Deep-Ultraviolet Raman Microspectroscopy: Characterization of Wide-Gap Semiconductors

Applied Spectroscopy

Volumn 58, Issue 2, 2004, Pages 224-229

  Nakashima, Shin Ichi ^a   Okumura, Hazime ^a   Yamamoto, Taketsugu ^b   Shimidzu, Ryosuke ^c  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^b SUMITOMO CHEMICAL CO LTD   (Japan)

^c PHOTON Design Corporation   (Japan)

Author keywords

AlGaN; Baddeleyite; Deep ultraviolet Raman microspectroscopy; Diamond; DUV Raman microspectroscopy; High dispersion; Low frequency spectra; Resonant Raman effect; SiC; Wide gap semiconductors

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; CHARGE COUPLED DEVICES; COOLING; CRYSTALS; DIAMONDS; LASER APPLICATIONS; NITROGEN; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON CARBIDE; SPECTROMETERS; ULTRAVIOLET RADIATION;

DEEP-ULTRAVIOLET RAMAN MICROSPECTROSCOPY; DUV RAMAN MICROSPECTROSCOPY; HIGH DISPERSION; LOW FREQUENCY SPECTRA; RESONANT RAMAN EFFECT; WIDE-GAP SEMICONDUCTORS;

RAMAN SPECTROSCOPY;

EID: 1342347284     PISSN: 00037028     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1366/000370204322842977     Document Type: Article

References (33)

1. S. A. Asher, Handbook of Vibrational Spectroscopy, J. M. Chalmers and P. R. Griffiths, Eds. (John Wiley and Sons, Chichester, 2002), vol. 1, p. 557.
2. V. Pajcini, C. H. Munro, R. W. Bonnett, R. E. Witkowski, and S. A. Asher, Appl. Spectrosc. 51, 81 (2001).
3. M. C. Sparrow, J. F. Jackovitz, C. H. Munro, W. F. Hug, and S. A. Asher, Appl. Spectrosc. 55, 66 (2001).
4. H. S. Sands, F. Demangeot, E. Bonera, S. Webster, R. Bennett, I. P. Hayward, F. Marchi, D. A. Smith, and D. N. Batchelder, J. Raman Spectrosc. 33, 730 (2002).
5. K. W. R. Gilkes, H. S. Sands, D. N. Batchelder, W. I. Milne, and J. Robertson, J. Non-Cryst. Solids 227-230, 612 (1998).
6. N. N. Boustany, R. Manoharan, R. R. Dasari, and M. S. Feld, Appl. Spectrosc. 54, 24 (2000).
7. B. T. Cooper, G. D. Chumanov, and T. M. Cotton, Appl. Spectrosc. 51, 1431 (1997).
8. R. W. Bornett, S. A. Asher, R. E. Witowski, W. D. Partlow, R. Lizewski, and F. Pettit, J. Appl. Phys. 77, 5916 (1995).
9. K. W. R. Gilkes, H. S. Sands, D. N. Batchelder, J. Robertson, and W. I. Milne, Appl. Phys. Lett. 70, 1980 (1997).
10. V. I. Merkulov, J. S. Lannin, C. H. Munro, S. A. Asher, V. S. Veerasamy, and W. I. Milne, Phys. Rev. Lett. 78, 4869 (1997).
11. S. M. Huang, Z. Sun, Y. F. Lu, and M. H. Hong, Appl. Phys. A 74, 519 (2002).
12. S. M. Huang, Z. Sun, Y. F. Lu, and M. H. Hong, Surf. Coat. Technol. 151-152, 263 (2002).
13. L. S. Greek, H. G. Schulze, M. W. Blades, C. A. Haynes, K.-F. Klein, and R. F. B. Turner, Appl. Opt. 37, 170 (1998).
14. M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, H. Sands, D. N. Batchelder, S. Clur, and O. Briot, Appl. Phys. Lett. 74, 549 (1999).
15. M. Kuball, F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, D. N. Batchelder, and O. Briot, Phys. Stat. Sol., B 215, 105 (1999).
16. F. Demangeot, J. Frandon, M. A. Renucci, H. S. Sands, D. N. Batchelder, O. Briot, and S. Ruffennach-Clur, Solid State Commun. 109, 519 (1999).
17. T. R. Ravindran and J. V. Badding, Solid State Commun. 121, 391 (2002).
18. Y. H. Cheng, B. K. Tay, S. P. Lau, X. Shi, X. L. Qiao, Z. H. Sun, J. G. Chen, Y. P. Wu, and C. S. Xie, Diamond Relat. Mater. 10, 2137 (2001).
19. D. H. Lee, X. M. He, K. C. Walter, M. Nastasi, J. R. Tesmer, M. Tuszewski, and D. R. Tallant, Appl. Phys. Lett. 73, 2423 (1998).
20. D. Alexson, L. Bergman, R. J. Nemanich, M. Dutta, M. A. Stroscio, C. A. Parker, S. M. Bedair, N. A. El-Masry, and F. Adar, J. Appl. Phys. 89, 798 (2991).
21. M. Bowden, G. D. Dickson, D. J. Gardiner, and D. J. Wood, Appl. Spectrosc. 44, 1679 (1990).
22. S. Nakashima, H. Katahama, Y. Nakakura, and A. Mitsuishi, Phys. Rev. B 33, 5721 (1986).
23. S. Nakashima and K. Tahara, Phys. Rev. B 40, 6339 (1989).
24. S. Nakashima and K. Tahara, Phys. Rev. B 40, 6345 (1989).
25. T. Tomita, S. Saito, M. Baba, M. Hundhausen, T. Suemoto, and S. Nakashima, Phys. Rev. B 62, 12896 (2000).
26. B. A. Weinstein and M. Cardona, Phys. Rev. B 8, 2795 (1973).
27. A. Compaan and H. Z. Cummins, Phys. Rev. Lett. 31, 41 (1973).
28. S. S. Islam, S. Rath, K. P. Jain, S. A. Abbi, C. Jurian, and M. Balkanski, Phys. Rev. B 46, 4982 (1992).
29. A. Jorio, A. G. Souza Filho, V. W. Brar, A. K. Swan, M. S. Ünlü, B. B. Goldberg, A. Right, J. H. Hafner, C. M. Lieber, R. Saito, G. Dresselhaus, and M. S. Dresselhaus, Phys. Rev. B 65, 121402 (2002).
30. S. Nakashima and H. Harima, Phys. Stat. Sol., A 162, 39 (1997).
31. H. Harima, S. Nakashima, and T. Uemura, J. Appl. Phys. 78, 1996 (1995).
32. H. R. Philipp and E. A. Taft, "Proc. of the Conference on Silicon Carbide" (Boston, MA, 1959), J. R. O'Conor and J. Smiltens, Eds. (Pergamon Press, Oxford, 1960), p. 366.
33. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Höpler, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).