High quality SiGe electronic material grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition

Thin Solid Films

Volumn 459, Issue 1-2, 2004, Pages 37-40

  Chrastina, D ^a   Isella, G ^a   Rossner B ^b   Bollani, M ^d   Muller E ^e   Hackbarth, T ^c   Von Kanel H ^a  

^a POLITECNICO DI MILANO   (Italy)

^b ETH ZURICH   (Switzerland)

^c DAIMLER AG   (Germany)

^d UNIVERSITY OF MILANO BICOCCA   (Italy)

^e Labor fur Mikro und Nanotechnol   (Switzerland)

Author keywords

MODFET; Relaxed buffer; Silicon germanium (SiGe); Virtual substrate

Indexed keywords

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ETCHING; FILM GROWTH; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SEMICONDUCTING SILICON; SILICON COMPOUNDS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

MODFET; RELAXED BUFFER; SILICON-GERMANIUM (SIGE); VIRTUAL SUBSTRATES;

THIN FILMS;

EID: 2942568049     PISSN: 00406090     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/j.tsf.2003.12.090     Document Type: Conference Paper

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