A vertical-structured Ni/GaN Schottky barrier diode using electroplating nickel substrate

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 45, Issue 20-23, 2006, Pages

  Wang, Shui Jinn ^a   Chen, Tron Min ^a   Uang, Kai Ming ^a   Chen, Shiue Lung ^a   Hsiao, Tung Sheng ^a   Chang, Shu Cheng ^a   Kuo, Hon Yi ^a   Liou, Bor Wen ^b  

^a NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b WUFENG INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

Electroplating metal substrate; KOH etching; Laser lift off (LLO); Schottky barrier diodes (SBDs); Specific contact resistance (SCR); Surface roughness

Indexed keywords

ANNEALING; ELECTROPLATING; ETCHING; GALLIUM NITRIDE; MULTILAYERS; SURFACE ROUGHNESS;

ELECTROPLATING METAL SUBSTRATE; KOH ETCHING; LASER LIFT-OFF (LLO); SPECIFIC CONTACT RESISTANCE (SCR);

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 33745324768     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.45.L555     Document Type: Article

References (21)

1. B. W. Liou, C. L. Lee and T. F. Lei: Electron. Lett. 31 (1995) 1950.
2. B. W. Liou and C. L. Lee: Solid-State Electron. 44 (2000) 631.
3. S. C. Chang, S. J. Wang, K. M. Uang and B. W. Liou: Solid-State Electron. 49 (2005) 437.
4. B. W. Liou, T. M. Chen, C. W. Chen, K. M. Uang and S. J. Wang: Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L1244.
5. B. J. Baliga: Solid-State Electron. 28 (1985) 1089.
6. P. G. Neudeck, R. S. Okojie and L. Y. Chen: Proc. IEEE 90 (2002) 1065.
7. J. W. Graff, E. F. Schubert and A. Osinsky: Electron. Lett. 37 (2001) 4.
8. W. C. Peng and Y. C. S. Wu: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1841.
9. U. Zehnder, A. Weimar, U. Strauss, M. Fehrer, B. Hahn, H. J. Lugauer and V. Härle: J. Cryst. Growth 230 (2001) 497.
10. X. A. Cao and S. D. Arthur: Appl. Phys. Lett. 85 (2005) 3971.
11. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, S. R. Darvish, P. Kung, M. Razeghi and R. J. Molnar: Opto-Eelcton. Rev. 10 (2002) 287.
12. G. T. Dang, A. P. Zhang and F. Ren: IEEE Trans. Electron Devices 47 (2000).
13. G. K. Reeve: Solid-State Electron. 23 (1980) 487.
14. Y. Gao, T. Fuji, R. Sharma, K. Fujito, S. P. DenBaars, S. Nakamura and E. L. Hu: Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L637.
15. C.-D. Lien, F. C. T. So and M.-A. Nicolet: IEEE Trans. Electron Devices 31 (1984) 1502.
16. K. E. Bohlin: J. Appl. Phys. 60 (1986) 1223.
17. S. Ruvimov: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 990.
18. A. Motayed: J. Appl. Phys. 95 (2004) 7940.
19. A. Motayed, R. Bathe, M. C. Wood, O. S. Diouf, R. D. Vispute and S. N. Mohammad: J. Appl. Phys. 93 (2003) 1087.
20. A. A. Pomarico, D. Huang, J. Dickinson, A. A. Baski, R. Cingolani and H. Morko: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 1890.
21. J. Spradlin, S. Dogan, M. Mikkelson, D. Huang, L. He, D. Johnstone and H. Morkoc: Appl. Phys. Lett. 82 (2003) 3556.