Simulation of oxygen vacancy induced phenomena in ferroelectric thin films

Journal of Applied Physics

Volumn 97, Issue 3, 2005, Pages

  Li, Kwok Tung ^a   Lo, Veng Cheong ^a  

^a HONG KONG POLYTECHNIC UNIVERSITY   (Hong Kong)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COERCIVE FIELDS; DIPOLE ORIENTATIONS; FOUR-STATE POTTS MODEL; PSEUDOSPIN MATRIX;

BOUNDARY CONDITIONS; CHARGE CARRIERS; COERCIVE FORCE; COMPUTER SIMULATION; ELECTRIC FIELDS; ELECTRODES; LEAD ALLOYS; MATHEMATICAL MODELS; MATRIX ALGEBRA; OXYGEN; PEROVSKITE; REDUCTION; TWO DIMENSIONAL;

FERROELECTRIC THIN FILMS;

EID: 13644279561     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1846947     Document Type: Article

References (35)

1. J. F. Scott, Ferroelectric Memories (Springer-Verlag, Berlin, 2000).
2. K. R. Udayakumar, P. J. Schuele, J. Chen, S. B. Knipanidhi, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 77, 3981 (1995).
3. J. Zhu, X. Zhang, Y. Zhu and S. B. Desu, J. Appl. Phys. 83, 1610 (1998).
4. A. K. Taganstev and I. A. Stolichnov, Appl. Phys. Lett. 74, 1326 (1999).
5. P. K. Larsen, G. J. M. Dormans, D. J. Taylor, and P. J. van Veldhoven, J. Appl. Phys. 76, 2405 (1994).
6. H. Z. Jin and J. Zhu, J. Appl. Phys. 92, 4594 (2002).
7. L. J. Sinnamon, R. M. Bowman, and J. M. Gregg, Appl. Phys. Lett. 78, 1724 (2001).
8. V. M. Fridkin, S. Ducharme, A. V. Bune, S. P. Palto, S. G. Yudin, and L. M. Blinov, Ferroelectrics 236, 1 (2000).
9. K. T. Li and V. C. Lo, J. Ceram. Soc. Jpn. 112, S1 (2004).
10. W. Ma, M. Zhang, L. Sun, Y. Chen, N. Ming, Y. Jin, and Q. Huang, Ferroelectr., Lett. Sect. 23, 153 (1998).
11. A. K. Tagantsev, I. Stolichnov, E. L. Colla, and N. Setter, J. Appl. Phys. 90, 1387 (2001).
12. W. L. Warren, D. Dimos, B. A. Tuttle, G. E. Pike, R. W. Schwartz, P. J. Clews, and D. C. McIntyre, J. Appl. Phys. 77, 6695 (1995).
13. A. Q. Jiang, J. F. Scott, and M. Dawber, J. Appl. Phys. 92, 6765 (2002).
14. H. M. Duiker, P. D. Beal, J. F. Scott, C. A. Pas de Araujo, B. M. Melnice, J. D. Cuchiro, and L. D. McMillan, J. Appl. Phys. 68, 5783 (1990).
15. C. H. Park and D. J. Chadi, Phys. Rev. B 57, R13961 (1998).
16. C. W. Law, K. Y. Tong, J. H. Li, and M. C. Poon, Thin Solid Films 354, 162 (1999).
17. J. F. Scott, C. A. Paz de Araujo, B. N. Melnick, L. D. McMillan, and R. Zuleeg, J. Appl. Phys. 70, 382 (1991).
18. L. He and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 68, 134103 (2003).
19. V. Nagarajan, I. G. Jenkins, S. P. Alpay, H. Li, S. Aggarwal, L. Salamanca-Riba, A. L. Roytburd, and R. Ramesh, J. Appl. Phys. 86, 595 (1999).
20. H. Qian and L. A. Bursill, Int. J. Mod. Phys. B 10, 2027 (1996).
21. S. Tsunekawa, T. Fukuda, T. Ozaki, Y. Yoneda, T. Olabe, and H. Terauchi, J. Appl. Phys. 84, 999 (1998).
22. F. Y. Wu, Rev. Mod. Phys. 54, 235 (1982).
23. V. C. Lo, J. Appl. Phys. 92, 6778 (2002).
24. V. C. Lo, K. H. Wong, and K. S. So, Thin Solid Films (to be published).
25. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981).
26. T. Mihara, H. Watanabe, and C. A. Pas de Araujo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 5281 (1994).
27. S. W. Sides, P. A. Rikvold, and M. A. Novotny, Phys. Rev. E 59, 2710 (1999).
28. F. Joan and G. Shirane, Ferroelectric Crystals (Pergamon, New York, 1993).
29. H. Fujisawa, S. Nakashima, K. K. M. Shimizu, and H. Niu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 5392 (1999).
30. D. Ricinschi and M. Okuyama, Integr. Ferroelectr. 50, 149 (2002).
31. E. Paton, M. Brazier, S. Mansour, and A. Bernent, Integr. Ferroelectr. 18, 29 (1997).
32. S. B. Majumder, Y. N. Mohapatra, and D. C. Agrwal, Appl. Phys. Lett. 70, 138 (1997).
33. D. Dimos, H. N. Al-Shareef, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. 80, 1682 (1996).
34. M. Dawber and J. F. Scott, Appl. Phys. Lett. 76, 1060 (2000).
35. H. N. Al-Shareef, B: A. Tuttle, W. L. Warren, T. J. Headley, D. Dimos, J. A. Voigt, and R. D. Nasby, J. Appl. Phys. 79, 1013 (1996).