Effects of in-plane compressive stress on electrical properties of (Ba,Sr)TiO3 thin film capacitors prepared by on- and off-axis rf magnetron sputtering

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 21, 2003, Pages 4387-4389

  Park, Woo Young ^a   Ahn, Kun Ho ^a   Hwang, Cheol Seong ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; COMPRESSIVE STRESS; ELECTRIC PROPERTIES; LEAKAGE CURRENTS; MAGNETRON SPUTTERING; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; THIN FILMS;

STRESS EFFECTS; THIN FILM CAPACITORS;

BARIUM COMPOUNDS;

EID: 0346215979     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1629790     Document Type: Article

References (23)

1. C. S. Hwang, S. O. Park, H.-J. Cho, C. S. Kang, H. K. Kang, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Appl. Phys. Lett. 67, 2819 (1995).
2. D. Dimos and C. H. Mueller, Annu. Rev. Mater. Sci. 28, 397 (1998), and references therein.
3. A. A. Sirenko, I. A. Akimov, J. R. Fox, A. M. Clark, H.-C. Li, W. Si, and X. X. Xi, Phys. Rev. Lett. 82, 4500 (1999).
4. C. Zhou and D. M. Newns, J. Appl. Phys. 82, 3081 (1997).
5. C. T. Black and J. J. Welser, IEEE Trans. Electron Devices 46, 776 (1999).
6. C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 92, 432 (2002).
7. N. A. Pertsev, A. G. Zembilgotov, and A. K. Tagantsev, Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998).
8. H. Li, A. L. Roytburd, S. P. Alpay, T. D. Tran, L. Salamanca-Riba, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 78, 2354 (2001).
9. Y. Yano, K. Iijima, Y. Daitoh, T. Terashima, Y. Bando, Y. Watanabe, H. Kasatani, and H. Terauchi, J. Appl. Phys. 76, 7833 (1994).
10. T. M. Shaw, Z. Suo, M. Huang, E. Liniger, R. B. Laibowitz, and J. D. Baniecki, Appl. Phys. Lett. 75, 2129 (1999).
11. S. K. Steiffer, C. Basceri, C. B. Parker, S. E. Lash, and A. I. Kingon, J. Appl. Phys. 86, 4565 (1999).
12. S. Hyun and K. Char, Appl. Phys. Lett. 79, 254 (2001).
13. A. R. James and X. X. Xi, J. Appl. Phys. 92, 6149 (2002).
14. W. J. Kim, W. Chang, S. B. Qadri, J. M. Pond, S. W. Kirchoefer, D. B. Chrisey, and J. S. Horwitz, Appl. Phys. Lett. 76, 1185 (2000).
15. C. M. Carlson, P. A. Parilla, T. V. Rivkin, J. D. Perkins, and D. S Ginley, Appl. Phys. Lett. 77, 3278 (2000).
16. C. L. Canedy, H. Li, S. P. Alpay, L. Salamanca-Riba, A. L. Roytburd, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 77, 1695 (2000).
17. B. H. Park, E. J. Peterson, Q. X. Jia, J. Lee, X. Zeng, W. Si, and X. X. Xi, Appl. Phys. Lett. 78, 533 (2001).
18. L. Kim, D. Jung, J. Kim, Y. S. Kim, and J. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2118 (2003).
19. L. J. Sinnamon, R. M. Bowman, and J. M. Gregg, Appl. Phys. Lett. 81, 889 (2002).
20. M. J. Haun, E. Furman, S. J. Jang, H. A. Mckinstry, and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 62, 3331 (1987).
21. H. Huang, C. Q. Sun, Z. Tianshu, and P. Hing, Phys. Rev. B 63, 184112 (2001).
22. S. H. Oh and H. M. Jang, Phys. Rev. B 62, 14 757 (2000).
23. D. W. Hoffman and M. R. Gaerttner, J. Vac. Sci. Technol. 17, 425 (1980).