Atomic diffusion and band lineups at In0.53Ga0.47As -on-InP heterointerfaces

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 4, 2005, Pages 1832-1837

  Smith, P E ^a   Goss, S H ^b   Gao, M ^b   Hudait, M K ^b   Lin, Y ^b   Ringel, S A ^a   Brillson, L J ^a  

^a OHIO STATE UNIVERSITY   (United States)

^b The Ohio State University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMIC DIFFUSION; BAND LINEUPS;

DIFFUSION; HETEROJUNCTIONS; LATTICE CONSTANTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; NEGATIVE IONS; SECONDARY ION MASS SPECTROMETRY;

INDIUM COMPOUNDS;

EID: 31144457345     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1949218     Document Type: Article

References (26)

1. J. M. Moison, M. Bensoussan, and F. Houzay, Phys. Rev. B 34, 2018 (1986).
2. G. Hollinger, D. Gallet, M. Gendry, C. Santinelli, and P. Victorovitch, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 832 (1990).
3. C. H. Li, L. Li, D. C. Law, S. B. Visbeck, and R. F. Hicks, Phys. Rev. B 65, 205322 (2002).
4. B. X. Yang, L. He, and H. Hasegawa, J. Electron. Mater. 25, 379 (1996).
5. D. E. Aspnes, M. C. Tamargo, M. J. S. P. Brasil, R. E. Nahory, and S. A. Schwartz, Appl. Phys. Lett. 64, 3279 (1994).
6. D. C. Law, Y. Sun, C. H. Li, S. B. Visbeck, G. Chen, and R. F. Hicks, Phys. Rev. B 66, 045314-1 (2002).
7. J. Decobert and G. Patriarch, J. Appl. Phys. 92, 5749 (2002).
8. J. Wagner, M. Peter, K. Winkler, and K. H. Bachem, J. Appl. Phys. 83, 4299 (1998).
9. H. A. McKay, R. M. Feenstra, P. J. Poole, and G. C. Aers, J. Cryst. Growth 249, 237 (2003).
10. K. Streubel, V. Harle, F. Scholz, M. Bode, and M. Grundmann, J. Appl. Phys. 71, 3300 (1992).
11. P. E. Smith, S. H. Goss, S. T. Bradley, M. K. Hudait, Y. Lin, S. A. Ringel, and, L. J. Brillson, J. Vac. Sci. Technol. B 22, 555 (2004).
12. M. K. Hudait, Y. Lin, S. H. Goss, P. Smith, S. Bradley, L. J. Brillson, S. W. Johnston, R. K. Ahrenkiel, and S. A. Ringel (unpublished).
13. K. Mahalingam, Y. Naamura, N. Otsuka, H. Y. Lee, M. J. Hafich, and G. Y. Robinson, J. Electron. Mater. 21, 129 (1992).
14. Y. K. Fukai, F. Hyuga, T. Nittono, K. Watanabe, and H. Sugahara, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 2524 (1999).
15. Y. Sakai, M. Kudo, and C. Nielsen, J. Vac. Sci. Technol. A 19, 1139 (2001).
16. J. Van Laar and A. Huijser, J. Vac. Sci. Technol. 13, 769 (1976).
17. B. Kaestner, C. Schönjahn, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 84, 2109 (2004).
18. S. L. Elliott, R. F. Broom, and C. J. Humphreys, J. Appl. Phys. 91, 9116 (2002).
19. D. Venables, H. Jain, and D. C. Collins, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 362 (1998).
20. O. Wada and H. Hasegawa, InP-Based Materials and Devices: Physics and Technology, 1st ed. (J. Wiley, New York, 1999), p. 83.
21. P. Hovington, D. Drouin, and R. Gauvin, Scanning 19, 1 (1997).
22. S. Hernandez, N. Blanco, I. Martil, G. Gonzalez-Diaz, R. Cusco, and L. Artus, J. Appl. Phys. 93, 9019 (2003).
23. J. Wagner, M. Peter, K. Winkler, and K. H. Bachem, J. Appl. Phys. 83, 4299 (1998).
24. S. R. Forrest, P. H. Schmidt, R. B. Wilson, and M. L. Kaplan, Appl. Phys. Lett. 45, 1199 (1984).
25. C. Francis, P. Boucaud, J. Y. Emery, L. Goldstein, and F. H. Julien, J. Appl. Phys. 78, 1944 (1995).
26. M. K. Hudait, Y. Lin, M. N. Palmisiano, C. Tivarus, J. P. Pelz, and S. A. Ringel, J. Appl. Phys. 95, 3952 (2004).