Transmission electron microscopy study of the InP/InGaAs and InGaAs/InP heterointerfaces grown by metalorganic vapor-phase epitaxy

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 10, 2002, Pages 5749-5755

  Decobert, Jean ^a   Patriarche, Gilles ^b  

^a NOKIA RESEARCH CENTER   (United States)

^b UNIV PARIS SUD   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CROSS-SECTIONAL TEM; DARK FIELD IMAGES; HETERO-INTERFACES; INALAS; INGAAS/INP; INP; INP/INGAAS; INTERFACE SURFACES; METAL-ORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOSPHORUS ATOM; SURFACE UNDULATION; SWITCHING SEQUENCE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY TEM;

ARSENIC; EPITAXIAL GROWTH; GALLIUM; MONOLAYERS; PHOSPHORUS COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

VAPORS;

EID: 0037113001     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1513891     Document Type: Article

References (21)

1. O. Schuler, O. Dehaese, X. Wallart, F. Mollot, J. Appl. Phys. 84, 765 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
2. R. Bhat, M. A. Koza, M. J. S. P. Brasil, R. E. Nahory, C. J. Palmstrom, B. J. Wilkens, J. Cryst. Growth 124, 576 (1992). jcr JCRGAE 0022-0248
3. M. J. Yates, M. R. Aylett, S. D. Perrin, P. C. Spurdens, J. Cryst. Growth 124, 604 (1992). jcr JCRGAE 0022-0248
4. X. S. Jiang, A. R. Clawson, P. K. L. Yu, J. Cryst. Growth 124, 547 (1992). jcr JCRGAE 0022-0248
5. R. Schwedler et al., Microelectron. Eng. 19, 891 (1992). mie MIENEF 0167-9317
6. S. W. Ryu, W. G. Jeong, I. Kim, H. D. Kim, H. H. Kim, B. D. Choe, S. H. Park, J. Cryst. Growth 179, 26 (1997). jcr JCRGAE 0022-0248
7. J. E. Epler, J. Söchtig, H. C. Sigg, Appl. Phys. Lett. 65, 1949 (1994). apl APPLAB 0003-6951
8. A. R. Clawson, T. T. Vu, S. A. Pappert, C. M. Hanson, J. Cryst. Growth 124, 536 (1992). jcr JCRGAE 0022-0248
9. A. R. Clawson and C. M. Hanson, Proceedings of the 7th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM'95), Hokkaido, Japan, FA1.1, pp. 689-692.
10. T. Mozume, H. Kashima, K. Hosomi, K. Ouchi, H. Sato, H. Masuda, T. Tanoue, J. Cryst. Growth 150, 591 (1995). jcr JCRGAE 0022-0248
11. H. Asahi, T. Kohara, R. K. Soni, K. Asami, S. Emura, S. Gonda, J. Cryst. Growth 127, 194 (1993). jcr JCRGAE 0022-0248
12. T. Mozume, H. Kashima, K. Hosomi, K. Ogata, K. Suenaga, A. Nakano, Appl. Surf. Sci. 75, 233 (1994). asu ASUSEE 0169-4332
13. T. Anan, S. Sugou, K. Nishi, T. Ichihashi, Appl. Phys. Lett. 63, 1047 (1993). apl APPLAB 0003-6951
14. A. Antolini, L. Francesio, L. Gastaldi, F. Genova, C. Lamberti, L. Lazzarini, C. Papuzza, C. Rigo, G. Salviati, J. Cryst. Growth 127, 189 (1993). jcr JCRGAE 0022-0248
15. J. M. Vandedenberg, R. A. Hamm, S. N. G. Chu, J. Cryst. Growth 144, 9 (1994). jcr JCRGAE 0022-0248
16. B. Lakshmi, B. J. Robinson, D. T. Cassidy, D. A. Thompson, J. Appl. Phys. 81, 3616 (1997). jap JAPIAU 0021-8979
17. A. Y. Lew, C. H. Yan, R. B. Welstand, J. T. Zhu, C. W. Tu, P. K. L. Yu, E. T. Yu, J. Electron. Mater. 26, 64 (1997). jem JECMA5 0361-5235
18. J. Decobert, G. Rondeau, H. Maher, C. Ladner, A. Falcou, S. Biblemont, G. Post, J. Cryst. Growth 195, 681 (1998). jcr JCRGAE 0022-0248
19. L. Giraudet et al., Electron. Lett. 37, 973 (2001). ell ELLEAK 0013-5194
20. A. Mircea, A. Ougazzaden, G. Primot, C. Kazmierski, J. Cryst. Growth 124, 737 (1992). jcr JCRGAE 0022-0248
21. H. Sik, A. Ougazzaden, E. Vergnol, D. Meichemin, A. Ramdane, Proceedings EW-MOVPE VIII, - Prague, 1999, T1M4, pp. 281-284.