Controlling energy-level alignments at carbon nanotube/Au contacts

Nano Letters

Volumn 3, Issue 6, 2003, Pages 783-787

  Cui, Xiaodong ^a   Freitag, Marcus ^b   Martel, Richard ^c   Brus, Louis ^a   Avouris, Phaedon ^a,c  

^a Columbia University ^*  (United States)

^b Unidym   (United States)

^c IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALKANE DERIVATIVE; CARBON; GOLD; OXYGEN; THIOL DERIVATIVE;

ADSORPTION; ARTICLE; DIPOLE; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRODE; ENERGY; GAS; MICROSCOPY; MOLECULAR PROBE; NANOTECHNOLOGY;

EID: 0141856564     PISSN: 15306984     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl034193a     Document Type: Article

References (36)

1. Carbon Nanotubes: Synthesis, Structure, Properties and Applications; Dresselhaus, M. S., Dresselhaus, G., Avouris, Ph., Eds.; Springer-Verlag: Berlin, 2001.
2. McEuen, P.; Fuhrer, M. S.; Park, H. IEEE Trans. Nanotech. 2002, 1, 78.
3. Appenzeller, J.; Joselevich, E.; Hoenlein, W. Carbon Nanotubes for Data Processing in Nanoelectronics and Information Technology; Wiley-VCH Verlag: Berlin, 2003.
4. Tans, S. J.; Verschueren, A. R. M.; Dekker, C. Nature 1998, 393, 49.
5. Martel, R.; Schmidt T.; Shea H. R.; Hertel T.; Avouris Ph. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2447.
6. Zhou, C.; Kong, J.; Dai, H. Appl. Phys. Lett. 1999, 76, 1597.
7. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 2773.
8. Derycke, V.; Martel, R.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2001, 1, 453.
9. Collins, P. G.; Bradley, K.; Ishigami, M.; Zettl, A. Science 2000, 287, 1801.
10. Jhi, S.-H.; Louie, S. G.; Cohen, M. Phys. Rev. Lett. 2000, 85, 1710.
11. Martel, R.; Derycke, V.; Lavoie, C.; Appenzeller, J.; Chan, K. K.; Tersoff, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 256805-256809.
12. Freitag, M.; Radosavljevic, M.; Zhou, Y. X.; Johnson, A. T.; Smith, W. F.; Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 3326.
13. Appenzeller, J.; Knoch, J.; Derycke, V.; Martel, R.; Wind, S.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 126801.
14. Heinze, S.; Tersoff, J.; Martel, R.; Derycke, V.; Appenzeller, J.; Avouris, Ph. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 106801.
15. Nakanishi, T.; Bachtold, A.; Dekker: C Phys. Rev. B 2002, 66, 073303.
16. Nonnenmacher, M.; O'Boyle, M. P.; Wickramasinghe, H. K. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2921.
17. Martin, Y.; Abraham, D. W.; Wickramasinghe, H. K. Appl. Phys. Lett. 1988, 52, 1103.
18. Thess, A.; Lee, R.; Nikolaev, P.; Dai, H.; Petit, P.; Robert, J.; Xu, C. ; Lee, Y. H.; Kim, S. G.; Rinzler, A. G.; Colbert, D. T.; Scuseria, G. E.; Tomanek, D.; Fischer, J. E.; Smalley, R. E. Science 1996, 273, 483.
19. Bachilo, S. M.; Strano, M. S.; Kitrell, C.; Hauge, R. H.; Smalley, R. E. ; Weisman, R. B. Science 2002, 298, 2361.
20. Hagen, A.; Hertel, T. Nano Lett. 2003, 3, 383.
21. Cherniavskaya, O.; Chen, L. W.; Weng, V.; Yuditsky, L.; Brus, L. E. J. Phys. Chem. B 2003, 107, 1525.
22. Touzov, I.; Gorman, C. B. Langmuir 1997, 13, 4850.
23. Suzuki, S.; Bower, C.; Watanabe, Y.; Zhou, O. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 4007-4010.
24. Ulbricht, H.; Moos, G.; Hertel, T. Phys. Rev. B 2002, 66, 75404:1.
25. Sorescu, D. C.; Jordan, K. D.; Avouris, Ph. J. Phys. Chem. B 2001, 105, 11227.
26. Potter, H. C.; Blakeley, J. M. J. Vac. Sci. Technol. 1975, 12, 635.
27. Sugiyama, K.; Ishii, H.; Ito, E.; Seki, K. Adv. Mater. 1999, 11, 605.
28. Hertel, T.; Walkup, R. E.; Avouris, Ph. Phys. Rev. B 1998, 58, 13870.
29. Heeres, A.; Veenstra, S. C.; Hadziioannou, G.; Sawatzky, G. A.; Jonkman, H. T. Appl. Phys. A 2002, 75, 661.
30. Odom, T. W.; Kim, P.; Huang, J.-L.; Lieber, C. M. Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 1225.
31. Koch, N.; Kahn, A.; Ghijsen, J.; Pireaux, J.-J.; Schwartz, J.; Johnson, R. L.; Elschner, A. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 70.
32. Mihaychuk, J. G.; Shamir, N.; van Driel, H. M. Phys. Rev. Lett. 1999, 82, 359.
33. 2 in NT-FET devices.
34. Schoenenberger, C.; Jorritsma, J. C.; Sondag-Huethorst, J. A. M.; Fokkink, L. G. J. J. Phys. Chem. 1995, 99, 3259.
35. Lang, N. D.; Avouris, Ph. Nano Lett. 2002, 2, 1047.
36. Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices; Wiley: New York, 1981.