Optical absorption and temperature-dependent resistivity of GaMnN grown by molecular beam epitaxy

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 5, Issue 11, 2002, Pages

  Kim, Jihyun ^a   Ren, F ^a   Polyakov, A Y ^a   Smirnov, N B ^a   Govorkov, A V ^a   Pashova, N Y ^a   Thaler, G T ^b   Overberg, M E ^b   Abernathy, C R ^b   Pearton, S J ^b  

^a University of Florida   (United States)

^b INSTITUTE OF RARE METALS   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ACTIVATION ENERGY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC CONDUCTIVITY MEASUREMENT; ELECTRON TRANSITIONS; FERMI LEVEL; LIGHT ABSORPTION; MANGANESE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; OPTICAL VARIABLES MEASUREMENT; SCHOTTKY BARRIER DIODES; THERMAL EFFECTS;

CONDUCTION BAND; OPTICAL ABSORPTION MEASUREMENTS; TEMPERATURED DEPENDENT RESISTIVITY; TRANSMISSION LINE METHOD;

SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS;

EID: 17544397007     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1511343     Document Type: Article

References (21)

1. M. L. Reed, N. A. El-Masry, H. H. Stadelmaier, M. K. Ritums, M. J. Reed, C. A. Parker, J. C. Roberts, and S. M. Bedair, Appl. Phys. Lett., 79, 3473 (2001).
2. G. T. Thaler, M. E. Overberg, B. Gila, R. Frazier, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. S. Lee, S. Y. Lee, Y. D. Park, Z. G. Khim, J. Kim, and F. Ren, Appl. Phys. Lett., 80, 3964 (2002).
3. M. E. Overberg, B. P. Gila, G. T. Thaler, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, S. B. Arnason, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, R. G. Wilson, J. M. Zavada, and Y. D. Park, J. Vac. Sci. Technol. B, 20, 969 (2002).
4. T. Sasaki, S. Sonoda, Y. Yamamoto, K. Suga, S. Shimizu, K. Kindo, and H. Hori, J. Appl. Phys., 91, 7911 (2002).
5. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, S. N. G. Chu, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, J. Appl. Phys., 91, 7499 (2002).
6. N. Theodoropoulou, A. F. Hebard, M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, S. N. G. Chu, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett., 78, 3475 (2001).
7. M. E. Overberg, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, N. A. Theodoropoulou, K. T. McCarthy, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett., 79, 1312 (2001).
8. S. E. Park, H.-J. Lee, Y. C. Cho, S.-Y. Jeong, C. R. Cho, and S. Cho, Appl. Phys. Lett., 80, 4187 (2002).
9. S. Sonoda, S. Shimizu, T. Sasaki, Y. Yamamoto, and H. Hori, J. Cryst. Growth, 237-239, 1358 (2002).
10. M. Hashimoto, Y.-K. Zhou, M. Kanamura, and H. Asahi, Solid State Commun., 122, 37 (2002).
11. K. Ueda, H. Tabata, and T. Kawai, Appl. Phys. Lett., 79, 988 (2001).
12. Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, and H. Koinuma, Science, 291, 854 (2001).
13. G. A. Medvedkin, T. Ishibashi, T. Nishi, K. Hayata, Y. Hasegawa, and K. Sato, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 39, L949 (2000).
14. T. Dietl, J. Appl. Phys., 89, 7437 (2001).
15. H. Ohno, Science, 281, 951 (1998).
16. R. Y. Korotkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Appl. Phys. Lett., 80, 1731 (2002).
17. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuovo, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barratt, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran, and M. Schurman, Appl. Phys. Lett., 69, 1119 (1996).
18. A. G. Baca, F. Ren, J. C. Zolper, R. D. Briggs, and S. R. Pearton, Thin Solid Films, 308, 549 (1997).
19. J. C. Dyment, J. C. Nortk, and L. A. D'Asaro, J. Appl. Phys., 44, 207 (1973).
20. R. J. Kororkov, J. M. Gregie, and B. W. Wessels, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 639, G3.7.1 (2001).
21. D. W. Jenkins, J. D. Dow, and M.-H. Tsai, J. Appl. Phys., 72, 4130 (1992).