Thickness and substrate effects of epitaxial PbTiO3 thin films

Ferroelectrics, Letters Section

Volumn 23, Issue 5-6, 1998, Pages 153-164

  Ma, Wenhui ^a  

^a SOUTHEAST UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; FERROELECTRICITY; LANTHANUM COMPOUNDS; LEAD COMPOUNDS; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; SINGLE CRYSTALS; STRONTIUM COMPOUNDS; SUBSTRATES; SURFACE STRUCTURE; THIN FILMS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

LANTHANUM ALUMINUM OXIDE; LEAD TITANATE; STRONTIUM TITANATE;

FERROELECTRIC MATERIALS;

EID: 0031651435     PISSN: 07315171     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1080/07315179808204191     Document Type: Article

References (22)

1. J. F. Scott, C. A. Araujo, Science 246, 1400 (1989).
2. M. H. Francombe and S. V. Krishnaswamy, J. Vac. Sci. Technol. A8, 1382 (1990).
3. M. E. Lines and A. M. Glass, Principles and Applications of Ferroelectrics and Related Materials (Clarendon Press, Oxford, 1977).
4. B. S. Kwak, A. Erbil, J. D. Budai, M. F. Chisholm, L. A. Boatner, B. J. Wilkens, Phys. Rev. B49, 14865 (1994).
5. Z. Li, C. M. Foster, D. Guo, H. Zhang, G. R. Bai, P. M. Baldo and L. E. Rehn, Appl. Phys. Lett. 65, 1106 (1994).
6. W. H. Ma, Q. Li, Y. F. Chen, T. Yu and N. B. Ming, Integrated Ferroelectrics 9, 291 (1995).
7. Y. F. Chen, T. Yu, J. X. Chen, L. Shun, P. Li, N. B. Ming, Appl. Phys. Lett. 66, 148 (1995).
8. Y. F. Chen, L. Sun, T. Yu, J. X. Chen, N. B. Ming, D. S. Ding, L. W. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 3503 (1995).
9. M. de Keijser, G. J. M. Dormans, J. F. H. Cillessen, D. M. de Leeuw, H. M. Zandbergen, Appl. Phys. Lett. 58, 2636 (1991).
10. J. R. Slack, J. C. Burfoot, J. Phys. C: Solid St. Phys., 4, 898 (1971).
11. I. P. Batra, P. Wurfel, and B. D. Silverman, Phys. Rev. Lett. 30, 384 (1973).
12. Y. Sakashita, H. Segawa, K. Tominaga, M. Okada, J. Appl. Phys. 73, 7857 (1993).
13. T. Hayashi, N. Oji, H. Maiwa, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 5277 (1994).
14. F. Tsai, J. M. Cowley, Appl. Phys. Lett. 65, 1906 (1994).
15. W. H. Ma, Q. Li, Y. F. Chen, T. Yu, L. Shun, N. B. Ming, Chin. Phys. Lett. 12, 759 (1995).
16. W. H. Ma, M. S. Zhang, L. Shun, Y. F. Chen, N. B. Ming, J. Phys.: Condens. Matter 7, 9075 (1995).
17. M. de Keijser, G. J. M. Dormans, P. J. van Veldhoven, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 59, 3556 (1991).
18. B. S. Kwak, E. P. Boyd, and A. Erbil, Appl. Phys. Lett. 53, 1702 (1988).
19. R. J. Nelmes and A. Katrusiak, J. Phys. C: Solid State Phys. 19, L725 (1986).
20. G. Burns and B. A. Scott, Phys. Rev. B7, 3088 (1970).
21. B. D. Qu, Y. G. Wang, W. L. Zhong, K. M. Wang, Z. L. Wang, J. Appl. Phys. 71, 3467 (1995).
22. J. F. Scott, M. S. Zhang, R. B. Godfrey, C. Araujo, and L. McMillan, Phys. Rev. B35, 4044 (1987).