Effect of nitridation on the growth of GaN on ZrB2(0001)/Si(111) by molecular-beam epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 3, 2006, Pages

  Wang, Zhi Tao ^a,b   Yamada Takamura, Y ^a   Fujikawa, Y ^a   Sakurai, T ^a   Xue, Q K ^b   Tolle, J ^c   Kouvetakis, J ^c   Tsong, I S T ^c  

^a TOHOKU UNIVERSITY   (Japan)

^b INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

^c ARIZONA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; EPITAXIAL GROWTH; IN SITU PROCESSING; MOLECULAR BEAM EPITAXY; THERMAL EFFECTS; THIN FILMS; ZIRCONIUM COMPOUNDS;

ACTIVE NITROGEN; ANNEALING TEMPERATURE; EX SITU; NITRIDATION;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 33747335896     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2218763     Document Type: Article

References (18)

1. H. Kinoshita, S. Otani, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Suda, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L1280 (2001);
2. H. Kinoshita, S. Otani, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Suda, and H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 42, 2260 (2003).
3. J. Suda and H. Matsunami, J. Cryst. Growth 237, 1114 (2002);
4. S. Kamiyama, S. Takanami, Y. Tomida, K. Iida, T. Kawashima, S. Fukui, M. Iwaya, H. Kinoshita, T. Matsuda, T. Yasuda, S. Otani, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Status Solidi A 200, 67 (2003).
5. J. Tolle, R. Roucka, C. Ritter, P. A. Crozier, A. V. G. Chizmeshya, I. S. T. Tsong, and J. Kouvetakis, Appl. Phys. Lett. 82, 2398 (2003).
6. R. A. Trivedi, J. Tolle, A. V. G. Chizmeshya, R. Roucka, C. Ritter, J. Kouvetakis, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 87, 072107 (2005).
7. J. Tolle, J. Kouvetakis, D.-W. Kim, S. Mahajan, A. Bell, F. A. Ponce, I. S. T. Tsong, M. L. Kottke, and Z. D. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 3510 (2004).
8. Y. Yamada-Takamura, Z. T. Wang, Y. Fujikawa, T. Sakurai, Q. K. Xue, J. Tolle, P.-L. Liu, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, and I. S. T. Tsong, Phys. Rev. Lett. 95, 266105 (2005).
9. Y. Tomida, S. Nitta, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, S. Otani, H. Kinoshita, R. Liu, A. Bell, and F. A. Ponce, Appl. Surf. Sci. 216, 502 (2003).
10. R. Singh, M. Trenary, and Y. Paderno, Surf. Sci. Spectra 7, 310 (2000).
11. Z. T. Wang, Y. Yamada-Takamura, Y. Fujikawa, T. Sakurai, and Q. K. Xue, Appl. Phys. Lett. 87, 032110 (2005).
12. H. Okumura, K. Balakrishnan, H. Hamaguchi, T. Koizumi, S. Chichibu, H. Nakanishi, T. Nagatomo, and S. Yoshida, J. Cryst. Growth 189, 364 (1998).
13. R. Armitage, K. Nishizono, J. Suda, and T. Kimoto, J. Cryst. Growth 284, 369 (2005).
14. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997).
15. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 66, 8947 (1998).
16. P.-L. Liu, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, and I. S. T. Tsong, Phys. Rev. B 72, 245335 (2005).
17. O. H. Nam, M. D. Bremser, T. S. Zheleva, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 71, 2638 (1997).
18. J. T. Torvik, J. I. Pankove, E. Iliopoulos, H. M. Ng, and T. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 72, 244 (1998).