Photoluminescence of Bulk Eu-Doped GaN Crystals

Physics of the Solid State

Volumn 45, Issue 9, 2003, Pages 1634-1637

  Krivolapchuk, V V ^a   Mezdrogina, M M ^a   Nasonov, A V ^a   Rodin, S N ^a  

^a IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0141907646     PISSN: 10637834     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1134/1.1611224     Document Type: Article

References (25)

1. A. J. Steckl and B. Birkhahn, Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1998).
2. A. J. Steckl, M. Garter, B. Birkhahn, and J. D. Scofield, Appl. Phys. Lett. 74, 2161 (1999).
3. S. Kim, S. J. Rhee, and D. A. Turnbull, Appl. Phys. Lett. 71, 2662 (1997).
4. P. H. Citrtn, P. A. Northrup, R. Birkhahn, and A. J. Steckl, Appl. Phys. Lett. 76, 2865 (2000).
5. L. S. Vlasenko, A. T. Gorelenok, V. V. Emtsev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35 (2), 184 (2001) [Semiconductors 35, 177 (2001)].
6. L. S. Vlasenko, A. T. Gorelenok, V. V. Emtsev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35 (2), 184 (2001) [Semiconductors 35, 177 (2001)].
7. V. V. Krivolapchuk, M. M. Mezdrogina, S. D. Raevskiǐ, et al., Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 28 (7), 19 (2002) [Tech. Phys. Lett. 28, 270 (2002)].
8. V. V. Krivolapchuk, M. M. Mezdrogina, S. D. Raevskiǐ, et al., Pis'ma Zh. Tekh. Fiz. 28 (7), 19 (2002) [Tech. Phys. Lett. 28, 270 (2002)].
9. Yu. V. Zhilyaev, A. S. Adrianov, M. M. Mezdrogina, et al., in Abstracts of II Russian Conference on Physics of Semiconductors, Novosibirsk (1999), p. 56.
10. R. A. Street, Adv. Phys. 30, 593 (1981).
11. S. Permogorov and A. Reznitsky, J. Lumin. 52, 201 (1992).
12. E. Cohen and M. Sturge, Phys. Rev. B 25, 3828 (1982).
13. A. Klochikhin, A. Reznitsky, S. Permogorov, et al., Phys. Rev. B 59, 12947 (1999).
14. E. Iliopoulos, D. Doppalapudi, H. M. Ng, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 73, 375 (1998).
15. R. Dingle, D. D. Seil, S. E. Stakowsky, and M. Ilegems, Phys. Rev. B 4, 1211 (1971).
16. V. Kiroilyuk, P. H. Hageman, and M. Zielenski, Appl. Phys. Lett. 79, 4109 (1999).
17. V. Yu. Nekrasov, P. V. Belyakov, O. M. Sreseli, and N. N. Zinov'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33 (12), 1428 (1999) [Semiconductors 33, 1284 (1999)].
18. V. Yu. Nekrasov, P. V. Belyakov, O. M. Sreseli, and N. N. Zinov'ev, Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 33 (12), 1428 (1999) [Semiconductors 33, 1284 (1999)].
19. H. I. Lozykowski, Phys. Rev. B 48, 17758 (1993).
20. M. M. Mezdrogina, I. N. Trapeznikova, E. I. Terukov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 36 (11), 1337 (2002) [Semiconductors 36, 1252 (2002)].
21. M. M. Mezdrogina, I. N. Trapeznikova, E. I. Terukov, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 36 (11), 1337 (2002) [Semiconductors 36, 1252 (2002)].
22. S. V. Thiel, H. Cruguel, H. Wu, et al., Phys. Rev. B 64, 085107 (2001).
23. A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, M. O. Vorob'ev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35 (6), 725 (2001) [Semiconductors 35, 695 (2001)].
24. A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, M. O. Vorob'ev, et al., Fiz. Tekh. Poluprovodn. (St. Petersburg) 35 (6), 725 (2001) [Semiconductors 35, 695 (2001)].
25. J. Heikenfeld, M. Garter, D. S. Lee, et al., Appl. Phys. Lett. 75, 1189 (1999).