Improvement of InGaP/GaAs heterointerface quality by controlling AsH3 flow conditions

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 17, Issue 6, 1999, Pages 2524-2529

  Fukai, Yoshino K ^a   Hyuga, Fumiaki ^a   Nittono, Takumi ^a   Watanabe, Kazuo ^a   Sugahara, Hirohiko ^a  

^a NTT CORPORATION   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0033273243     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (22)

1. J. Chen, J. R. Sites, I. L. Spaun, M. J. Hafich, and G. Y. Robinson, Appl. Phys. Lett. 58, 744 (1991).
2. K. Kitahara, M. Hoshino, and M. Ozeki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 27, L110 (1988).
3. N. Nakasha, T. Miyata, Y. Watanabe, H.. Ochimizu, S. Kuroda, and M. Takikawa, IEEE 1994 Custom Integrated Circuits Conference Dig. 391 (1994).
4. T. Takahashi, S. Sasa, A. Kawanoo, T. Iwai, and T. Fujii, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 191 (1994).
5. S. Sugitani, Y. Yamane, T. Nittono, H. Yamazaki, and K. Yamasaki, 1995 GaAs IC Symposium Digest, pp. 123-126.
6. T. W. Lee, P. A. Houston, R. Kumar, X. F. Yang, G. Hill, M. Hopkinson, and P. A. Claxton, Appl. Phys. Lett. 60, 474 (1992).
7. T. H. Lim, T. J. Miller, F. Williamson, and M. I. Nathan, Appl. Phys. Lett. 69, 1599 (1996).
8. M. O. Watanabe and Y. Ohba, Appl. Phys. Lett. 50, 906 (1987).
9. K. Kodama, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 25, L127 (1986).
10. R. P. Schneider, Jr., E. D. Jones, and D. M. Follstaedt, Appl. Phys. Lett. 65, 587 (1994).
11. F. E. G. Guimarass, B. Eisner, R. Wastphalen, B. Spangenberg, H. G. Geelen, P. Balk, and K. Heime, J. Cryst. Growth 124, 199 (1992).
12. H. Kroemer, W.-Y. Chen, J. S. Harris, Jr., and D. D. Edwall, Appl. Phys. Lett. 36, 295 (1980).
13. M. A. Rao, E. J. Caine, H. Kroemer, S. I. Long, and D. I. Babic, J. Appl. Phys. 61, 643 (1987).
14. T. Nittono, Y. K. Fukai, F. Hyuga, and N. Maeda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L1288 (1998).
15. I. Kamiya, D. E. Aspnes, H. Tanaka, L. Z. Florez, J. P. Harbison, and R. Bhat, Phys. Rev. Lett. 68, 627 (1992).
16. 3 cover samples.
17. T. Nittono, S. Sugitani, and F. Hyuga, J. Appl. Phys. 78, 5387 (1995).
18. K. Kazmierski, P. Philippe, P. Poulain, and B. de Cremoux, J. Appl. Phys. 61, 1941 (1987).
19. P. Ernst, C. Geng, F. Scholz, H. Schweizer, Y. Zhang, and A. Mascarenhas, Appl. Phys. Lett. 67, 2347 (1995).
20. S. Froyen, A. Zunger, and A. Mascarrenhas, Appl. Phys. Lett. 68, 2852 (1996).
21. K. Ozasa, M. Yuri, S. Tanaka, and H. Matsunami, J. Appl. Phys. 68, 107 (1990).
22. R. Bhat, M. A. Koza, M. J. S. P. Brasil, R. E. Nahory, C. J. Palmstrom, and B. J. Wilkens, J. Cryst. Growth 124, 576 (1992).