Fabrication of induced two-dimensional hole systems on (311)A GaAs

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 2, 2006, Pages

  Clarke, W R ^a   Micolich, A P ^a   Hamilton, A R ^a   Simmons, M Y ^a   Muraki, K ^b   Hirayama, Y ^b  

^a UNIVERSITY OF NEW SOUTH WALES   (Australia)

^b Kashino Diverse Brain Research Laboratory of NTT Communication Science Laboratories   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

GAAS; LOW DIMENSIONAL SYSTEMS; TWO DIMENSIONAL HOLE SYSTEMS; VALENCE BANDS;

ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; FERMI LEVEL; HOLE MOBILITY; INTERFACES (MATERIALS); MATHEMATICAL MODELS;

SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EID: 31644438940     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2163998     Document Type: Article

References (35)

1. K. von Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.45.494 45, 494 (1980); D. C. Tsui, H. L. Störmer, and A. C. Gossard, Phys. Rev. Lett. 48, 1559 (1982).
2. K. von Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.45.494 45, 494 (1980); D. C. Tsui, H. L. Störmer, and A. C. Gossard, Phys. Rev. Lett. 48, 1559 (1982).
3. E. Abrahams, S. V. Kravchenko, and M. P. Sarachik, Rev. Mod. Phys. 73, 251 (2001).
4. L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Störmer, and K. W. Baldwin, Appl. Phys. Lett. 55, 1888 (1989).
5. T. Saku, Y. Hirayama, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 30, 902 (1991).
6. V. Umansky, R. de-Picciotto, and M. Heiblum, Appl. Phys. Lett. 71, 683 (1997).
7. R. Dingle and H. L. Störmer, Appl. Phys. Lett. 33, 665 (1978).
8. J. J. Rosenberg, U.S. Patent No. 4,538,105 (15 April 1986).
9. P. M. Solomon, C. M. Knoedler, and S. L. Wright, IEEE Electron Device Lett. EDL-5, 379 (1984).
10. M. K. Matsumoto, M. Ogura, T. Wada, N. Hashizume, and Y. Hayashi, Electron. Lett. 20, 462 (1984).
11. U. Meirav, M. Heiblum, and F. Stern, Appl. Phys. Lett. 52, 1268 (1988).
12. T. Sajoto, M. Santos, J. J. Heremans, M. Shayegan, M. Heiblum, M. V. Weckwerth, and U. Meirav, Appl. Phys. Lett. 54, 840 (1989).
13. B. Laihktman, M. Heiblum, and U. Meirav, Appl. Phys. Lett. 57, 1550 (1990).
14. B. E. Kane, L. N. Pfeiffer, K. W. West, and C. K. Harnett, Appl. Phys. Lett. 63, 2132 (1993).
15. B. E. Kane, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 67, 1262 (1995).
16. Y. Hirayama, K. Muraki, and T. Saku, Appl. Phys. Lett. 72, 1745 (1998).
17. T. Saku, K. Muraki, and Y. Hirayama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L765 (1998).
18. A. Kawaharazuka, T. Saku, Y. Hirayama, and Y. Horikoshi, J. Appl. Phys. 87, 952 (2000).
19. C. E. Yasin, M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, N. E. Lumpkin, R. G. Clark, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Physica E (Amsterdam) 12, 646 (2002).
20. M. P. Lilly, Phys. Rev. Lett. 90, 056806 (2003).
21. H. Noh, M. P. Lilly, D. C. Tsui, J. A. Simmons, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.68.241308 68, 241308 (R) (2003); H. Noh, M. P. Lilly, D. C. Tsui, J. A. Simmons, E. H. Hwang, S. Das Sarma, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. B 68, 165308 (2003).
22. H. Noh, M. P. Lilly, D. C. Tsui, J. A. Simmons, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.68.241308 68, 241308 (R) (2003); H. Noh, M. P. Lilly, D. C. Tsui, J. A. Simmons, E. H. Hwang, S. Das Sarma, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. B 68, 165308 (2003).
23. Y. Hanein, H. Shtrikman, and U. Meirav, Appl. Phys. Lett. 70, 1426 (1997).
24. W. I. Wang, E. E. Mendez, Y. Iye, B. Lee, M. H. Kim, and G. E. Stillman, J. Appl. Phys. 60, 1834 (1986).
25. M. Y. Simmons, D. A. Ritchie, I. Zailer, A. C. Churchill, and G. A. C. Jones, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1296 (1994).
26. A. D. Wieck and D. Reuter, Inst. Phys. Conf. Ser. 166, 51 (2000).
27. B. Grbic, C. Ellenberger, T. Ihn, K. Ensslin, D. Reuter, and A. D. Wieck, Appl. Phys. Lett. 85, 2277 (2004).
28. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, R. de Picciotto, and K. W. Baldwin, Appl. Phys. Lett. 86, 162106 (2005).
29. C. Gerl, S. Schmult, H.-P. Tranitz, C. Mitzkus, and W. Wegscheider, Appl. Phys. Lett. 86, 252105 (2005).
30. C. E. Yasin, Phys. Rev. B 72, 241310 (2005).
31. M. Y. Simmons, A. R. Hamilton, S. J. Stevens, D. A. Ritchie, M. Pepper, and A. Kurobe, Appl. Phys. Lett. 70, 2750 (1997).
32. M. Wassermeier, J. Sudijono, M. D. Johnson, K. T. Leung, B. G. Orr, L. Daweritz, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.51.14721 51, 14721 (1995); M. Wassermeier, J. Sudijono, M. D. Johnson, K. T. Leung, B. G. Orr, L. Daweritz, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 150, 425 (1995).
33. M. Wassermeier, J. Sudijono, M. D. Johnson, K. T. Leung, B. G. Orr, L. Daweritz, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.51.14721 51, 14721 (1995); M. Wassermeier, J. Sudijono, M. D. Johnson, K. T. Leung, B. G. Orr, L. Daweritz, and K. H. Ploog, J. Cryst. Growth 150, 425 (1995).
34. A. P. Mills, Jr., A. P. Ramirez, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Phys. Rev. Lett. 83, 2805 (1999).
35. A. R. Hamilton, M. Y. Simmons, M. Pepper, and D. A. Ritchie, Phys. Rev. Lett. 87, 126802 (2001).