Fabrication of HfO2 thin-film capacitors with a polycrystalline Si gate electrode and a low interface trap density

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 8, Issue 9, 2005, Pages

  Lee, Suk Woo ^a   Hong, Sug Hun ^a   Park, Jaehoo ^a   Cho, Moonju ^a   Park, Tae Joo ^a   Hwang, Cheol Seong ^a   Kim, Yun Seok ^b   Lim, Ha Jin ^b   Lee, Jong Ho ^b   Won, Jeong Yeon ^c  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b SAMSUNG Electronics   (South Korea)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRODES; ELECTRON TRAPS; ENERGY GAP; FABRICATION; GATES (TRANSISTOR); HAFNIUM COMPOUNDS; INTERFACES (MATERIALS); METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; POLYSILICON; SILICON WAFERS; THIN FILMS;

SILICATE FORMATION; THIN FILM CAPACITORS; WAFER TEMPERATURE;

CAPACITORS;

EID: 25144454045     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1993387     Document Type: Article

References (11)

1. C. Y. Kang, H.-J. Cho, R. Choi, C. S. Kang, Y. H. Kim, S. J. Rhee, C. H. Choi, S. M. Akbar, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 84, 2148 (2004).
2. M. Quevedo-Lopez, M. El-Bouanani, S. Addepalli, J. L. Duggan, B. E. Gnade, R. M. Wallace, M. R. Visokay, M. Douglas, and L. Colombo, Appl. Phys. Lett., 79, 4192 (2001).
3. R. Choi, C. S. Kang, H.-J. Cho, Y.-H. Kim, M. S. Akbar, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 84, 4839 (2004).
4. I. S. Jeon, J. Park, D. Eom, C. S. Hwang, H. J. Kim, C. J. Park, H. Y. Cho, J.-H. Lee, N.-I. Lee, and H.-K. Kang, Appl. Phys. Lett., 82, 1066 (2003).
5. G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
6. M. Cho, H. B. Park, J. Park, S. W. Lee, C. S. Hwang, G. H. Jang, and J. Jeong, Appl. Phys. Lett., 83, 5503 (2003).
7. M. Cho, J. Park, S. W. Lee, S. H. Hong, T. J. Park, S. K. Kim, C. S. Hwang, G. H. Jang, and J. Jeong, Appl. Phys. Lett., 85, 5953 (2004).
8. J. Park, M. Cho, H. B. Park, T. J. Park, S. W. Lee, S. H. Hong, D. S. Jeong, C. Lee, J. Choi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 85, 5965 (2004).
9. J. F. Conley, Jr., Y. Ono, D. J. Tweet, W. Zhuang, and R. Solanki, J. Appl. Phys., 93, 712 (2003).
10. J. Park, M. Cho, S. K. Kim, T. J. Park, S. W. Lee, S. H. Hong, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett., 86, 112907 (2005).
11. J. Park, B. Park, M. Cho, C. S. Hwang, K. Oh, and D. Y. Yang, J. Electrochem. Soc., 149, G89 (2002).