Annealing temperature dependence on nickel-germanium solid-state reaction

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 44, Issue 24-27, 2005, Pages

  Zhu, Shiyang ^a   Nakajima, Ann ^a  

^a HIROSHIMA UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

Germanide; Germanium; Nickel; Solid state reaction; Temperature dependence

Indexed keywords

ANNEALING; GERMANIUM; NICKEL; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; TEMPERATURE DISTRIBUTION; VACUUM;

ANNEALING TEMPERATURE; SCHOTTKY CONTACTS; SOLID-STATE REACTION; TEMPERATURE DEPENDENCE;

SOLID STATE PHYSICS;

EID: 32044451579     PISSN: 00214922     EISSN: 13474065     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/JJAP.44.L753     Document Type: Article

References (15)

1. J. J. Rosenberg and S. C. Martin: IEEE Electron Device Lett. 9 (1988) 639.
2. C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, B. B. Triplett, P. C. McIntyre and K. C. Saraswat: IEEE IEDM 2002 Tech. Dig., 2002, p. 437.
3. C. H. Huang, D. S. Yu, A. Chin, W. J. Chen, C. X. Zhu, M. F. Li, B. J. Cho and D. L. Kwong: IEEE IEDM 2003 Tech. Dig., 2003, p. 319.
4. A. Ritenour, S. Yu, M. L. Lee, N. Lu, W. Bai, A. Pitera, E. A. Fitzgerald, D. L. Kwong and D. A. Antoniadis: IEEE IEDM 2003 Tech. Dig., 2003, p. 433.
5. S. Zhu, R. Li, S. J. Lee, M. F. Li, A. Du, J. Singh, C. Zhu, A. Chin and D. L. Kwong: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 81.
6. D. S. Yu, A. Chin, C. C. Liao, C. F. Lee, C. F. Cheng, M. F. Li, W. J. Yoo and S. P. McAlister: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 118.
7. C. O. Chui, K. Gopalakrishnan, P. B. Griffin, J. D. Plummer and K. C. Saraswat: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 3275.
8. J. Y. Spann, R. A. Anderson, T. J. Thornton, G. Harris, S. G. Thomas and C. Tracy: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 151.
9. S. L. Zhang and M. Östling: Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 28 (2003) 1.
10. T. Maeda, K. Ikeda, S. Nakaharai, T. Tezuka, N. Sugiyama, Y. Moriyama and S. Takagi: IEEE Electron Device Lett. 26 (2005) 102.
11. C. Y. Lin, W. J. Chen, C. H. Lai, A. Chin and J. Liu: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 464.
12. J. Seger, S. L. Zhang, D. Mangelinck and H. H. Radamson: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1978.
13. T. Deegan and G. Hughes: Appl. Surf. Sci. 123-124 (1998) 66.
14. S. Zhu, R. L. Van Meirhaeghe, S. Forment, G. P. Ru and B. Z. Li: Solid-State Electron. 48 (2004) 29.
15. C. C. Han, E. D. Marshall, F. Fang, L. C. Wang, S. S. Lau and D. Voreades; J. Vac. Sci. Technol. B 6 (1988) 1662.