Rapid growth and flow-mediated nucleation of millimeter-scale aligned carbon nanotube structures from a thin-film catalyst

Journal of Physical Chemistry B

Volumn 110, Issue 16, 2006, Pages 8250-8257

  Hart, Anastasios John ^a   Slocum, Alexander H ^a  

^a Massachusetts Institute of Technology Cambridge   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; CRYSTAL STRUCTURE; EVAPORATION; FILM GROWTH; MICROSTRUCTURE; NUCLEATION; THIN FILMS;

CARBON NANOTUBE STRUCTURES; ELECTRON BEAM EVAPORATION; PRETREATMENT;

CARBON NANOTUBES;

EID: 33646423014     PISSN: 15206106     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp055498b     Document Type: Article

References (55)

1. Huang, S. M.; Cai, X. Y.; Liu, J. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 5636-5637.
2. Zheng, L. Nat. Mater. 2004, 3, 673-676.
3. Terrones, M.; Grobert, N.; Olivares, J.; Zhang, J. P.; Terrones, H.; Kordatos, K.; Hsu, W. K.;Hare, J. P.; Townsend, P. D.; Prassides, K.; Cheetham, A. K.; Kroto, H. W.; Walton, D. R. M. Nature 1997, 388, 52-55.
4. Fan, S. S.; Chapline, M. G.; Franklin, N. R.; Tombler, T. W.; Cassell, A. M.; Dai, H. J. Science 1999, 283, 512-514.
5. Endo, M. CHEMTECH 1988, 18, 568-576.
6. Li, Y. L.; Kinloch, I. A.; Windle, A. H. Science 2004, 304, 276-278.
7. Pan, Z. W.; Xie, S. S.; Chang, B. H.; Wang, C. Y.; Lu, L.; Liu, W.; Zhou, M. Y.; Li, W. Z. Nature 1998, 394, 631-632.
8. Cui, H.; Eres, G.; Howe, J. Y.; Puretkzy, A.; Varela, M.; Geohegan, D. B.; Lowndes, D. H. Chem. Phys. Lett. 2003, 374, 222-228.
9. Delzeit, L.; Nguyen, C. V.; Chen, B.; Stevens, R.; Cassell, A.; Han, J.; Meyyappan, M. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 5629-5635.
10. Rao, C. N. R.; Sen, R.; Satishkumar, B. C.; Govindaraj, A. Chem. Commun. 1998, 1525-1526.
11. Zhang, Z. J.; Wei, B. Q.; Ramanath, G.; Ajayan, P. M. Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 3764-3766.
12. Singh, C.; Shaffer, M. S. P.; Koziol, K. K. K.; Kinloch, I. A.; Windle, A. H. Chem. Phys. Lett. 2003, 372, 860-865.
13. Lee, C. J.; Lyu, S. C.; Kim, H. W.; Park, C. Y.; Yang, C. W. Chem. Phys. Lett. 2002, 359, 109-114.
14. Deck, C.; Vecchio, K. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 12353-12357.
15. Eres, G.; Puretzky, A. A.; Geohegan, D. B.; Cui, H. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1759-1761.
16. Eres, G.; Kinkhabwala, A. A.; Cui, H.; Geohegan, D. B.; Puretkzy, A. A.; Lowndes, D. H. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 16684-16694.
17. Hata, K.; Futaba, D. N.; Mizuno, K.; Namai, T.; Yumura, M.; Iijima, S. Science 2004, 306, 1362-1364.
18. Zhong, G.; Iwasaki, T.; Honda, K.; Ohdomari, I.; Kawarada, H. Chem. Vap. Deposition 2005, 11, 127-130.
19. Hiramatsu, M.; Nagao, H.; Taniguchi, M.; Amano, H.; Ando, Y.; Hori, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L693-L695.
20. Futaba, D.; Hata, K.; Yamada, T.; Mizuno, K.; Yumura, M.; Iijima, S. Phys. Rev. Lett. 2005, 95.
21. Hart, A. J.; Slocum, A. H.; Royer, L. Carbon 2006, 44, 348-359.
22. Chu, W. K.; Mayer, J. W.; Nicolet, M. A. Backscattering spectrometry; Academic Press: New York, 1978.
23. de los Arcos, T.; Garnier, M. G.; Oelhafen, P.; Mathys, D.; Seo, J. W.; Domingo, C.;Garci-Ramos, J. V.; Sanchez-Cortes, S. Carbon 2004, 42, 187-190.
24. Ward, J. W.; Wei, B. Q.; Ajayan, P. M. Chem. Phys. Lett. 2003, 376, 717-725.
25. Kayastha, V. K.; Yap, Y. K.; Pan, Z.; Ivanov, I. N.; Puretzky, A. A.; Geohegan, D. B. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 253105.
26. Lee, C. J.; Park, J. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 2365-2368.
27. Lee, Y. T.; Park, J.; Choi, Y. S.; Ryu, H.; Lee, H. J. J. Phys. Chem. B 2002, 106, 7614-7618.
28. Dresselhaus, M. S.; Dresselhaus, G.; Avouris, P. Carbon nanotubes: synthesis, structure, properties, and applications; Springer: New York, 2001; Vol. 80.
29. Shimada, T.; Sugai, T.; Fantini, C.; Souza, M.; Cancado, L. G.; Jorio, A.; Pimenta, M. A.; Salto, R.; Gruneis, A.; Dresselhaus, G.; Dresselhaus, M. S.; Ohno, Y.; Mizutani, T.; Shinohara, H. Carbon 2005, 43, 1049-1054.
30. Bandow, S.; Asaka, S.; Saito, Y.; Rao, A. M.; Grigorian, L.; Richter, E.; Eklund, P. C. Phys. Rev. Lett. 1998, 80, 3779-3782.
31. Jorio, A.; Pimenta, M. A.; Souza, A. G.; Saito, R.; Dresselhaus, G.; Dresselhaus, M. S. New J. Phys. 2003, 5, 139.1-139.17.
32. Puretzky, A. A.; Geohegan, D. B.; Jesse, S.; Ivanov, I. N.; Eres, G. Appl. Phys. A 2005, 81, 223-240.
33. Kim, K. E.; Kim, K. J.; Jung, W. S.; Bae, S. Y.; Park, J.; Choi, J.; Choo, J. Chem. Phys. Lett. 2005, 401, 459-464.
34. Dillon, A.; Parilla, P.; Alleman, J.; Gennett, T.; Jones, K.; Heben, M. Chem. Phys. Lett. 2005, 401, 522-528.
35. Hedlund, C.; Blom, H. O.; Berg, S. J. Vacuum Sci. Technol., A 1994, 12, 1962-1965.
36. Karttunen, J.; Kiihamaki, J.; Franssila, S. Loading effects in deep silicon etching. In Micromachining and Microfabrication Process Technology VI; SPIE: Bellingham, WA, 2000; Vol. 4174.
37. Franklin, N. R.; Dai, H. J. Adv. Mater. 2000, 12, 890-894.
38. Endo, M.; Muramatsu, H.; Hayashi, T.; Kim, Y. A.; Terrones, M.; Dresselhaus, M. Nature 2005, 433, 476.
39. Muramatsu, H.; Hayashi, T.; Kim, Y. A.; Endo, M.; Terrones, M.; Dresselhaus, M. S. J. Nanosci. Nanotechnol. 2005, 5, 404-408.
40. Agrawal, S.; Kumar, A.; Frederick, M. J.; Ramanath, G. Small 2005, 1, 823-826.
41. El-Aguizy, T. A.; Jeong, J. H.; Jeon, Y. B.; Li, W. Z.; Ren, Z. F.; Kim, S. G. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5995-5997.
42. Jeong, T.; Heo, J.; Lee, J.; Lee, S.; Kim, W.; Lee, H.; Park, S.; Kim, J. M.; Oh, T.; Park, C.; Yoo, J. B.; Gong, B.; Lee, N.; Yu, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 87.
43. Imholt, T. J.; Dyke, C. A.; Hasslacher, B.; Perez, J. M.; Price, D. W.; Roberts, J. A.;Scott, J. B.; Wadhawan, A.; Ye, Z.; Tour, J. M. Chem. Mater. 2003, 15, 3969-3970.
44. Krasheninnikov, A. V.; Nordlund, K. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res., Sect. B 2004, 216, 355-366.
45. Cao, A.; Veedu, V. P.; Li, X.; Yao, Z.; Ghasemi-Nejhad, M. N.; Ajayan, P. M. Nat. Mater. 2005, 4, 540-545.
46. La Cava, A. I.; Bernardo, C. A.; Trimm, D. L. Carbon 1982, 20, 219-223.
47. Jablonski, G. A.; Geurts, F. W.; Sacco, A.; Biederman, R. R. Carbon 1992, 30, 87-98.
48. Nishimura, K.; Okazaki, N.; Pan, L. J.; Nakayama, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43, L471-L474.
49. Ago, H.; Nakamura, K.; Uehara, N.; Tsuji, M. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 18908-18915.
50. Kong, J.; Sob, H. T.; Cassell, A. M.; Quate, C. F.; Dai, H. J. Nature 1998, 395, 878-881.
51. Vander Wal, R. L.; Ticich, T. M.; Curtis, V. E. Carbon 2001, 39, 2277-2289.
52. de los Arcos, T.; Garnier, M. G.; Seo, J. W.; Oelhafen, P.; Thommen, V.; Mathys, D. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 7728-7734.
53. Dai, H. J.; Kong, J.; Zhou, C. W.; Franklin, N.; Tombler, T.; Cassell, A.; Fan, S. S.;Chapline, M. J. Phys. Chem. B 1999, 103, 11246-11255.
54. Seidel, R.; Duesberg, G. S.; Unger, E.; Graham, A. P.; Liebau, M.; Kreupl, F. J. Phys. Chem. B 2004, 108, 1888-1893.
55. Vasileva, N. A.; Buyanov, R. A.; Klimik, I. N. Kinet. Catal. 1980, 21, 175-179.