Low temperature growth of amorphous Si nanoparticles in oxide matrix for efficient visible photoluminescence

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 6, 2004, Pages 2654-2657

  Ma, L B ^a   Ji, A L ^a   Liu, C ^a   Wang, Y Q ^a   Cao, Z X ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMORPHOUS MATERIALS; FABRICATION; FOURIER TRANSFORM INFRARED SPECTROSCOPY; LUMINESCENCE; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; RAMAN SCATTERING; RAPID THERMAL ANNEALING;

ANNEALING TEMPERATURE; CHEMICAL STABILITY; MICRO-RAMAN SCATTERING; SILICON-RICH OXIDE FILMS;

SILICON;

EID: 13244265000     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1819925     Document Type: Article

References (26)

1. L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1045 (1990).
2. A. G. Cullis, L. T. Canham, and P. D. J. Caleott, J. Appl. Phys. 82, 909 (1997).
3. F. Iacona, G. Franzo, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000).
4. Y. Q. Wang, G. L. Kong, W. D. Chen, H. W. Diao, C. Y. Chen, S. B. Zhang, and X. B. Liao, Appl. Phys. Lett. 81, 4174 (2002).
5. M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, and J. Biasing, Appl. Phys. Lett. 80, 661 (2002).
6. M. Zacharias, J. Blsing, P. Veit, L. Tsybeskov, K. Hirschman, and P. M. Fauchet, Appl. Phys. Lett. 74, 2614 (1999).
7. M. L. Brongersma, P. G. Kik, A. Polman, K. S. Min, and H. A. Atwater, Appl. Phys. Lett. 76, 351 (2000).
8. C. H. Lin, S. C. Lee, and Y. F. Chen, Appl. Phys. Lett. 63, 902 (1993).
9. Z. X. Ma, X. B. Liao, J. He, G. Z. Yue, Y. Q. Wang, W. C. Chen, and G. L. Kong, Solid State Commun. 104, 587 (1997).
10. H. Rinnert, M. Vergnet, and A. Burneau, J. Appl. Phys. 89, 237 (2001).
11. H. Watanabe, K. Haga, and T. Lohner, J. Non-Cryst. Solids 164-166, 1085 (1993).
12. Y. Q. Wang, X. B. Liao, H. W. Diao, W. C. Cheng, G. H. Li, C. Y. Chen, S. B. Zhang, Y. Y. Xu, W. D. Chen, and G. L. Kong, Sci. China, Ser. A: Math., Phys., Astron. 45, 1320 (2002).
13. F. Iacona, G. Franzo, and C. Spinella, J. Appl. Phys. 87, 1295 (2000).
14. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, and S. Hasegawa, J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).
15. M. H. Brodsky, Manuel Cardona, and J. J. Cuomo, Phys. Rev. B 16, 3556 (1977).
16. P. G. Pai, S. S. Chao, Y. Takagi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 689 (1986).
17. H. Ono, T. Ikarashi, K. Ando, and T. Kitano, J. Appl. Phys. 84, 6064 (1998).
18. E. Andres, A. Prado, F. Martynez, I. Martil, D. Bravo, and F. Lopez, J. Appl. Phys. 87, 1187 (2000).
19. W. Y. Ching, Phys. Rev. B 26, 6610 (1982).
20. B. Lesiak, J. Zemek, and A. Jozwik, Appl. Surf. Sci. 135, 318 (1998).
21. B. Greenberg and T. Marshall, J. Electrochem. Soc. 135, 2295 (1988).
22. B. Hinds, F. Wang, D. Wolfe, C. Hinkle, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 16(4), 2171 (1998).
23. J. B. Xia and K. W. Cheah, Phys. Rev. B 59, 14876 (1999).
24. A. Puzder, A. J. Williamson, J. C. Grossmam, and G. Galli, Phys. Rev. Lett. 88, 097401 (2002).
25. A. J. Kenyon, P. F. Trwoga, C. W. Pitt, and G. Rehm, J. Appl. Phys. 79, 9291 (1996).
26. C. Y. Chen, W. D. Chen, S. F. Song, Z. J. Xu, X. B. Liao, G. H. Li, and K. Ding, J. Appl. Phys. 94, 5599 (2003).