Fabrication of high mobility in situ back-gated (311)A hole gas heterojunctions

Applied Physics Letters

Volumn 70, Issue 20, 1997, Pages 2750-2752

  Simmons, M Y ^a   Hamilton, A R ^a   Stevens, S J ^a   Ritchie, D A ^a   Pepper, M ^a   Kurobe, A ^b  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

^b TOSHIBA CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001742171     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119012     Document Type: Article

References (14)

1. W. I. Wang, E. E. Mendez, Y. Iye, B. Lee, M. H. Kim, and G. E. Stillman, J. Appl. Phys. 60, 1834 (1986).
2. A. G. Davies, J. E. F. Frost, D. A. Ritchie, D. C. Peacock, R. Newbury, F. H. Linfield, M. Pepper, and G. A. C. Jones, J. Cryst. Growth 111, 318 (1991).
3. J. J. Heremans, M. B. Santos, K. Hirakawa, and M. Shayegan, J. Appl. Phys. 76, 1980 (1994).
4. A. C. Churchill, G. H. Kim, A. Kurobe, M. Y. Simmons, D. A. Ritchie, M. Pepper, and G. A. C. Jones, J. Phys., Condens. Matter. 6, 6131 (1994).
5. R. Nötzel, N. N. Ledenstov, L. Daweritz, M. Hohenstein, and K. Ploog, Phys. Rev. B 67, 3812 (1991); Phys. Rev. B 45, 3507 (1992).
6. R. Nötzel, N. N. Ledenstov, L. Daweritz, M. Hohenstein, and K. Ploog, Phys. Rev. B 67, 3812 (1991); Phys. Rev. B 45, 3507 (1992).
7. M. Wassermeier, J. Sudijono, M. D. Johnson, K. T. Leung, B. G. Orr, L. Daweritz, and K. Ploog, Phys. Rev. B 51, 14721 (1995;); J. Cryst. Growth 150, 425 (1995).
8. M. Wassermeier, J. Sudijono, M. D. Johnson, K. T. Leung, B. G. Orr, L. Daweritz, and K. Ploog, Phys. Rev. B 51, 14721 (1995;); J. Cryst. Growth 150, 425 (1995).
9. M. J. Kelly and A. Hamilton, Semicond. Sci. Technol. 6, 201 (1991).
10. depl =0.
11. A. Gold, Appl. Phys. Lett. 54, 2100 (1989).
12. T. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 51, 3900 (1982).
13. B. R. Nag, Springer Series in Solid State Sciences II (Springer, Berlin).
14. J. P. Eisenstein, H. L. Stormer, V. Narayanamurti, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Phys. Rev. Lett. 53, 25793 (1984).