Effect of annealing on the depth profile of hole concentration in (Ga,Mn)As

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 71, Issue 20, 2005, Pages

  Limmer, W ^a   Koeder, A ^a   Frank, S ^a   Avrutin, V ^a   Schoch, W ^a   Sauer, R ^a   Zuern, K ^a   Eisenmenger, J ^a   Ziemann, P ^a   Peiner, E ^b   Waag, A ^b  

^a UNIVERSITY OF ULM   (Germany)

^b TECHNICAL UNIVERSITY OF BRAUNSCHWEIG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 33344475291     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.71.205213     Document Type: Article

References (35)

1. H. Ohno, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.281.5379.951 281, 951 (1998).
2. A. Van Esch, L. Van Bockstal, J. De Boeck, G. Verbanck, A. S. van Steenbergen, P. J. Wellmann, B. Grietens, R. Bogaerts, F. Herlach, and G. Borghs, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.56.13103 56, 13103 (1997).
3. F. Matsukura, H. Ohno, A. Shen, and Y. Sugawara, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.57.R2037 57, R2037 (1998).
4. T. Dietl, H. Ohno, and F. Matsukura, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.195205 63, 195205 (2001).
5. K. C. Ku, S. J. Potashnik, R. F. Wang, S. H. Chun, P. Schiffer, N. Samarth, M. J. Seong, A. Mascarenhas, E. Johnston-Halperin, R. C. Myers, A. C. Gossard, and D. D. Awschalom, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1564285 82, 2302 (2003).
6. S. J. Potashnik, K. C. Ku, S. H. Chun, J. J. Berry, N. Samarth, and P. Schiffer, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1398619 79, 1495 (2001).
7. K. W. Edmonds, K. Y. Wang, R. P. Campion, A. C. Neumann, N. R. S. Farley, B. L. Gallagher, and C. T. Foxon, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1529079 81, 4991 (2002).
8. B. S. Sørensen, P. E. Lindelof, J. Sadowski, R. Mathieu, and P. Svedlindh, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1566097 82, 2287 (2003).
9. W. Limmer, A. Koeder, S. Frank, M. Glunk, W. Schoch, V. Avrutin, K. Zuern, R. Sauer, and A. Waag, Physica E (Amsterdam) PELNFM 1386-9477 21, 970 (2004);
10. the conductivity data presented in this paper are incorrect and have to be multiplied by a factor of 1.4.
11. K. W. Edmonds, P. Bogusławski, K. Y. Wang, R. P. Campion, S. N. Novikov, N. R. S. Farley, B. L. Gallagher, C. T. Foxon, M. Sawicki, T. Dietl, M. B. Nardelli, and J. Bernholc, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.92.037201 92, 037201 (2004).
12. D. Chiba, K. Takamura, F. Matsukura, and H. Ohno, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1571666 82, 3020 (2003).
13. M. B. Stone, K. C. Ku, S. J. Potashnik, B. L. Sheu, N. Samarth, and P. Schiffer, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1629376 83, 4568 (2003).
14. K. M. Yu, W. Walukiewicz, T. Wojtowicz, I. Kuryliszyn, X. Liu, Y. Sasaki, and J. K. Furdyna, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.65.201303 65, 201303 (R) (2002).
15. J. Blinowski and P. Kacman, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.67.121204 67, 121204 (R) (2003).
16. A. Koeder, S. Frank, W. Schoch, V. Avrutin, W. Limmer, K. Thonke, R. Sauer, A. Waag, M. Krieger, K. Zuern, P. Ziemann, S. Brotzmann, and H. Bracht, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1573369 82, 3278 (2003).
17. S. T. B. Goennenwein, T. Graf, T. Wassner, M. S. Brandt, M. Stutzmann, J. B. Philipp, R. Gross, M. Krieger, K. Zürn, P. Ziemann, A. Koeder, S. Frank, W. Schoch, and A. Waag, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1539550 82, 730 (2003).
18. T. G. Rappoport, P. Redliński, X. Liu, G. Zaránd, J. K. Furdyna, and B. Jankó, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.69. 125213 69, 125213 (2004).
19. H. Shimizu, T. Hayashi, T. Nishinaga, and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.123082 74, 398 (1999).
20. P. Thompson, Y. Li, J. J. Zhou, D. L. Sato, L. Flanders, and H. P. Lee, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.118629 70, 1605 (1997).
21. R. Zhao, M. J. Cich, P. Specht, and E. R. Weber, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1463215 80, 2060 (2002).
22. G. Dollinger, C. M. Frey, A. Bergmaier, and T. Faestermann, Europhys. Lett. EULEEJ 0295-5075 10.1209/epl/i1998-00547-6 42, 25 (1998).
23. P. Blood, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/1/1/ 002 1, 7 (1986).
24. W. Limmer, M. Glunk, S. Mascheck, A. Koeder, D. Klarer, W. Schoch, K. Thonke, R. Sauer, and A. Waag, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.205209 66, 205209 (2002).
25. M. J. Seong, S. H. Chun, H. M. Cheong, N. Samarth, and A. Mascarenhas, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.233202 66, 033202 (2002).
26. E. Fuchs, H. Oppolzer, and H. Rehme, in Particle Beam Microanalysis (VCH, Weinheim, 1990).
27. G. Irmer, M. Wenzel, and J. Monecke, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.56.9524 56, 9524 (1997), and references therein.
28. K. W. Edmonds, N. R. S. Farley, R. P. Campion, C. T. Foxon, B. L. Gallagher, T. K. Johal, G. van der Laan, M. MacKenzie, J. N. Chapman, and E. Arenholz, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1751619 84, 4065 (2004).
29. R. E. Pritchard, S. A. McQuaid, L. Hart, R. C. Newman, J. Mäkinen, H. J. von Bardeleben, and M. Missous, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.360163 78, 2411 (1995).
30. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E. R. Weber, Z. Liliental-Weber, and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.114782 67, 279 (1995).
31. S. O'Hagan and M. Missous, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.356566 75, 7835 (1994).
32. K. M. Yu, M. Kaminska, and Z. Liliental-Weber, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.351538 72, 2850 (1992).
33. N. Hozhabri, S.-H. Lee, and K. Alavi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.113162 66, 2546 (1995).
34. R. C. Newman, in Semiconductors and Semimetals, edited by, E. R. Weber, (Academic, New York, 1993), Vol. 38, p. 169.
35. D. E. Bliss, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, K. T. Chan, and S. Tanigawa, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.351200 71, 1699 (1992).