Ferroelectric properties of PbxSr1-xTiO3 and its compositionally graded thin films grown on the highly oriented LaNiO3 buffered Pt/Ti/SiO2/Si substrates

Journal of Applied Physics

Volumn 100, Issue 3, 2006, Pages

  Zhai, Jiwei ^a   Yao, Xi ^a   Xu, Zhengkui ^b   Chen, Haydn ^b  

^a TONGJI UNIVERSITY   (China)

^b CITY UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEPOSITION; DIELECTRIC PROPERTIES; FERROELECTRICITY; FILM GROWTH; GELS; PEROVSKITE; PHASE TRANSITIONS; THIN FILMS;

FERROELECTRIC PROPERTIES; PBXSR1- XTIO3 (PST); SOL-GEL DEPOSITION METHOD; TUNABILITY;

SEMICONDUCTING LEAD COMPOUNDS;

EID: 33747335140     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2234554     Document Type: Article

References (30)

1. Y. Somiya, A. S. Bhalla, and L. E. Cross, Int. J. Inorg. Mater. 3, 709 (2001).
2. S. Subrahmanyam and E. Goo, Acta Mater. 46, 817 (1998).
3. Y. Poplavko and N. I. Cho, Semicond. Sci. Technol. 14, 961 (1999).
4. T. Fujii and M. Adachi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 44, 692 (2005).
5. M. Jain, N. K. Karan, R. S. Katiyar, A. S. Bhalla, F. A. Miranda, and F. W. Van Keuls, Appl. Phys. Lett. 85, 275 (2004).
6. Y. Lin, X. Chen, S. W. Liu, C. L. Chen, J. S. Lee, Y. Li, Q. X. Jia, and A. S. Bhalla, Appl. Phys. Lett. 84, 577 (2004).
7. S. W. Liu et al., Appl. Phys. Lett. 85, 3202 (2004).
8. F. M. Pontes, S. H. Leal, E. R. Leite, E. Longo, P. S. Pizani, A. J. Chiquito, and J. A. Varela, J. Appl. Phys. 96, 1192 (2004).
9. V. M. Naik, J. Mantese, N. W. Schubring, A. L. Micheli, and G. W. Auner, J. Appl. Phys. 93, 1731 (2003).
10. C. Wang, B. L. Cheng, S. Y. Wang, H. B. Lu, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. 84, 765 (2004).
11. J. Zhai and H. Chen, Appl. Phys. Lett. 84, 1162 (2004).
12. D. Bao, N. Mizutani, X. Yao, and L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 77, 1041 (2000).
13. S. Y. Kuo, C. T. Li, and W. F. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 81, 3019 (2002).
14. V. V. Lemanov, E. P. Smirnova, and E. A. Tarakanov, Phys. Solid State 39, 628 (1997).
15. F. M. Pontes et al., Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 80, 875 (2005).
16. M. Jain, S. B. Majumder, R. Guo, A. S. Bhalla, and R. S. Katiyar, Mater. Lett. 56, 692 (2002).
17. D. H. Kang, J. H. Kim, J. H. Park, and K. H. Yoon, Mater. Res. Bull. 36, 265 (2001).
18. M. C. Gust, L. A. Momoda, N. D. Evans, and M. L. Mecartney, J. Am. Ceram. Soc. 84, 1087 (2001).
19. B. Qu, W. Zhang, and P. L. Zhang, Phys. Rev. B 52, 766 (1994).
20. C. B. Parker, J. P. Maria, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 81, 340 (2002).
21. G. A. Rossetti, L. E. Cross, and K. Kushida, Appl. Phys. Lett. 59, 2524 (1991).
22. T. Yamamoto and H. Matsuoka, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 5317 (1994).
23. K. T. Kim and C. I. Kim, Thin Solid Films 420-421, 544 (2002).
24. J. Zhai, X. Yao, X. Cheng, L. Zhang, and H. Chen, Mater. Sci. Eng., B 94, 164 (2002).
25. J. Zhai and H. Chen, Appl. Phys. Lett. 82, 2673 (2003).
26. F. M. Pontes, S. H. Leal, E. R. Leite, E. Longo, P. S. Pizani, A. J. Chiquito, M. A. C. Machado, and J. A. Varela, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 80, 813 (2005).
27. S. Maruno, T. Kuroiwa, N. Mikami, and K. Sato, Appl. Phys. Lett. 73, 954 (1998).
28. S. Bhaskar, S. B. Majumder, P. S. Dobal, R. S. Katiyar, and S. B. Krupanidhi, J. Appl. Phys. 89, 5637 (2001).
29. C. H. Lin, P. A. Friddle, C. H. Ma, A. Daga, and H. Chen, J. Appl. Phys. 90, 1509 (2001).
30. Z.-G. Ban and S. P. Alpay, J. Appl. Phys. 93, 504 (2003).