First-principles study of the origin of retarded diffusion of boron in silicon in the presence of germanium [46]

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 70, Issue 16, 2004, Pages 1-10

  Wang, Liguo ^a   Clancy, Paulette ^a   Murthy, C S ^b  

^a Department of Obstetrics Gynecology   (United States)

^b IBM   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BORON; GERMANIUM; SILICON;

AB INITIO CALCULATION; ARTICLE; ATOM; DIFFUSION; ENERGY TRANSFER; TRANSPORT KINETICS;

EID: 11344265753     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.70.165206     Document Type: Article

References (43)

1. The International Technology Roadmap for Semiconductors (International Sematech, Austin, Tx, 2001).
2. W. K. Hofker, H. W. Werner, D. P. Oostheok, and N. J. Koeman, Appl. Phys. 4, 125 (1974).
3. T. E. Seidel, D. J. Linscher, C. S. Pai, R. V. Knoell, D. M. Mather, and D. C. Johnson, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 7/8, 251 (1985).
4. A. Agarwal, A. T. Fiory, and H. L. Gossmann, Semicond. Int. 22, 71 (1999).
5. A. T. Fiory, J. Electron. Mater. 31, 981 (2002).
6. A. G. Cullis, H. C. Weber, and N. G. Chew, Appl. Phys. Lett. 36, 547 (1980).
7. R. F. Wood, J. R. Kirkpatrick, and G. E. Giles, Phys. Rev. B 23, 5555 (1981).
8. J. Narayan, O. W. Holland, W. H. Christie, and J. J. Wortman, J. Appl. Phys. 55, 1125 (1983).
9. J. Narayan, O. W. Holland, W. H. Christie, and J. J. Wortman, J. Appl. Phys. 57, 2709 (1984).
10. A. D.N. Paine, M. Morookz, A. F.W. Willoughby, J. M. Bonar, P. Phyillips, M. G. Dowsett, and G. Cooke, Mater. Sci. Forum 196-201, 345 (1995).
11. P. Kuo, J. L. Hoyt, J. F. Gibbons, J. E. Turner, R. D. Jacowitz, and T. L. Kamins, Appl. Phys. Lett. 62, 612 (1993).
12. P. Kuo, J. L. Hoyt, J. F. Gibbons, J. E. Turner, R. D. Jacowitz, and D. Lefforge, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 379, 373 (1995).
13. W. T. Fang, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 379, 379 (1995).
14. R. F. Lever, J. M. Bonar, and A. F. W. Willoughby, J. Appl. Phys. 83, 1988 (1998).
15. N. R. Zangenberg, J. Fage-Pedersen, J. Lundsgaard Hansen, and A. Nylandsted Larsen, Defect Diffus. Forum 194-199, 703 (2001).
16. S. Uppal, A. F.W. Willoughby, J. M. Bonar, A. G. R. Evans, N. E. B. Cowern, R. Morris, and M. G. Dowsett, Physica B 308-310, 525 (2001).
17. P. Kuo, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, Appl. Phys. Lett. 67, 706 (1995).
18. A. Antonelli and J. Bernholc, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 163, 523 (1990).
19. P. Kuo, J. L. Hoyt, J. F. Gibbons, J. E. Turner, and D. Lefforge, Appl. Phys. Lett. 66, 580 (1995).
20. N. Moriya, L. C. Feldman, H. S. Luftman, C. A. King, J. Bevk, and B. Freer, Phys. Rev. Lett. 71, 883 (1993).
21. A. F. W. Willoughby, A. G. R. Evans, P. Champ, K. J. Yallup, D. J. Godfrey, and M. G. Dowsett, J. Appl. Phys. 59, 2392 (1986).
22. N. E. B. Cowern and D. J. Godfrey, Compel 6, 59 (1987).
23. J. C. Bean, A. T. Fiory, R. Hull, and R. T. Lynch, in First International Symposium on Si Molecular Beam Epitaxy, edited by J. C. Bean (Pennington, New Jersey, 1985).
24. K. C. Pandey, Phys. Rev. Lett. 57, 2287 (1986).
25. A. Antonelli, S. Ismail-Beigi, E. Kaxiras, and K. C. Pandey, Phys. Rev. B 53, 1310 (1996).
26. P. M. Fahey, P. B. Griffin, and J. D. Plummer, Rev. Mod. Phys. 61, 289 (1989).
27. S. M. Hu, Mater. Sci. Eng., R. 13, 105 (1994).
28. S. Ismail-Beigi and T. Arias, Comput. Phys. Commun. 128, 1 (2000).
29. D. R. Hamann, Phys. Rev. B 40, 2980 (1989).
30. J. P. Perdew, J. A. Chevary, S. H. Vosko, K. A. Jackson, M. R. Pederson, and D. J. Singh, Phys. Rev. B 46, 6671 (1992).
31. P. J. H. Denteneer, C. G. Van de Walle, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. B 39, 10 809 (1989).
32. H. J. Monkhorst and J. D. Pack, Phys. Rev. B 13, 5188 (1976).
33. J. L. Mercer, J. S. Nelson, A. F. Wright, and E. B. Stechel, Modell. Simul. Mater. Sci. Eng. 6, 1 (1998).
34. H. Li, P. Kohli, S. Ganguly, T. A. Kirichenko, and P. Zeitzoff, Appl. Phys. Lett. 77, 2683 (2000).
35. J. Zhu, T. D. dela Rubia, L. H. Yang, C. Mailhiot, and G. H. Gilmer, Phys. Rev. B 54, 4741 (1996).
36. P. E. Blochl, E. Smargiassi, R. Car, D. B. Laks, W. Andreoni, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 70, 2435 (1993).
37. M. Tang, L. Colombo, and T. Diaz de la Rubia, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 396, 33 (1996).
38. B. W. Roberts, W. Luo, K. A. Johnson, and P. Clancy, Chem. Eng. J. 74, 67 (1999).
39. Y. Bar-Yam and J. D. Joannopoulos, Phys. Rev. Lett. 52, 1129 (1984).
40. G. A. Baraff and M. Schlüter, Phys. Rev. B 30, 3460 (1984).
41. R. Car, P. J. Kelly, A. Oshiyama, and S. T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 52, 1814 (1984).
42. P. J. Kelly and R. Car, Phys. Rev. B 45, 6543 (1992).
43. L. Wang and P. Clancy, J. Appl. Phys. 96, 1939 (2004).