Improved dielectric properties and tunability of multilayered thin films of (Ba0.80Sr0.20) (Ti1-xZrx)O 3 with compositionally graded layer

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 5, 2004, Pages 765-767

  Wang, Can ^a   Cheng, B L ^a   Wang, S Y ^a   Lu, H B ^a   Zhou, Y L ^a   Chen, Z H ^a   Yang, G Z ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARIUM COMPOUNDS; CRYSTAL STRUCTURE; DIELECTRIC LOSSES; DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC FIELDS; FERROELECTRICITY; HYSTERESIS; LEAKAGE CURRENTS; PERMITTIVITY; PHASE SHIFT; POLARIZATION; PULSED LASER DEPOSITION; RADAR; RESIDUAL STRESSES; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

COMPOSITIONALLY GRADED LAYERS (CGL); GIANT PYROELECTRIC COEFFICIENTS;

THIN FILMS;

EID: 1242309279     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1645331     Document Type: Article

References (20)

1. F. W. Van Keuls, R. R. Romanofsky, D. Y. Bohman, M. D. Winters, F. A. Miranda, C. H. Mueller, R. E. Treece, T. V. Rivkin, and D. Galt, Appl. Phys. Lett. 71, 3075 (1997).
2. A. T. Findikoglu, Q. X. Jia, X. D. Wu, G. J. Chen, T. Venkatesan, and D. W. Reagor, Appl. Phys. Lett. 68, 1651 (1996).
3. A. T. Findikoglu, R. Camassa, G. Lythe, and Q. X. Jia, Appl. Phys. Lett. 80, 3391 (2002).
4. O. G. Vendik and S. P. Zubko, J. Appl. Phys. 88, 5343 (2000).
5. S. V. Razumov, A. V. Tumarkin, M. M. Gaidukov, A. G. Gagarin, A. B. Kozyrev, O. G. Vendik, A. V. Ivanov, O. U. Buslov, V. N. Keys, L. C. Sengupta, and X. Zhang, Appl. Phys. Lett. 81, 1675 (2002).
6. M. W. Cole, W. D. Nothwang, C. Hubbard, E. Ngo, and M. Ervin, J. Appl. Phys. 93, 9218 (2003).
7. M. Jain, S. B. Majumder, R. S. Katiyar, F. A. Miranda, and F. W. Van Keuls, Appl. Phys. Lett. 82, 1911 (2003).
8. W. Chang and L. Sengupta, J. Appl. Phys. 92, 3941 (2002).
9. N. W. Schubring, J. V. Mantese, A. L. Micheli, A. B. Catalan, and R. J. Lopez, Phys. Rev. Lett. 68, 1778 (1992).
10. F. Jin, G. W. Auner, R. Nail, N. W. Schubring, J. V. Mantese, A. B. Catalan, and A. L. Micheli, Appl. Phys. Lett. 73, 2838 (1998).
11. D. Bao, X. Yao, and L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 76, 2779 (2000).
12. S. G. Lu, X. H. Zhu, C. L. Mak, K. H. Wong, H. L. W. Chan, and C. L. Choy, Appl. Phys. Lett. 82, 2877 (2003).
13. X. H. Zhu, N. Chong, H. Lai-Wah Chan, C. L. Choy, K. H. Wong, Z. G. Liu, and N. B. Ming, Appl. Phys. Lett. 80, 3376 (2002).
14. S. Saha and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. 79, 111 (2001).
15. T. B. Wu, C. M. Wu, and M. L. Chen, Appl. Phys. Lett. 69, 2659 (1996).
16. S. Y. Wang, B. L. Cheng, C. Wang, H. B. Lu, Y. L. Zhou, Z. H. Chen, and G. Z. Yang, J. Cryst. Growth 259, 137 (2003).
17. K. M. Johnson, J. Appl. Phys. 33, 2826 (1961).
18. J. V. Mantese, N. W. Schubring, A. L. Micheli, A. B. Catalan, M. S. Mohammed, R. Naik, and G. W. Auner, Appl. Phys. Lett. 71, 2047 (1997).
19. L. Kim, D. Jung, J. Kim, Y. S. Kim, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2118 (2003).
20. W. J. Kim, H. D. Wu, W. Chang, S. B. Qadri, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, D. B. Chrisey, and J. S. Horwitz, J. Appl. Phys. 88, 5448 (2002).