Optical investigation of InGaN/GaN multiple-quantum wells under high excitation

Applied Physics Letters

Volumn 84, Issue 25, 2004, Pages 5159-5161

  Wang, T ^a   Parbrook, P J ^a   Fan, W H ^a   Fox, A M ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE COUPLED DEVICES; CURRENT DENSITY; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMITTING DIODES; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; PIEZOELECTRICITY; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR LASERS; SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS; STIMULATED EMISSION;

EMISSION ENERGY; QUANTUM-CONFINED-STARK EFFECT (QCSE); QUANTUM-DOT-LIKE STATES; THRESHOLD CURRENT DENSITY;

SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

EID: 3142661968     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1763977     Document Type: Article

References (23)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1568 (1997).
2. Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, and S. Nakamura, Phys. Rev. B 55, R1938 (1997).
3. A. Statake, Y. Masmoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, F. Nakamura, and M. Ikeda, Phys. Rev. B 57, R2041 (1998).
4. P. A. Crowell, D. K. Yong, S. Keller, E. L. Hu, and D. D. A Awschalom, Appl. Phys. Lett. 72, 927 (1998).
5. P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
6. M. S. Minsky, S. B. Fleischer, A. C. Abare, J. E. Bowers, E. L. Hu, S. Keller, and S. P. Denbaars, Appl. Phys. Lett. 72, 1066 (1998).
7. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 69, 4188 (1996).
8. K. L. Teo, J. S. Colton, P. Y. Yu, E. R. Weber, M. F. Li, W. Liu, K. Uchida, H. Tokunaga, N. Akutsu, and K. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 73, 1697 (1998).
9. T. Wang, D. Nakagawa, M. Lachab, T. Sugahara, and S. Sakai, Appl. Phys. Lett. 74, 3128 (1999).
10. P. Perlin, C. Kisielowski, V. Iota, B. A. Weinstein, L. Mattos, N. A. Shapiro, J. Kruger, E. R. Weber, and J. Yang, Appl. Phys. Lett. 73, 2778 (1998).
11. T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L382 (1997).
12. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 73, 1691 (1998).
13. M. D. Nardell, K. Rapcewic, and J. Bernhol, Appl. Phys. Lett. 71, 3135 (1997).
14. A. Hangleiter, J. Lumin. 87-89, 130 (2000).
15. T. Wang, J. Bai, S. Sakai, and J. K. Ho, Appl. Phys. Lett. 78, 2671 (2001).
16. J. Bai, T. Wang, and S. Sakai, J. Appl. Phys. 90, 1740 (2001).
17. W. H. Fan, S. M. Olaizola, T. Wang, P. J. Parbrook, J.-P. R. Wells, D. J. Mowbray, M. S. Skolnick, and A. M. Fox, Phys. Status Solidi B 240, 364 (2003).
18. B. K. Ridley, Phys. Rev. B 41, 12 190 (1990).
19. O. Ambacher, J. Phys. D 31, 2653 (1998).
20. I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
21. J. Ristic, E. Calleja, M. A. Sanchez-Garzia, J. M. Ullao, J. Sanchez-Paramo, J. M. Calleja, U. Jahn, A. Trampert, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 68, 125305 (2003).
22. A. G. Cullis (private communication).
23. K. P. O'Donnell, R. W. Martin, and P. G. Middleton, Phys. Rev. Lett. 82, 237 (1999).