Ga-triggered oxide desorption from GaAs(100) and non-(100) substrates

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 25, 2006, Pages

  Lee, J H ^a   Wang, Zh M ^a   Salamo, G J ^a  

^a UNIVERSITY OF ARKANSAS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AS FLUX; GA-TRIGGERED OXIDE DESORPTION; INDEXED SUBSTRATES;

DESORPTION; SUBSTRATES; SURFACE ROUGHNESS; THERMAL EFFECTS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 33745459477     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2214154     Document Type: Article

References (21)

1. A. J. SpringThorpe, S. J. Ingrey, B. Emmerstorfer, P. Mandeville, and W. T. Moore, Appl. Phys. Lett. 50, 77 (1987).
2. T. Van Buuren, M. K. Weimeier, I. Athwal, K. M. Colbow, J. A. Mackenzie, T. Tiedje, P. C. Wong, and K. A. R. Milchell, Appl. Phys. Letl. 59, 464 (1991).
3. G. W. Smith, A. J. Pidduck, C. R. Whitehouse, J. L. Glasper, A. M. Keir, and C. Pickering, Appl. Phys. Lett. 59, 3282 (1991).
4. A. Guillen-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, M. Lopez-Lopez, E. Lopez-Luna, and I. Hernandez-Calderon, Thin Solid Films 373, 159 (2000).
5. M. D. Johnson, C. Orme, A. W. Hunt, D. Graff, J. Sudijono, L. M. Sander, and B. G. Orr, Phys. Rev. Lett. 72, 116 (1994).
6. A. Ballestad, B. J. Ruck, M. Adamcyk, T. Pinnington, and T. Tiedje, Phys. Rev. Lett. 86, 2377 (2001).
7. Kurt G. Eyink and Larry Grazulis, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 554 (2005).
8. A. Khatire, J. M. Ripalda, T. J. Krzyzewski, G. R. Bell, C. F. McConville, and T. S. Jones, Surf. Sci. 548, L1 (2004).
9. Y. Asaoka, J. Cryst. Growth 251, 40 (2003).
10. Z. R. Wasilewski, J.-M. Baribeau, M. Beaulieu, X. Wu, and G. I. Sproule, J. Vac. Sci. Teehnol. B 22, 1534 (2004).
11. Z. M. Wang, V. R. Yazdanpanah, J. L. Shultz, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 81, 2965 (2002).
12. S. S. Li and J. B. Xia, Phys. Rev. B 50, 8602 (1994).
13. W. Jiang, H. Xu, B. Xu, W. Zhou, Q. Gong, D. Ding, J. Liang, and Z. Wang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 197 (2001).
14. Zh. M. Wang, Y. I. Mazur, Sh. Seydmohamadi, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 87, 213105 (2005).
15. P. P. Gonalez-Borrero, E. Marega, Jr., D. I. Lubyshev, E. Petitprez, and P. Basmaji, J. Cryst. Growth 175/176, 765 (1997).
16. D. Litvinov, A. Rosenauer, D. Gerthsen, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, G. A. Ljubas, V. V. Bolotov, V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, and T. P. Soshnikov, Appl. Phys. Lett. 81, 1080 (2002).
17. A. Patane, R. J. A. Hill, L. Eaves, P. C. Main, M. Henini, M. L. Zambrano, A. Levin, N. Mori, C. Hamaguchi, Y. V. Dubrovskii, E. E. Vdovin, D. G. Austing, S. Tarucha, and G. Hill, Phys. Rev. B 65, 165308 (2002).
18. H. Z. Song, K. Akahane, S. Lan, H. Z. Xu, Y. Okada, and M. Kawabe, Phys. Rev. B 64, 085303 (2001).
19. A. Khatiri, T. J. Krzyzewski, C. F. McConville, and T. S. Jones, J. Cryst. Growth 282, 1 (2005).
20. K. Watanabe, N. Koguchi, and Y. Gotoh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L79 (2000).
21. L. Daweritz and R. Hey, Surf. Sci. 236, 15 (1990).