Crystallographic and morphological characterization of thin pentacene films on polycrystalline copper surfaces

Journal of Chemical Physics

Volumn 124, Issue 5, 2006, Pages

  Oehzelt, M ^a   Resel, R ^a   Suess, C ^b   Friedlein, R ^b   Salaneck, W R ^b  

^a GRAZ UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Austria)

^b LINKÖPING UNIVERSITY   (Sweden)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALLINE METAL SURFACES; ELECTRONIC APPLICATIONS; MOLECULAR AGGREGATION; POLYCRYSTALLINE METAL SUBSTRATES;

CRYSTALLINE MATERIALS; CRYSTALLOGRAPHY; OLEFINS; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SUBSTRATES; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

THIN FILMS;

EID: 32044453821     PISSN: 00219606     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2150826     Document Type: Article

References (71)

1. A. Pochettino, Acad. Lincei Rend. 15, 355 (1906).
2. N. Karl, Organic Semiconductors, Landolt-Börnstein, New Series, Group III, Vol. 17 (Springer-Verlag, Berlin, 1985).
3. Y. Y. Lin, D. J. Gundlach, S. F. Nelson, and T. N. Jackson, IEEE Trans. Electron Devices 44, 1325 (1997).
4. Z.-T. Zhu, J. T. Mason, R. Dieckmann, and G. G. Malliaras, Appl. Phys. Lett. 81, 4643 (2002).
5. M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, T. Kriem, G. Schmid, W. Radlik, and K. Wussow, Appl. Phys. Lett. 81, 289 (2002).
6. M. Kitamura, T. Imada, and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 83, 3410 (2003).
7. J. Zaumseil, T. Someya, Z. Bao, Y.-L. Loo, R. Cirelli, and J. A. Rogers, Appl. Phys. Lett. 82, 793 (2003).
8. Y. S. Lee, J. H. Park, and J. S. Choi, Opt. Mater. (Amsterdam, Neth.) 21, 433 (2002).
9. S. Kuniyoshi, S. Naruge, M. Iizuka, M. Nakamura, K. Kudo, and K. Tanaka, Synth. Met. 137, 895 (2003).
10. J. Lee, D. K. Hwang, C. H. Park, S. S. Kim, and S. Im, Thin Solid Films 451, 12 (2004).
11. G. Jarosz, R. Signerski, and J. Godlewski, Synth. Met. 109, 161 (2000).
12. G. Jarosz, R. Signerski, and J. Godlewski, Thin Solid Films 396, 196 (2001).
13. J. Godlewski, G. Jarosz, and R. Signerski, Appl. Surf. Sci. 175, 344 (2001).
14. R. Signerski, G. Jarosz, and J. Godlewski, Synth. Met. 94, 135 (1998).
15. Y. Vertsimakha and A. Verbitsky, Synth. Met. 109, 291 (2000).
16. J. Lee, S. S. Kim, K. Kim, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 84, 1701 (2004).
17. S. S. Kim, Y. S. Choi, K. Kim, J. H. Kim, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 82, 639 (2002).
18. S. P. Park, S. S. Kim, J. H. Kim, C. N. Whang, and S. Im, Appl. Phys. Lett. 80, 2872 (2002).
19. G. K. R. Senadeera, P. V. V. Jayaweera, V. P. S. Perera, and K. Tennakone, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 73, 103 (2002).
20. D. J. Gundlach (private communication).
21. R. G. D. Valle, E. Venuti, A. Brillante, A. Girlando, ChemPhysChem 5, 266 (2004).
22. D. J. Gundlach, T. N. Jackson, D. G. Schlom, and S. F. Nelson, Appl. Phys. Lett. 74, 3302 (1999).
23. R. B. Campbell, J. M. Robertson, and J. Trotter, Acta Crystallogr. 14, 705 (1961).
24. R. B. Campbell, J. M. Robertson, and J. Trotter, Acta Crystallogr. 15, 289 (1962).
25. D. Homes, S. Kumaraswamy, A. J. Matzger, and K. P. Vollhardt, Chem.-Eur. J. 5, 3399 (1999).
26. C. C. Mattheus, A. B. Dros, J. Baas, A. Meetsma, J. L. de Boer, and T. T. M. Palstra, Acta Crystallogr., Sect. C: Cryst. Struct. Commun. 57, 939 (2001).
27. C. C. Mattheus, A. B. Dros, J. Baas, G. T. Oostergetel, A. Meetsma, J. L. de Boer, and T. T. M. Palstra, Synth. Met. 138, 475 (2002).
28. C. C. Mattheus, G. A. de Wijs, R. A. de Groot, and T. T. M. Palstra, J. Am. Chem. Soc. 125, 6323 (2003).
29. G. A. de Wijs, C. C. Mattheus, R. A. de Groot, and T. T. M. Palstra, Synth. Met. 139, 109 (2003).
30. T. Minakata, H. Imai, M. Ozaki, and K. Saco, J. Appl. Phys. 72, 5220 (1992).
31. T. Minakata, H. Imai, and M. Ozaki, J. Appl. Phys. 72, 4174 (1992).
32. J. E. Northrup, M. L. Tiago, and S. G. Louie, Phys. Rev. B 66, 121404 (2002).
33. F.-J. zu Heringdorf, M. C. Reuter, and R. M. Tromp, Nature (London) 412, 517 (2001).
34. R. Ruiz, B. Nickel, N. Koch, L. C. Feldman, R. F. Haglund, A. Kahn, and G. Scoles, Phys. Rev. B 67, 125406 (2003).
35. L. Farina, A. Brillante, R. G. D. Valle, E. Venuti, M. Amboage, and K. Syassen, Chem. Phys. Lett. 375, 490 (2003).
36. C. D. Dimitrakopoulos, A. R. Brown, and A. Pomp, J. Appl. Phys. 80, 2501 (1996).
37. D. J. Gundlach, Y. Y. Lin, T. N. Jackson, S. F. Nelson, and D. G. Schlom, IEEE Electron Device Lett. 18, 87 (1997).
38. D. Knipp, R. A. Street, B. Krusor, R. Apte, and J. Ho, J. Non-Cryst. Solids 299, 1042 (2002).
39. D. Knipp, R. A. Street, A. Völkel, and J. Ho, J. Appl. Phys. 93, 347 (2003).
40. M. Shtein, J. Mapel, J. B. Benzinger, and S. R. Forrest, Appl. Phys. Lett. 81, 268 (2002).
41. T. Jentzsch, H. J. Juepner, K.-W. Brzezinka, and A. Lau, Thin Solid Films 315, 273 (1998).
42. I. P. M. Bouchoms, W. A. Schoonveld, J. Vrijmoeth, and T. M. Klapwijk, Synth. Met. 104, 175 (1999).
43. J. Lee, J. H. Kim, and S. Im, J. Appl. Phys. 95, 3733 (2004).
44. J. Puigdollers, C. Voz, A. Orpella, I. Martin, M. Vetter, and R. Alcubilla, Thin Solid Films 427, 367 (2003).
45. R. Friedlein, X. Crispin, M. Pickholz, M. Keil, S. Stafström, and W. R. Salaneck, Chem. Phys. Lett. 354, 389 (2002).
46. L. E. Alexander, X-Ray Diffraction Methods in Polymer Science (Robert E. Krieger, Huntington, New York, 1979).
47. B. Servet, S. Ries, M. Trotel, P. Alont, G. Horowitz, and F. Garnier, Adv. Mater. (Weinheim, Ger.) 5, 461 (1993).
48. J. Kečkeš, B. Ortner, J. Jakabovič, and F. Kováč, J. Cryst. Growth 192, 84 (1998).
49. S. R. Forrest, Chem. Rev. (Washington, D.C.) 97, 1030 (1997).
50. S. R. Forrest, M. L. Kaplan, and P. H. Schmidt, J. Appl. Phys. 56, 543 (1984).
51. R. Resel, Thin Solid Films 433, 1 (2003).
52. H. Plank, R. Resel, S. Purger, J. Keckes, A. Tierry, B. Lotz, A. Andreev, N. S. Sariciftci, and H. Sitter, Phys. Rev. B 64, 235423 (2001).
53. L. G. Schultz, J. Appl. Phys. 20, 1030 (1949).
54. W. Kraus and G. Nolzeb, J. Appl. Crystallogr. 29, 301 (1996).
55. I. Salzmann and R. Resel, J. Appl. Crystallogr. 37, 1029 (2004).
56. R. Friedlein, X. Crispin, C. Simpson, Phys. Rev. B 68, 195414 (2003).
57. B. E. Warren, X-Ray Diffraction (Addison-Wesley, Reading, MA, 1969).
58. G. Caglioti, A. Paoletti, and R. Ricci, Nucl. Instrum. Methods 35, 223 (1958).
59. G. Williamson and W. Hall, Acta Metall. 1, 22 (1953).
60. R. Snyder, J. Fiala, and H. Binge, IUCr Monographs on Crystallography 10 (Oxford University Press, New York, 1999).
61. R. Young, IUCr Monographs on Crystallography 5 (Oxford University Press, New York, 1993).
62. S. Lukas, S. Söhnchen, G. Witte, and C. Wöll, ChemPhysChem 5, 266 (2004).
63. S. Lukas, G. Witte, and C. Wöll, Phys. Rev. Lett. 88, 028301 (2002).
64. V. Corradini, C. Menozzi, M. Cavallini, F. Biscarini, M. G. Betti, and C. Mariani, Surf. Sci. 532, 249 (2003).
65. C. Menozzi, V. Corradini, M. Cavallini, F. Biscarini, M. G. Betti, and C. Mariani, Thin Solid Films 428, 227 (2003).
66. Y. L. Wang, W. Ji, D. X. Shi, S. X. Du, C. Seidel, Y. G. Ma, H.-J. Gao, L. F. Chi, and G. Fuchs, Phys. Rev. B 69, 075408 (2004).
67. J. H. Kang and X.-Y. Zhu, Appl. Phys. Lett. 82, 3248 (2003).
68. P. G. Schroeder, C. B. France, J. B. Park, and B. A. Parkinson, J. Appl. Phys. 91, 3010 (2002).
69. S. Müllegger, I. Salzmann, R. Resel, and A. Winkler, Appl. Phys. Lett. 83, 4536 (2003).
70. S. Müllegger, O. Stranik, E. Zojer, and A. Winkler, Appl. Surf. Sci. 221, 184 (2004).
71. H. Peisert, T. Schwieger, J. M. Auerhammer, M. Knupfer, M. S. Golden, J. Fink, P. R. Bressler, and M. Mast, J. Appl. Phys. 90, 466 (2001).