Barrier properties of very thin Ta and TaN layers against copper diffusion

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 145, Issue 7, 1998, Pages 2538-2545

  Wang, M T ^a   Lin, Y C ^a   Chen, M C ^a,b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b ELECTROCHEMICAL SOCIETY

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; COPPER; DIFFUSION IN SOLIDS; GRAIN BOUNDARIES; SEMICONDUCTING SILICON; SEMICONDUCTOR DIODES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SPUTTERING; TANTALUM COMPOUNDS; THERMODYNAMIC STABILITY; THIN FILMS;

REACTIVE SPUTTERING;

METALLIC FILMS;

EID: 0032121606     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1838675     Document Type: Article

References (36)

1. R. J. Gutmann, T. P. Chow, A. E. Kaloyeros, W. A. Lanford, and S. P. Murarka, Thin Solid Films, 262, 177 (1995).
2. N. Awaya, H. Inokawa, E. Yamamoto, Y. Okazaki, M. Miyake, Y. Arita, and T. Kobayashi, IEEE Trans. Electron Devices, ED-43, 1206 (1996).
3. V. M. Dubin and Y. S. Diiamand, J. Electrochem. Soc., 144, 898 (1997).
4. J. C. Chiou, K. C. Juang, and M. C. Chen, J. Electrochem. Soc., 140, 177 (1995).
5. J. C. Chiou, Y. J. Chen, and M. C. Chen, J. Electron. Mater., 23, 383 (1994).
6. C. A. Chang, J. Appl. Phys., 67, 566 (1990).
7. S. H. Corn and J. L. Falconer, J. Vac. Sci. Technol., A6, 1012 (1988).
8. Y. Shacham-Diamand, A. Dedhia, D. Hoffstetter, and W. G. Oldham, J. Electrochem. Soc., 140, 2427 (1993).
9. A. L. S. Loke, C. Ryu, C. P. Yue, J. S. H. Cho, and S. S. Wong, IEEE Electron Device Lett., EDL-17, 549 (1996).
10. J. C. Chiou, H. I. Wang, and M. C. Chen, J. Electrochem. Soc., 143, 990 (1996).
11. M.-A. Nicolet, Thin Solid Films, 54, 415 (1978).
12. M. Wittmer, J. Vac. Sci. Technol., A2, 273 (1984).
13. H. Ono, T. Nakano, and T. Ohta, Appl. Phys. Lett., 64, 1511 (1994).
14. W. K. Yeh, T. T. Wu, M. H. Tsai, S. C. Sun, J. C. Chuang, and M. C. Chen, VMIC Proc, June 1996, p. 541.
15. S. D. Kim, S. G. Jin, M. R. Hong, and C. T. Kim, J. Electrochem. Soc., 144, 664 (1997).
16. S. Q. Wang, J. Appl. Phys., 73, 2301 (1993).
17. J. C. Chiou, K. C. Juang, and M. C. Chen, J. Electrochem. Soc., 142, 2326 (1995).
18. X. Sun, E. Kolawa, J. S. Chen, J. S. Reid, and M. A. Nicolet, Thin Solid Films, 236, 347 (1993).
19. K. Holloway and P. M. Fryer, Appl. Phys. Lett., 57, 1736 (1990).
20. K. Holloway, P. M. Fryer, C. Cabral, Jr., J. M. E. Harper, P. J. Bailey, and K. H. Kelleher, J. Appl. Phys., 71, 5433 (1992).
21. E. Kolawa, J. S. Chen, J. S. Reid, P. J. Pokela, and M. A. Nicolet, J. Appl. Phys., 70, 1369 (1991).
22. T. Oku, E. Kawakami, M. Uekubo, K.Takahiro, S. Yamaguchi, and M. Murakami, Appl. Surf. Sci., 99, 265 (1996).
23. M. Takeyama, A. Noya, T. Sase, and A. Ohta, J. Vac. Sci. Technol., B14, 674 (1996).
24. R. G. Schad, F. Cardone, and L. Stolt, J. Appl. Phys., 73, 301 (1993).
25. M. S. Angyal, Y. S. Diamand, J. S. Reid, and M. A. Nicolet, Appl. Phys. Lett., 67, 2152 (1995).
26. T. Vasilos and W. Kingery, J. Ceram. Soc., 37, 409 (1954).
27. B. S. Kang, S. M. Lee, J. S. Kwak, D. S. Yoon, and K. Baik, J. Electrochem. Soc., 144, 1807 (1997).
28. T. T. Wu, Masters Thesis, National Chiao-Tung University, Taiwan (1996).
29. JCPDS Files card no. 25-1280.
30. JCPDS Files card no. 38-0483.
31. A. Noya, M. Takeyama, K. Sasaki, and T. Nakanishi, J. Appl. Phys., 76, 3893 (1994).
32. A. Noya, M. Takeyama, K. Sasaki, E. Aoyagi, and K. Hiraga, J. Vac. Sci. Technol., A15, 263 (1997).
33. JCPDS Files card no. 32-1283.
34. JCPDS Files card no. 6-0594.
35. JCPDS Files card no. 4-0836.
36. JCPDS Files card no. 23-224.