Stress and density of defects in Si-doped GaN

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 203, Issue 8, 2006, Pages 1954-1961

  Chine, Z ^a   Rebey, A ^a   Touati, H ^a   Goovaerts, E ^b   Oueslati, M ^c   El Jani, B ^a   Laugt, S ^d  

^a FACULTÉ DES SCIENCES DE MONASTIR   (Tunisia)

^b UNIVERSITY OF ANTWERP   (Belgium)

^c FACULTÉ DES SCIENCES DE TUNIS   (Tunisia)

^d CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND GAP NARROWING (BGN) EFFECT; DISLOCATION DENSITY; RAMAN MODE FREQUENCY; X-RAY ROCKING CURVES;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CARRIER CONCENTRATION; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; RAMAN SCATTERING; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING FILMS; SEMICONDUCTOR DOPING; SILICON; SPECTRUM ANALYSIS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 33745801799     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200521107     Document Type: Article

References (25)

1. S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 34, L1335 (1995).
2. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, Y. Sugimota, and H. Kiyoku, Appl. Phys. Lett. 69, 4056 (1996).
3. E. Iliopoulos, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 73, 375 (1998).
4. M. Yoshikawa, M. Kunzer, J. Wagner, H. Obloh, P. Schlotter, R. Schmidt, N. Herres, and U. Kaufmann, J. Appl. Phys. 86, 4400 (1999).
5. X. Zhang, S. J. Chua, W. Liu, and K. B. Chong, Appl. Phys. Lett. 72, 1890 (1998).
6. I. H. Lee, I. H. Choi, C. R. Lee, E. J. Shin, D. Kim, S. K. Noh, S. J. Son, K. Y. Lim, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5787 (1998).
7. S. Ruvimov, Z. Liliental-Weber, T. Suski, J. W. Ager III, J. Washburn, J. Krueger, C. Kisielowski, E. R. Weber, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 69, 990 (1996).
8. L. T. Romano, C. G. Van de Walle, J. W. Ager III, W. Götz, and R. S. Kern, J. Appl. Phys. 87, 7745 (2000).
9. A. Dadgar, F. Schulze, T. Zettler, K. Haberland, R. Clos, G. Straßburger, J. Bläsing, A. Diez, and A. Krost, J. Cryst. Growth 272, 72 (2004).
10. D. M. Szmyd, P. Porro, and A. Majerfeld, J. Appl. Phys. 68, 2367 (1990).
11. E. O. Kane, Phys. Rev. 131, 79 (1963).
12. H. C. Casey and F. Stern, J. Appl. Phys. 47, 631 (1976).
13. L. Beji, Z. Chine, B. El Jani, and M. Oueslati, phys. stat. sol. (a) 168, 453 (1998).
14. S. C. Jain, J. M. McGregor, and D. J. Roulston, J. Appl. Phys. 68, 3747 (1990).
15. A. Cremades, L. Görgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, and F. Scholz, Phys. Rev. B 61, 2812 (2000).
16. V. S. Harutyunyan, A. P. Aivazyan, E. R. Weber, Y. Kim, Y. Park, and S. G. Subramanya, J. Phys. D, Appl. Phys. 34, A35-A39 (2001).
17. A. Polian, M. Grimsditcv, and I. G. Grzegory, J. Appl. Phys. 79, 3343 (1996).
18. T. Kozawa, T. Kachi, H. Kano, H. Nagase, N. Koide, and K. Manabe, J. Appl. Phys. 77, 4389 (1995).
19. C. Kisielowski, J. Krüger, S. Ruvimov, T. Suski, J. W. Ager III, E. Jones, Z. Lilienthal-Weber, M. Rubin, E. R. Weber, M. D. Bremser, and R. F. Davis, Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
20. S. Hearne, E. Chason, J. Han, J. A. Floro, J. Figiel, J. Hunter, H. Amano, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 74, 356 (1999).
21. T. Böttcher, S. Einfeldt, S. Figge, R. Chierchia, H. Heinke, D. Hommel, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 78, 1976 (2001).
22. P. Gay, P. B. Hirsch, and A. Kelly, Acta Metall. 1, 315 (1953).
23. M. J. Kordon and B. L. Averbach, Acta Metall. 9, 237 (1961).
24. J. E. Ayers, J. Cryst. Growth 135, 71 (1994).
25. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).