Contribution of interface capacitance to the electric-field breakdown in thin-film Al-AlOx-Al capacitors

Applied Physics Letters

Volumn 83, Issue 12, 2003, Pages 2417-2419

  Singh Bhalla, Guneeta ^a   Du, Xu ^a   Hebard, Arthur F ^a  

^a Box 118440 ^*  (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITANCE; CAPACITORS; DIELECTRIC DEVICES; ELECTRIC FIELD EFFECTS; ELECTRODES; INTERFACES (MATERIALS); MAGNETRON SPUTTERING;

ELECTRIC FIELD BREAKDOWN;

THIN FILM DEVICES;

EID: 0142090045     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1613802     Document Type: Article

References (19)

1. V. F. Motsnyi, J. De Boeck, J. Das, W. Van Roy, G. Borghs, E. Goovaerts, and V. I. Safarov, Appl. Phys. Lett. 81, 265 (2002).
2. S. S. P. Parkin, K. P. Roche, M. G. Samant, P. M. Rice, R. B. Beyers, R. E. Scheueriein, E. J. O'Sullivan, S. L. Brown, J. Bucchigano, D. W. Abraham, Y. L. Rooks, M. Rooks, P. L. Trouilloud, R. A. Wanner, and W. J. Gallagher, J. Appl. Phys. 85, 5828 (1999).
3. J. W. Freeland, D. J. Keavney, R. Winarski, P. Ryan, J. M. Slaughter, R. W. Dave, and J. Janesky, Phys. Rev. B 67, 134411 (2003).
4. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 89, 5502 (2001).
5. E. S. Snow, P. M. Campbell, R. W. Rendell, F. A. Buot, D. Park, C. R. K. Marrian, and R. Magno, Appl. Phys. Lett. 72, 3071 (1998).
6. M. D. Groner, J. W. Elam, F. H. Fabreguette, and S. M. George, Thin Solid Films 413, 186 (2002).
7. K. H. Gundlach and G. Heldmann, Solid State Commun. 5, 867 (1967).
8. A. F. Hebard, S. A. Ajuria, and R. H. Eick, Appl. Phys. Lett. 51, 1349 (1987).
9. J. Kolodzey, E. A. Chowdhury, T. N. Adam, Guohua Qui, I. Rau, J. O. Olowolafe, J. S. Suehle, and C. Yuan, IEEE Trans. Electron Devices 47, 121 (2000).
10. A. F. Hebard, A. T. Fiory, and R. H. Eick, IEEE Trans. Magn. Mag-23, 1279 (1987).
11. A. T. Fiory and A. F. Hebard, Physica B 135, 124 (1985).
12. K. T. McCarthy, S. B. Arnason, and A. F. Hebard, Phys. Rev. Lett. 90, 117201 (2003).
13. J. W. McPherson and H. C. Mogul, J. Appl. Phys. 84, 1513 (1998).
14. T. W. Hickmott, J. Appl. Phys. 88, 2805 (2000).
15. W. Oepts, H. J. Verhagen, W. J. M. de Jonge, and R. Coehoorn, Appl. Phys. Lett. 73, 2363 (1998).
16. C. Niu, N. P. Magtoto, and J. A. Kelber, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1947 (2001).
17. B. Oliver, Q. He, X. Tang, and J. Nowak, J. Appl. Phys. 91, 4348 (2002).
18. J. Schmalhorst, H. Bruckl, M. Justus, A. Thomas, G. Reiss, M. Vieth, G. Gieres, and J. Wecker, J. Appl. Phys. 89, 586 (2001).
19. K. T. McCarthy, S. B. Arnason, and A. F. Hebard, Appl. Phys. Lett. 74, 302 (1999).