Magnetic and electrical-transport property variations of epitaxially grown MnAs thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 10, 2005, Pages

  Song, J H ^a   Lee, J J ^a   Cui, Y ^a   Ketterson, J B ^a,b  

^a NORTHWESTERN UNIVERSITY   (United States)

^b Northwestern University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYOSTAT; FERROMAGNETIC BEHAVIOR; FILM THICKNESS; GROWTH TEMPERATURE;

ELECTRON TRANSPORT PROPERTIES; LIGHT EMITTING DIODES; MAGNETIC PROPERTIES; MANGANESE COMPOUNDS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTOR GROWTH; SUBSTRATES;

THIN FILMS;

EID: 20944440804     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1853871     Document Type: Conference Paper

References (19)

1. G. A. Prinz, Science 0036-8075 250, 1092 (1990); G. A. Prinz, Science 282, 1660 (1998).
2. G. A. Prinz, Science 0036-8075 250, 1092 (1990); G. A. Prinz, Science 282, 1660 (1998).
3. D. P. DiVincenzo, Science 270, 255 (1995).
4. H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto, and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996).
5. Y. D. Park, A. T. Hanbicki, S. C. Erwin, C. S. Hellberg, J. M. Sullivan, J. E. Mattson, T. F. Ambrose, A. Wilson, G. Spanos, and B. T. Jonker, Science 295, 651 (2002).
6. Y. Ohno, D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, and D. D. Awschalom, Nature (London) 402, 790 (1999).
7. H. Ohno, Science 0036-8075 10.1126/science.281.5379.951 281, 951 (1998); T. Hayashi, M. Tanaka, and A. Asamitsu, J. Appl. Phys. 87, 4673 (2000).
8. H. Ohno, Science 0036-8075 10.1126/science.281.5379.951 281, 951 (1998); T. Hayashi, M. Tanaka, and A. Asamitsu, J. Appl. Phys. 87, 4673 (2000).
9. M. Tanaka, J. P. Harbison, T. Sands, T. L. Cheeks, V. G. Keramidas, and G. M. Rothberg, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1091 (1994).
10. F. Schippan, G. Behme, L. Däweritz, K. H. Ploog, B. Dennis, K.-U. Neumann, and K. R. A. Ziebeck, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1287607 88, 2766 (2000); F. Schippan, A. Trampett, L. Däweritz, and K. H. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1716 (1999).
11. F. Schippan, G. Behme, L. Däweritz, K. H. Ploog, B. Dennis, K.-U. Neumann, and K. R. A. Ziebeck, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1287607 88, 2766 (2000); F. Schippan, A. Trampett, L. Däweritz, and K. H. Ploog, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1716 (1999).
12. M. Ramsteiner, H. Y. Hao, A. Kawaharazuka, H. J. Zhu, M. Kästner, R. Hey, L. Däweritz, H. T. Grahn, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 66, 081304(R) (2002).
13. M. Tanaka, Semicond. Sci. Technol. 17, 327 (2002); J. H. Song, J. J. Lee, Y. Cui, J. B. Ketterson, and S. Cho (unpublished).
14. M. Tanaka, Semicond. Sci. Technol. 17, 327 (2002); J. H. Song, J. J. Lee, Y. Cui, J. B. Ketterson, and S. Cho (unpublished).
15. M. Tanaka, J. P. Harbison, and G. M. Rothberg, J. Cryst. Growth 150, 1132 (1995).
16. S. H. Chun, S. J. Potashnik, K. C. Ku, J. J. Berry, P. Schiffer, and N. Samarth, Appl. Phys. Lett. 78, 2530 (2001).
17. V. M. Kaganer, B. Jenichen, F. Schippan, W. Braun, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 85, 341 (2000).
18. K. Akeura, M. Tanaka, M. Ueki, and T. Nishinaga, Appl. Phys. Lett. 67, 3349 (1995).
19. T. Maeda and H. Tanaka, J. Cryst. Growth 201-202, 194 (1999).