Radiative N-localized recombination and confinement in GaAsN/GaAs epilayers and quantum well structures

Optical Materials

Volumn 24, Issue 1-2, 2003, Pages 303-308

  Dumont, H ^a   Auvray, L ^a   Monteil, Y ^a   Saidi, F ^b   Hassen, F ^b   Maaref, H ^b  

^a UNIVERSITÉ CLAUDE BERNARD LYON 1   (France)

^b FACULTÉ DES SCIENCES DE MONASTIR   (Tunisia)

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INTERPOLATION; PHOTOLUMINESCENCE; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE; SEMICONDUCTOR QUANTUM WELLS; THERMAL EFFECTS;

QUANTUM CONFINEMENT;

QUANTUM OPTICS;

EID: 0141993659     PISSN: 09253467     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1016/S0925-3467(03)00140-X     Document Type: Conference Paper

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