Degradation mechanism of ferroelectric properties in Pt/Bi4-xLaxTi3O12/Pt capacitors during forming gas annealing

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 15, 2001, Pages 2450-2452

  Chon, Uong ^a,b   Kim, Ki Bum ^a   Jang, Hyun M ^a  

^a Pohang University of Science and Technology (POSTECH)   (South Korea)

^b Research Institute of Industrial Science and Technology (RIST)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035828612     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1402640     Document Type: Article

References (22)

1. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature (London) 401, 682 (1999).
2. A. Kingon, Nature (London) 401, 658 (1999).
3. U. Chon, G.-C. Yi, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett. 78, 658 (2001).
4. U. Chon and H. M. Jang, J. Mater. Res. (to be published).
5. K. Ishihara, T. Ishikawa, K. Hamada, S. Onishi, J. Kudo, and L. Sakiyama, Integr. Ferroelectr. 6, 301 (1995).
6. R. Khamanker, J. Kim, B. Jiang, C. Sudhama, P. Maniar, R. Mozzami, R. Jones, and J. Lee, in Proceeding of the 1994 International Electron Device Meeting, 1994, p. 337.
7. K. K. Abdelghafar, H. Miki, K. Torri, and Y. Fujisaki, Appl. Phys. Lett. 69, 3188 (1996).
8. Y. Shimamoto, K. K. Abdelghafar, H. Miki, and Y. Fujisaki, Appl. Phys. Lett. 70, 3096 (1997).
9. H. Miki, K. K. Abdelghafar, K. Torii, and Y. Fujisaki, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1132 (1997).
10. S. Aggarwal, S. R. Perusse, C. W. Tipton, R. Ramesh, J. D. Drew, T. Venkatesan, D. B. Romero, V. B. Podobedov, and A. Weber. Appl. Phys. Lett. 73, 1973 (1998).
11. S. Aggarwal, S. R. Perusse, B. Nagaraj, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 74, 3023 (1999).
12. S. Aggarwal, S. R. Perusse, C. J. Kerr, R. Ramesh, D. B. Romero, J. T. Evans, Jr., L. Boyer, and G. Velasquez, Appl. Phys. Lett. 76, 918 (2000).
13. J. Im, O. Auciello, A. R. Krauss, D. M. Gruen, R. R. H. Chang, S. H. Kim, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 74, 1162 (1999).
14. J.-P. Han and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 71, 1267 (1997).
15. T. Tamura, K. Matsuura, H. Ashida, K. Kondo, and S. Otani, Appl. Phys. Lett. 74, 3395 (1999).
16. S.-K. Hong, C. W. Suh, C. G. Lee, S. W. Lee, E. Y. Kang, N. S. Kang, C. S. Hwang, and S. Kwon, Appl. Phys. Lett. 77, 76 (2000).
17. B. Yang, C. W. Suh, C. G. Lee, E. Y. Kang, Y. M. Kang, S. S. Lee, S. K. Hong, N. S. Kang, and J. M. Yang. Appl. Phys. Lett. 77, 1372 (2000).
18. C. H. Park and D. J. Chadi, Phys. Rev. Lett. 84, 4717 (2000).
19. K. Niwa, Y. Kotaka, M. Tomotani, H. Ashida, Y. Goto, and S. Otani, Acta Mater. 48, 4755 (2000).
20. U. Chon, H. M. Jang, S. H. Lee, and G.-C. Yi, J. Mater. Res. (to be published).
21. B. H. Park, S. J. Hyun, C. R. Moon, B.-D. Choe, J. Lee, C. Y. Kim, W. Jo, and T. W. No, J. Appl. Phys. 84, 4428 (1998).
22. G. Koren, A. Gupta, R. J. Baseman, M. I. Lutwyche, and R. B. Laibowitz, Appl. Phys. Lett. 55, 2450 (1989).