Model of temperature quenching of photoluminescence in disordered semiconductors and comparison to experiment

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 73, Issue 23, 2006, Pages

  Rubel, O ^a   Baranovskii, S D ^a   Hantke, K ^a   Kunert, B ^a   Ruhle W W ^a   Thomas, P ^a   Volz, K ^a   Stolz, W ^a  

^a PHILIPPS UNIVERSITY MARBURG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33744926209     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.73.233201     Document Type: Article

References (21)

1. L. Grenouillet, C. Bru-Chevallier, G. Guillot, P. Gilet, P. Duvaut, C. Vannuffel, A. Million, and A. Chenevas-Paule, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.126308 76, 2241 (2000).
2. A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reinhardt, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1320849 77, 2870 (2000).
3. H. D. Sun, M. Hetterich, M. D. Dawson, A. Y. Egorov, D. Bernklau, and H. Riechert, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1489716 92, 1380 (2002).
4. J. Li, S. Iyer, S. Bharatan, L. Wu, K. Nunna, W. Collis, K. K. Bajaj, and K. Matney, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1931032 98, 013703 (2005).
5. L. C. Pocas, E. M. Lopes, J. L. Duarte, I. F. L. Dias, S. A. Lourenco, E. Laureto, M. Valadares, P. S. S. Guimaraes, L. A. Cury, and J. C. Harmand, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1903101 97, 103518 (2005).
6. M. Ichimiya, T. Hayashi, M. Watanabe, T. Ohata, and A. Ishibashi, Phys. Status Solidi A PSSABA 0031-8965 10.1002/pssa.200306649 199, 347 (2003).
7. K. S. Ramaiah, Y. K. Su, S. J. Chang, B. Kerr, H. P. Liu, and I. G. Chen, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1728302 84, 3307 (2004).
8. J.-H. Chen, Z.-C. Feng, H.-L. Tsai, J.-R. Yang, P. Li, C. Wetzel, T. Detchprohm, and J. Nelson, Thin Solid Films THSFAP 0040-6090 498, 123 (2006).
9. G. Bacher, H. Schweizer, J. Kovac, A. Forchel, H. Nickel, W. Schlapp, and R. Lösch, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.43.9312 43, 9312 (1991).
10. I. A. Buyanova, M. Izadifard, W. M. Chen, A. Polimeni, M. Capizzi, H. P. Xin, and C. W. Tu, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1578513 82, 3662 (2003).
11. I. A. Buyanova, W. M. Chen, and C. W. Tu, Solid-State Electron. SSELA5 0038-1101 10.1016/S0038-1101(02)00390-8 47, 467 (2003).
12. R. J. Potter and N. Balkan, J. Phys.: Condens. Matter JCOMEL 0953-8984 10.1088/0953-8984/16/31/026 16, S3387 (2004).
13. R. A. Street, Hydrogenated Amorphous Silicon (Cambridge University Press, Cambridge, England, 1991).
14. C. M. Gee and M. Kastner, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.42.1765 42, 1765 (1979).
15. S. D. Baranovskii and V. G. Karpov, Sov. Phys. Semicond. SPSEAX 0038-5700 18, 828 (1984).
16. T. K. Ng, S. F. Yoon, S. Z. Wang, L. H. Lin, Y. Ochiai, and T. Matsusue, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1601297 94, 3110 (2003).
17. H. Grüning, K. Kohary, S. D. Baranovskii, O. Rubel, P. J. Klar, A. Ramakrishnan, G. Ebbinghaus, P. Thomas, W. Heimbrodt, W. Stolz, Phys. Status Solidi C ZZZZZZ 1610-1634 1, 109 (2004).
18. O. Rubel, M. Galluppi, S. D. Baranovskii, K. Volz, L. Geelhaar, H. Riechert, P. Thomas, and W. Stolz, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.2058192 98, 063518 (2005).
19. A. Miller and E. Abrahams, Phys. Rev. PHRVAO 0031-899X 10.1103/PhysRev.120.745 120, 745 (1960).
20. S. D. Baranovskii, R. Eichmann, and P. Thomas, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.58.13081 58, 13081 (1998).
21. R. A. Mair, J. Y. Lin, H. X. Jiang, E. D. Jones, A. A. Allerman, and S. R. Kurtz, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.125698 76, 188 (2000).