Band-gap energies and structural properties of doped Ba 0.5Sr 0.5TiO 3 thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 1, 2006, Pages

  Zheng, Y B ^a   Wang, S J ^a   Huan, A C H ^a   Tripathy, S ^a   Chai, J W ^a   Kong, L B ^b   Ong, C K ^b  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

^b NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND-GAP ENERGIES; GRAIN SIZE; MG DOPANTS;

BAND STRUCTURE; BARIUM; DOPING (ADDITIVES); MAGNESIUM PRINTING PLATES; PHASE TRANSITIONS; STRESS ANALYSIS; TITANIUM;

THIN FILMS;

EID: 30844471144     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2160718     Document Type: Article

References (30)

1. S. Y. Hou, J. Kwo, R. K. Watts, and J. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 67, 1387 (1995).
2. C. L. Chen, Appl. Phys. Lett. 78, 652 (2001).
3. J. S. Lee, H. Wang, S. Y. Lee, S. R. Foltyn, and Q. X. Jia, Appl. Phys. Lett. 83, 5494 (2003).
4. T. H. Moon, B. J. Lee, T. G. Kim, J. M. Oh, Y. W. Noh, S. W. Nam, and B. W. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1923760 86, 182904 (2005); D. A. Tenne, A. Soukiassian, X. X. Xi, T. R. Taylor, P. J. Hansen, J. S. Speck and R. A. York, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1813625 85, 4124 (2004); F. M. Pontes, J. Appl. Phys. 91, 5972 (2002).
5. T. H. Moon, B. J. Lee, T. G. Kim, J. M. Oh, Y. W. Noh, S. W. Nam, and B. W. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1923760 86, 182904 (2005); D. A. Tenne, A. Soukiassian, X. X. Xi, T. R. Taylor, P. J. Hansen, J. S. Speck and R. A. York, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1813625 85, 4124 (2004); F. M. Pontes, J. Appl. Phys. 91, 5972 (2002).
6. T. H. Moon, B. J. Lee, T. G. Kim, J. M. Oh, Y. W. Noh, S. W. Nam, and B. W. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1923760 86, 182904 (2005); D. A. Tenne, A. Soukiassian, X. X. Xi, T. R. Taylor, P. J. Hansen, J. S. Speck and R. A. York, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1813625 85, 4124 (2004); F. M. Pontes, J. Appl. Phys. 91, 5972 (2002).
7. Y. P. Wang and T. Y. Tseng, J. Mater. Sci. 34, 4573 (1999).
8. B. Panda, A. Dhar, G. D. Nigam, D. Bhattacharya, and S. K. Ray, Thin Solid Films 332, 46 (1998).
9. I. Takeuchi, H. Chang, C. Gao, P. G. Schultz, X. D. Xiang, R. P. Sharma, M. J. Downes, and T. Venkatesan, Appl. Phys. Lett. 73, 894 (1998).
10. H. D. Wu and F. S. Barnes, Integr. Ferroelectr. 22, 811 (1998).
11. H. Chang, I. Takeuchi, and X. D. Xiang, Appl. Phys. Lett. 74, 1165 (1999).
12. Q. X. Jia, B. H. Park, B. J. Gibbons, J. Y. Huang, and P. Lu, Appl. Phys. Lett. 81, 114 (2002).
13. E. Ngo, P. C. Joshi, M. W. Cole, and C. W. Hubbard, Appl. Phys. Lett. 79, 248 (2001).
14. K. B. Chong, L. B. Kong, L. F. Chen, L. Yan, C. Y. Tan, T. Yang, C. K. Ong, and T. Osipowicz, J. Appl. Phys. 95, 1416 (2004).
15. M. W. Cole, W. D. Nothwang, C. Hubbard, E. Ngo, and M. Ervin, J. Appl. Phys. 93, 9218 (2003).
16. M. W. Cole, C. Hubbard, E. Ngo, M. Ervin, M. Wood, and R. G. Geyer, J. Appl. Phys. 92, 475 (2002).
17. Y. B. Zheng, S. J. Wang, A. C. H. Huan, C. Y. Tan, L. Yan, and C. K. Ong, Appl. Phys. Lett. 86, 112910 (2005).
18. J. Im, O. Auciello, P. K. Baumann, S. K. Streiffer, D. Y. Kaufman, and A. R. Krauss, Appl. Phys. Lett. 76, 625 (2000).
19. P. C. Joshi and M. W. Cole, Appl. Phys. Lett. 77, 289 (2000).
20. W. Chang and L. Sengupta, J. Appl. Phys. 92, 3941 (2002).
21. P. S. Dobal, A. Dixit, R. S. Katiyar, D. Garcia, R. Guo, and A. S. Bhalla, J. Raman Spectrosc. 32, 147 (2001).
22. D. Barsani, P. P. Lottici, and X. Z. Ding, Appl. Phys. Lett. 72, 73 (1998).
23. J. A. Sanjurjo, E. Lopez-Cruz, and G. Burns, Phys. Rev. B 28, 7260 (1983).
24. D. H. Bao, X. Yao, N. Wakiya, K. Shinozaki, and N. Mizutani, Appl. Phys. Lett. 79, 3767 (2001).
25. Y. Wang and N. Herron, J. Phys. Chem. 95, 525 (1991).
26. G. Hodes, A. A. Yaron, F. Decker, and P. Motisuka, Phys. Rev. B 36, 4215 (1987).
27. F. Tcheliebou, H. S. Ryu, C. K. Hong, W. S. Park, and S. Baik, Thin Solid Films 305, 30 (1997).
28. D. H. Bao, H. S. Gu, and A. X. Kuang, Thin Solid Films 312, 37 (1998).
29. C. Merzy, M. Kunzery, U. Kaufmanny, I. Akasakiz, and H. Amanoz, Semicond. Sci. Technol. 11, 712 (1996).
30. W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature (London) 410, 192 (2001).