Structure and electrical properties of Bi3.15Nd 0.85Ti3O12 ferroelectric thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 8, 2004, Pages 4275-4281

  Wu, Di ^a   Li, Aidong ^a   Ming, Naiben ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AGGLOMERATION; ANNEALING; BISMUTH COMPOUNDS; CAPACITORS; CRACKS; ELECTRODES; FATIGUE OF MATERIALS; INTERFACES (MATERIALS); MAGNETIC HYSTERESIS; PEROVSKITE; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; REMANENCE; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

CARRIER TRANSPORT; FATIGUE RESISTANCE; FERROELECTRIC CAPACITORS; HYSTERESIS LOOP;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 2342590171     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1655678     Document Type: Article

References (33)

1. J. F. Scott, Ferroelectr. Rev. 1, 1 (1998).
2. B. H. Park, B. S. Kang, S. B. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature (London) 401, 482 (1999).
3. D. Wu, A. D. Li, T. Zhu, Z. G. Liu, and N. B. Ming, J. Appl. Phys. 88, 5941 (2000).
4. D. Wu, A. D. Li, T. Zhu, Z. F. Li, Z. G. Liu, and N. B. Ming, J. Mater. Res. 16, 1325 (2001).
5. H. N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov, and U. Gösele, Science 296, 2006 (2002).
6. H. N. Lee, D. Hesse, N. Zakharov, S. K. Lee, and U. Gösele, J. Appl. Phys. 93, 5592 (2003).
7. T. Kojima, T. Sakai, T. Watanabe, H. Funakubo, K. Saito, and M. Osada, Appl. Phys. Lett. 80, 2746 (2002).
8. T. Watanabe, H. Funakubo, M. Osada, Y. Noguchi, and M. Miyayama, Appl. Phys. Lett. 80, 100 (2002).
9. T. Watanabe, T. Kojima, T. Sakai, H. Funakubo, M. Osada, Y. Noguchi, and M. Miyayama, J. Appl. Phys. 92, 1518 (2002).
10. H. Ushida, H. Yoshikawa, I. Okada, H. Matsuda, T. Iijima, T. Watanabe, T. Kojima, and H. Funakubo, Appl. Phys. Lett. 81, 2229 (2002).
11. U. Chon, H. M. Jang, M. G. Kim, and C. H. Chang, Phys. Rev. Lett. 89, 087601 (2002).
12. U. Chon, G. C. Yi, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 78, 658 (2001).
13. U. Chon, H. M. Jang, S.-H. Lee, and G. C. Yi, J. Mater. Res. 16, 3124 (2001).
14. U. Chon, K.-B. Kim, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 79, 2450 (2001).
15. U. Chon, J. S. Shim, and H. M. Jang, J. Appl. Phys. 93, 4769 (2003).
16. J. J. Lee, C. L. Thio, S. B. Desu, Phys. Status Solidi A 151, 171 (1995).
17. J. M. Benedetto, R. A. Moore, F. B. Mchean, and P. S. Brody, IEEE Trans. Nucl. Sci. 37, 1713 (1990).
18. D. Wu, Y. D. Xia, A. D. Li, Z. G. Liu, and N. B. Ming, J. Appl. Phys. 94, 7376 (2003).
19. A. Furuya and J. D. Cuchiaro, J. Appl. Phys. 84, 6788 (1998).
20. R. E. Jones, Jr., P. D. Maniar, R. Moazzami, P. Zurcher, J. Z. Witowski, Y. T. Lii, P. Chu, and S. J. Gillespie, Thin Solid Films 270, 584 (1995).
21. R. E. Jones, Jr., P. Zurcher, P. CHu, D. J. Taylor, S. Zafar, B. Jiang, and S. J. Gillespie, Integr. Ferroelectr. 15, 199 (1997).
22. T. Kojima, T. Watanabe, H. Funakubo, K. Sait, and M. Osada, and M. Kakihana, J. Appl. Phys. 93, 1707 (2003).
23. D. Bolten, U. Böttger, and R. Waser, J. Appl. Phys. 93, 1735 (2003).
24. Y. Wu, M. J. Forbess, S. Seraji, S. J. Limmer, T. P. Chou, and G. Cao, J. Appl. Phys. 89, 5647 (2001).
25. K. Srinivas and A. R. James, J. Appl. Phys. 86, 3885 (1999).
26. J. S. Zhu, D. Su, X. M. Lu, H. X. Qin, Y. N. Wang, D. Y. Wang, H. L. W. Chan, K. H. Wong, and C. L. Choy, J. Appl. Phys. 92, 5420 (2002).
27. D. Wu, A. D. Li, L. H. Qing, T. Yu, Z. G. Liu, and N. B. Ming, J. Appl. Phys. 90, 4130 (2001).
28. W. L. Warren, H. N. Al-Shareef, D. Dimos, B. A. Tuttle, and G. E. Pike, Appl. Phys. Lett. 86, 1681 (1996).
29. J. M. Benedetto, W. M. DeLancey, T. R. Oldham, J. M. McGarrity, C. W. Tipton, M. Brassington, and D. E. Fisch, IEEE Trans. Nucl. Sci. 38, 1410 (1991).
30. R. A. Moore, J. Benedetto, and B. J. Rod, IEEE Trans. Nucl. Sci. 40, 1591 (1993).
31. K. Watanabe, A. J. Hartmann, R. N. Lamb, and J. F. Scott, J. Appl. Phys. 84, 2170 (1998).
32. W. S. Yang, N. K. Kim, S. J. Yeom, S. Y. Kweon, and J. S. Roh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 727 (2002).
33. T. Sato, T. Kuroiwa, K. Sugahara, and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 2105 (2002).