Evidence of phosphorus incorporation into InGaAs/InP epilayers after thermal annealing

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 11, 2003, Pages 9019-9023

  Hernandez S ^a   Blanco, N ^b   Martil I ^b   Gonzalez Diaz G ^b   Cusco R ^a   Artus L ^a  

^a INSTITUTE OF EARTH SCIENCES JAUME ALMERA   (Spain)

^b UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CRYSTALS; EVAPORATION; PHOSPHORUS; RAMAN SCATTERING; RAPID THERMAL ANNEALING; SEMICONDUCTING INDIUM PHOSPHIDE; SUBSTRATES; SURFACES;

EPILAYERS;

SEMICONDUCTING INDIUM GALLIUM ARSENIDE;

EID: 0038650931     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1565175     Document Type: Article

References (21)

1. F. E. Ejeckam, C. L. Chua, Z. H. Zhu, Y. H. Lo, M. Hong, and R. Bhat, Appl. Phys. Lett. 67, 3936 (1995).
2. M. V. Rao, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 79, 645 (1993).
3. M. V. Rao, S. M. Gulwadi, P. E. Thompson, A. Fathimulla, and O. A. Aina, J. Electron. Mater. 18, 131 (1989).
4. T. Penna, B. Tell, A. S. H. Liao, T. J. Bridges, and O. Burkhardt, J. Appl. Phys. 57, 351 (1985).
5. M. V. Rao and W. Kruppa, Electron. Lett. 22, 299 (1986).
6. M. N. Blanco, E. Redondo, F. Calle, I. Mártil, and O. González-Diáz, J. Appl. Phys. 87, 3478 (2000).
7. T. P. Pearsall, R. Caries, and J. C. Portal, Appl. Phys. Lett. 42, 436 (1983).
8. J. P. Estrera, P. D. Stevens, R. Glosser, W. M. Duncan, Y. C. Kao, H. Y. Liu, and E. A. Beam III, Appl. Phys. Lett. 61, 1927 (1992).
9. R. Cuscó, L. Artús, S. Hernández, J. Ibáñz, and M. Hopkinson, Phys. Rev. B 65, 035210 (2002).
10. A. Pinczuk, J. M. Worlock, R. E. Nahory, and M. A. Pollack, Appl. Phys. Lett. 33, 461 (1978).
11. R. K. Soni, S. C. Abbi, K. P. Jain, M. Balkanski, S. Slempkes, and J. L. Benchimol, J. Appl. Phys. 59, 2184 (1986).
12. B. Jusserand and S. Slempkes, Solid State Commun. 49, 95 (1984).
13. S. M. Kelso, D. E. Aspnes, M. A. Pollack, and R. E. Nahory, Phys. Rev. B 26, 6669 (1982).
14. R. F. Scholz and U. Gösele, J. Appl. Phys. 87, 704 (2000).
15. R. Beserman, C. Hirlimann, M. Balkanski, and J. Chevalier, Solid State Commun. 20, 485 (1976).
16. E. Bedel, R. Carles, G. Landa, and J. B. Renucci, Rev. Phys. Appl. 19, 17 (1984).
17. S. J. Yu, H. Asahi, S. Emura, H. Sumida, S. Gonda, and H. Tanoue, J. Appl. Phys. 66, 856 (1989).
18. R. Cuscó, G. Talamás, L. Artús, J. M. Martin, and G. González-Díaz, J. Appl. Phys. 79, 3927 (1996).
19. M. Wihl, M. Cardona, and J. Tauc, J. Non-Cryst. Solids 8, 172 (1972).
20. L. Artús, R. Cuscó, J. Ibáñez, J. M. Martin, and G. González-Díaz, J. Appl. Phys. 82, 3736 (1997).
21. R. Cuscó, J. Ibáñnez, and L. Artús, Phys. Rev. B 57, 12 197 (1998).