Dependence of leakage current on dislocations in GaN-based light-emitting diodes

Journal of Applied Physics

Volumn 96, Issue 2, 2004, Pages 1111-1114

  Li, D S ^a   Chen, H ^a   Yu, H B ^a   Jia, H Q ^a   Huang, Q ^a   Zhou, J M ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CRYSTAL GROWTH; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; DISLOCATIONS (CRYSTALS); GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; NUCLEATION; PITTING; REACTIVE ION ETCHING; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

ETCH PIT DENSITIES (EPD); MULTIPLE QUANTUM WELLS (MQW); NONRADIATIVE RECOMBINATION; THREADING DISLOCATIONS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 3242693600     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1763234     Document Type: Article

References (18)

1. W. A. Brantley, O. G. Lorimor, P. D. Dapkus, S. E. Haszko, and R. H. Sau, J. Appl. Phys. 46, 2629 (1975).
2. A. H. Herzog, D. L. Keune, and M. G. Craford, J. Appl. Phys. 43, 600 (1972).
3. R. J. Roedel, A. R. V. Neida, R. Caruso, and L. R. Dawson, J. Electro-chem. Soc. 126, 637 (1979).
4. J. Eisner, R. Jones, P. K. Sitch, V. D. Porezag, M. Elstner, T. Frauenheim, M. I. Heggie, S. Oberg, and P. R. Briddon, Phys. Rev. Lett. 79, 3672 (1997).
5. A. Vertikov, M. Kuball, A. V. Nurmikko, Y. Chen, and S. Y. Wang, Appl. Phys. Lett. 72, 2645 (1998).
6. S. J. Roriser, E. C. Carr, M. J. Luydowise, G. Girolami, and H. I. Erikson, Appl. Phys. Lett. 70, 420 (1997).
7. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
8. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
9. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
10. A. Osinsky, S. Gangopadhyay, R. Gaska, B. Williams, M. A. Khan, D. Kuksenkov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 71, 2334 (1997).
11. D. V. Kuksenkov, H. Temkin, A. Osinsky, R. Gaska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1365 (1998).
12. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999).
13. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
14. K. Shiojima, J. Vac. Sci. Technol. B 18, 37 (2000).
15. S. K. Hong, T. Yao, B. J. Kim, S. Y. Yoon, and T. I. Kim, Appl. Phys. Lett. 77, 82 (2000).
16. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, S. N. G. Chu, C. H. Chen, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 3980 (2001).
17. A. Alemu, B. Gil, M. Julier, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 57, 3761 (1998).
18. V. Darakchieva, P. P. Paskov, T. Paskova, E. Valcheva, B. Monemar, and M. Heuken, Appl. Phys. Lett. 82, 703 (2003).