Cross sections for the investigation of the electroluminescence excitation of InGaNGaN quantum wells in blue light-emitting diodes with multiquantum barriers

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 3, 2005, Pages 966-969

  Nee, Tzer En ^a   Wang, Jen Cheng ^a   Lin, Chung Han ^a   Lin, Ray Ming ^a   Huang, Ching An ^a   Fang, Bor Ren ^b   Wang, Ruey Yu ^b  

^a CHANG GUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b Nan Ya Photonics Incorporation   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HIGH TEMPERATURE APPLICATIONS; INDIUM COMPOUNDS; LIGHT EMITTING DIODES; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS;

MULTIQUANTUM BARRIERS (MQB); SPECTRAL INTENSITY;

ELECTROLUMINESCENCE;

EID: 31144460675     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1924611     Document Type: Article

References (21)

1. J. Shakya, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 85, 142 (2004).
2. S. M. Pan, R. C. Tu, Y. M. Fan, R. C. Yeh, and J. T. Hsu, IEEE Photonics Technol. Lett. 15, 649 (2003).
3. S. M. Pan, R. C. Tu, Y. M. Fan, R. C. Yeh, and J. T. Hsu, IEEE Photonics Technol. Lett. 15, 646 (2003).
4. C. M. Lee, C. C. Chuo, I. L. Chen, J. C. Chang, and J. I. Chyi, IEEE Electron Device Lett. 24, 156 (2003).
5. J. O. Song, D. S. Leem, J. S. Kwak, O. H. Nam, Y. Park, and T. Y. Seong, IEEE Photonics Technol. Lett. 16, 1450 (2004).
6. S. R. Jeon, Y. H. Song, H. J. Jang, G. M. Yang, S. W. Hwang, and S. J. Son, Appl. Phys. Lett. 78, 3265 (2001).
7. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett. 79, 2588 (2001).
8. T. Gessmann, Y.-L. Li, E. L. Waldron, J. W. Graff, E. F. Schubert, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 80, 986 (2002).
9. J. K. Sheu, J. M. Tsai, S. C. Shei, W. C. Lai, T. C. Wen, C. H. Kou, Y. K. Su, S. J. Chang, and G. C. Chi, IEEE Electron Device Lett. 22, 460 (2001).
10. J. K. Sheu, G. C. Chi, and M. J. Jou, IEEE Electron Device Lett. 22, 160 (2001).
11. Y.-L. Li, E. F. Schubert, J. W. Graff, A. Osinsky, and W. F. Schaff, Appl. Phys. Lett. 76, 2728 (2000).
12. Y.-K. Song, M. Diagne, H. Zhou, A. V. Nurmikko, R. P. Schneider, Jr., and T. Takeuchi, Appl. Phys. Lett. 77, 1744 (2000).
13. Y. T. Rebane, Y. G. Shreter, B. S. Yavich, V. E. Bougrov, S. I. Stepanov, and W. N. Wang, Phys. Solid State 180, 121 (2000).
14. C. H. Chen, Y. K. Su, S. J. Chang, G. C. Chi, J. K. Sheu, J. F. Chen, C. H. Liu, and Y. H. Liaw, IEEE Electron Device Lett. 23, 130 (2002).
15. A. Hori, D. Yasunaga, A. Satake, and K. Fujiwara, J. Appl. Phys. 93, 3152 (2003).
16. Jay M. Shah, Y.-L. Li, Th. Gessmann, and E. F. Schubert, J. Appl. Phys. 94, 2627 (2003).
17. C. C. Yang, M. C. Wu, C. C. Chuo, J. I. Chyi, C. F. Lin, and G. C. Chi, Solid-State Electron. 44, 1483 (2000).
18. N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki, and A. Katsui, Appl. Phys. Lett. 59, 2251 (1991).
19. C.-M. Lee, C.-C. Chuo, K.-F. Dai, X.-F. Zheng, and J.-I. Chyi, J. Appl. Phys. 89, 6554 (2001).
20. C.-K. Sun, S. Keller, G. Wang, M. S. Minsky, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 69, 1936 (1996).
21. S. F. Chichibu, M. Sugiyama, T. Onuma, T. Kitamura, H. Nakanishi, T. Kuroda, A. Tackeuchi, T. Sota, Y. Ishida, and H. Okumura, Appl. Phys. Lett. 79, 4319 (2001).