 (2006).
14. J. P. Biersack and L. G. Haggmark, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 174, 257 (1980).
15. L. W. Teo, W. K. Choi, W. K. Chim, V. Ho, C. M. Moey, M. S. Tay, C. L. Heng, Y. Lei, D. A. Antoniadis and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 81, 2639 (2003).
16. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, 1981), Chap. 7.
17. M. C. Ridgway, G. De M. Azevedo, C. J. Glover, R. G. Elliman, D. J. Llewellyn, A. Cheung, B. Johannessen, D. A. Brett and G. J. Foran, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 218, 421 (2004).
18. A. S. Zyubin, A. M. Mebel and S. H. Lin, J. Chem. Phys. 123, 044701 (2005).